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元器件型号：71152 件
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系列

清除

制造商统称

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制造商统称

清除

类目

清除

*存储器类型

  • -
  • DRAM
  • EEPROM
  • EERAM
  • EPROM
  • FRAM
  • NVSRAM
  • PROM
  • PSRAM
  • RAM
  • SRAM
  • 易失
  • 闪存
  • 非易失
清除

*存储器格式

  • -
  • CAM
  • CBRAM®
  • DRAM
  • EEPROM
  • EEPROM，SRAM
  • EERAM
  • EPROM
  • EPROM - OTP
  • EPROM - UV
  • FLASH - NAND（MLC）
  • FLASH - NAND（SLC）
  • FLASH - NAND（TLC）
  • FLASH - NAND（pSLC）
  • FLASH - NOR
  • FLASH - NOR（MLC）
  • FLASH - 引导块
  • FLASH，RAM
  • FRAM
  • FRAM（铁电体 RAM）
  • LLDRAM2
  • MRAM（磁阻式 RAM）
  • NVSRAM
  • NVSRAM（非易失性 SRAM）
  • PCM（PRAM）
  • PROM
  • PSRAM
  • PSRAM（伪 SRAM）
  • RAM
  • ReRAM（电阻式 RAM）
  • SDRAM
  • SDRAM - DDR
  • SDRAM - DDR2
  • SDRAM - DDR3
  • SDRAM - DDR3L
  • SDRAM - DDR4
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SRAM
  • SRAM - DDR2
  • SRAM - Standard
  • SRAM - 双端口，同步
  • SRAM - 双端口，异步
  • SRAM - 同步
  • SRAM - 同步，DDR II
  • SRAM - 同步，DDR II+
  • SRAM - 同步，QDR II
  • SRAM - 同步，QDR II+
  • SRAM - 同步，QDR IV
  • SRAM - 同步，SDR
  • SRAM - 同步，SDR（ZBT）
  • SRAM - 同步，ZBT
  • SRAM - 同步，标准
  • SRAM - 四端口，同步
  • SRAM - 四端口，同步，DDR II
  • SRAM - 四端口，同步，DDR II+
  • SRAM - 四端口，同步，QDR II
  • SRAM - 四端口，同步，QDR II+
  • SRAM - 四端口，同步，QDR IIIe
  • SRAM - 四端口，同步，QDR IVe
  • SRAM - 异步
  • SRAM - 异步，ZBT
  • 闪存
  • 闪存 - NAND
清除

技术

  • -
  • 1.25Kb（32 字节 x 5 页）
  • 1.152Mb（32K x 36）
  • 1.152Mb（64K x 18）
  • 1Gb（64M x 16）
  • 1Gb（128M x 8）
  • 1Kb（1K x 1）
  • 1Kb（64 x 16）
  • 1Kb（128 x 8）
  • 1Kb（128 x 8，64 x 16）
  • 1Mb（1M x 1）
  • 1Mb（32K x 32）
  • 1Mb（64K x 16）
  • 1Mb（64K x 18）
  • 1Mb（128K x 8）
  • 1Mb（256 x 4）
  • 1Mb（256K x 4）
  • 1T-SRAM
  • 1Tb（128G x 8）
  • 2Gb（128M x 16）
  • 2Gb（256M x 8）
  • 2Gb（512M x 4）
  • 2Kb（128 x 16）
  • 2Kb（128 x 16，256 x 8）
  • 2Kb（256 x 8）
  • 2Kb（256 x 8，128 x 16）
  • 2Kb（512 x 4）
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  • 4.5Mb（128K x 36）
  • 4.5Mb（256K x 18）
  • 4Gb（256M x 16）
  • 4Gb（512M x 8）
  • 4Kb（1K x 4）
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  • 18Mb（512K x 36）
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  • 32Gb（4G x 8）
  • 32Gb（512M x 64）
  • 32Kb（2K x 16）
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  • 32Mb（32Mb（4M x 8，2M x 16））
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  • 64GB
  • 64Gb（2G x 32）
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  • 64Kb（8K x 8）
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  • 64Mb（4M x 16，8M x 8）
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  • 64Mb（16M x 4）
  • 64b（16 x 4）
  • 72Kb（4K x 18）
  • 72Kb（8K x 9）
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  • 128Gb（16G x 8）
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  • 128Kb（16K x 8）
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  • 128Mb（8M x 16）
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  • 128Mb（16M x 8，8M x 16）
  • 144Kb（8K x 18）
  • 144Mb（4M x 36）
  • 144Mb（8M x 18）
  • 256Gb（32G x 8）
  • 256Kb
  • 256Kb（16K x 16）
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  • 256Mb（16M x 16）
  • 256Mb（32M x 8）
  • 256Mb（32M x 8，16M x 16）
  • 256Mb（64M x 4）
  • 256b（16 x 16）
  • 256b（32 x 8）
  • 288Kb（16K x 18）
  • 288Kb（32K x 9）
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  • 288Mb（16M x 18）
  • 512Gb（64G x 8）
  • 512Kb（32K x 16）
  • 512Kb（64K x 8）
  • 512Mb（16M x 32）
  • 512Mb（32M x 16）
  • 512Mb（64M x 8，32M x 16）
  • 576Mb（16M x 36）
  • 576Mb（32M x 18）
  • CAM
  • CBRAM
  • DRAM
  • DRAM - EDO
  • DRAM - FP
  • EEPROM
  • EEPROM，SRAM
  • EPROM - OTP
  • EPROM - UV
  • FLASH
  • FLASH - NAND
  • FLASH - NAND（MLC）
  • FLASH - NAND（SLC）
  • FLASH - NAND（SLC），FLASH - NAND（TLC）
  • FLASH - NAND（TLC）
  • FLASH - NAND（pMLC）
  • FLASH - NAND（pSLC）
  • FLASH - NAND，DRAM - LPDDR
  • FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
  • FLASH - NAND，DRAM - LPDDR4
  • FLASH - NAND，FLASH - NOR
  • FLASH - NAND，移动 LPDRAM
  • FLASH - NOR
  • FLASH - NOR，DRAM - LPDDR2
  • FLASH - NOR，Mobile LPDDR SDRAM
  • FLASH - NOR，PSRAM
  • FLASH - 引导块
  • FLASH，DRAM
  • FLASH，PSRAM
  • FLASH，SRAM
  • FRAM（铁电体 RAM）
  • HyperRAM
  • LLDRAM
  • LLDRAM2
  • MRAM（磁阻式 RAM）
  • NVSRAM（非易失性 SRAM）
  • PCM - LPDDR2，MCP - LPDDR2
  • PCM（PRAM）
  • PSRAM（伪 SRAM）
  • RAM
  • RLDRAM 3
  • ReRAM（电阻式 RAM）
  • SARAM
  • SDRAM
  • SDRAM - DDR
  • SDRAM - DDR2
  • SDRAM - DDR3
  • SDRAM - DDR3L
  • SDRAM - DDR4
  • SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • SDRAM - Mobile LPDDR3
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SDRAM - Mobile SDRAM
  • SDRAM - 移动
  • SDRAM - 移动 LPDDR
  • SDRAM - 移动 LPDDR2
  • SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B
  • SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • SDRAM - 移动 LPDDR5
  • SDRAM - 移动 LPSDR
  • SGRAM - GDDR5
  • SGRAM - GDDR6
  • SRAM
  • SRAM - DDR2
  • SRAM - Quad Port，Synchronous，DDR II
  • SRAM - Standard
  • SRAM - Synchronous，Standard
  • SRAM - Synchronous，ZBT
  • SRAM - 双端口，MoBL
  • SRAM - 双端口，同步
  • SRAM - 双端口，同步 QDR II
  • SRAM - 双端口，异步
  • SRAM - 双端口，异步，标准
  • SRAM - 双端口，标准
  • SRAM - 同步
  • SRAM - 同步，DDR
  • SRAM - 同步，DDR II
  • SRAM - 同步，DDR II+
  • SRAM - 同步，DDR IIP
  • SRAM - 同步，QDR
  • SRAM - 同步，QDR II
  • SRAM - 同步，QDR II+
  • SRAM - 同步，QDR IV
  • SRAM - 同步，QUAD
  • SRAM - 同步，QUADP
  • SRAM - 同步，SDR
  • SRAM - 同步，SDR（ZBT）
  • SRAM - 同步，ZBT
  • SRAM - 同步，标准
  • SRAM - 四端口，同步
  • SRAM - 四端口，同步，DDR II
  • SRAM - 四端口，同步，DDR II+
  • SRAM - 四端口，同步，QDR II
  • SRAM - 四端口，同步，QDR II+
  • SRAM - 四端口，同步，QDR IIIe
  • SRAM - 四端口，同步，QDR IVe
  • SRAM - 四端口，异步
  • SRAM - 异步
  • SRAM，RLDRAM
  • 闪存
  • 闪存 - NAND
  • 闪存 - NAND，移动 LPDRAM
清除

*存储容量

  • -
  • 1-Wire®
  • 1.5K（6 页 x 32 字节）
  • 1.5Tb（192G x 8）
  • 1.25Kb （32 字节 x 5 页）
  • 1.125Gb（32Mb x 36）
  • 1.125Gb（64Mb x 18）
  • 1.125Mb （32K x 36）
  • 1.125Mb （64K x 18）
  • 1.125Mb （128K x 9）
  • 1.125Tb（144G x 8）
  • 1.152Gb（16M x 72）
  • 1.152Mb （32K x 36）
  • 1.152Mb（64K x 18）
  • 1.152Mb （64K x 18）
  • 1.152Mb （128K x 9）
  • 1.152Mb（128K x 9）
  • 1Gb（1G x 1）
  • 1Gb （1G x 1）
  • 1Gb（32M x 32）
  • 1Gb （32M x 32）
  • 1Gb （64M x 16）
  • 1Gb（64M x 16）
  • 1Gb （64M x 16）（NAND），256Mb （8M x 32）（LPDRAM）
  • 1Gb （64M x 16）（NAND），256Mb （16M x 16）（LPDRAM）
  • 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM）
  • 1Gb （64M x 16）（NAND），512Mb （32M x 16）（LPDRAM）
  • 1Gb（64M x 16，32M x 32）
  • 1Gb（128K x 8）
  • 1Gb （128M x 8）
  • 1Gb（128M x 8）
  • 1Gb （128M x 8）（NAND），1Gb （32M x 32）（LPDRAM）
  • 1Gb （128M x 8）（NAND），1Gb （64M x 16）（LPDRAM）
  • 1Gb（128M x 8）（NAND），1G（32M x 32）（LPDDR2）
  • 1Gb （128M x 8）（NAND），256Mb （8M x 32）（LPDRAM）
  • 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （16M x 32）（LPDRAM）
  • 1Gb （128M x 8）（NAND），512Mb （32M x 16）（LPDRAM）
  • 1Gb（128M x 8）（NAND），512M（16M x 32）（LPDRAM）
  • 1Gb（128M x 8）（NAND），512M（32M x 16）（LPDDR2）
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  • 1Gb （128M x 8，64M x 16）
  • 1Gb （256M x 4）
  • 1Gb（NAND），1Gb（LPDDR2）
  • 1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
  • 1Kb （1K x 1）
  • 1Kb（1K x 1）
  • 1Kb（64 x 16）
  • 1Kb （64 x 16）
  • 1Kb（64 x 16，128 x 8）
  • 1Kb（128 x 8 或 64 x 16）
  • 1Kb（128 x 8 ，64 x 16）
  • 1Kb （128 x 8）
  • 1Kb（128 x 8）
  • 1Kb（128 x 8，64 x 16）
  • 1Kb （256 x 4）
  • 1Kb（256 x 4）
  • 1Kb（256b x 4 页）
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  • 1Mb（64K x 16）
  • 1Mb （64K x 16）
  • 1Mb （64K x 18）
  • 1Mb （128K x 8）
  • 1Mb（128K x 8）
  • 1Mb （128K x 8，32K x 32，64K x 16）
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  • 1Mb （256 字节 x 512 页）
  • 1Mb（256K x 4）
  • 1Mb （256K x 4）
  • 1Mb （264 字节 x 512 页）
  • 1Tb （128G x 8）
  • 1Tb（128G x 8）
  • 2.25Mb （128K x 18）
  • 2Gb（2G x 1）
  • 2Gb （2G x 1）
  • 2Gb （64M x 32）
  • 2Gb（64M x 32）
  • 2Gb （128M x 16）
  • 2Gb（128M x 16）
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  • 2Gb （128M x 16）（NAND），1Gb （64M x 16）（LPDRAM）
  • 2Gb （256M x 8）
  • 2Gb（256M x 8）
  • 2Gb （256M x 8）（NAND），1Gb （32M x 32）（LPDRAM）
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  • 2Gb（256M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2）
  • 2Gb （256M x 8，128M x 16）
  • 2Gb（256M x 8，128M x 16）
  • 2Gb （512M x 4）
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  • 2Gb（NAND），1Gb（LPDDR）
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  • 2Kb （2K x 1）
  • 2Kb（2K x 1）
  • 2Kb（128 x 8 x 2）
  • 2Kb （128 x 8 x 2）
  • 2Kb（128 x 16）
  • 2Kb （128 x 16）
  • 2Kb（128 x 16，256 x 8）
  • 2Kb （256 x 8）
  • 2Kb（256 x 8）
  • 2Kb （256 x 8）
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  • 2Kb （256 x 8，128 x 16）
  • 2Mb （64K x 32）
  • 2Mb（64K x 32）
  • 2Mb （64K x 36）
  • 2Mb（64K x 36）
  • 2Mb（128K x 16）
  • 2Mb （128K x 16）
  • 2Mb（128K x 18）
  • 2Mb （128K x 18）
  • 2Mb（256 字节 x 1024 页）
  • 2Mb （256 字节 x 1024 页）
  • 2Mb （256K x 8）
  • 2Mb（256K x 8）
  • 2Mb （256K x 8，128K x 16）
  • 2Mb（256M x 8）
  • 2Mb （264 字节 x 1024 页）
  • 2Mb（264 字节 x 1024 页）
  • 2M（1024 页 x 256 字节）
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  • 3Mb（128K x 24）
  • 3Mb （128K x 24）
  • 3Mb （256K x 12）
  • 3Tb（384G x 8）
  • 4.5Mb（128K x 36）
  • 4.5Mb （128K x 36）
  • 4.5Mb （256K x 18）
  • 4.5Mb（256K x 18）
  • 4GB
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  • 4Gb （1G x 4）
  • 4Gb （4G x 1）
  • 4Gb（4G x 1）
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  • 4Gb（256M x 16）（NAND），2G（128M x 16）（LPDRAM）
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  • 4Gb（512M x 8）
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  • 4Kb （512 x 8）
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  • 4Kb （512 x 8，256 x 16）
  • 4Mb （1M x 4）
  • 4Mb（1M x 4）
  • 4Mb（2M x 2）
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  • 4Mb（128K x 32）
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  • 4Mb （256K x 16）
  • 4Mb（256K x 16）
  • 4Mb（256K x 18）
  • 4Mb （256K x 18）
  • 4Mb （264 字节 x 2048 页）
  • 4Mb（264 字节 x 2048 页）
  • 4Mb （512K x 8）
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  • 640Gb（80G x 8）
  • 768Gb（96G x 8）
  • 896b（112 x 8）
  • 896b （112 x 8）
  • CFI
  • HSTL
  • I²C
  • LVSTL
  • POD
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SPI
  • SPI - 八 I/O
  • SPI - 四 I/O
  • SPI - 四 I/O，QPI
  • SPI - 四 I/O，QPI，DTR
  • SSTL_2
  • SSTL_15
  • SSTL_18
  • eMMC
  • 并联
清除

存储器组织

清除

存储器接口

  • -
  • -, 650µs
  • -25°C ~ 85°C（TA）
  • -40°C ~ 85°C（TA）
  • -40°C ~ 105°C（TA）
  • -，3ms
  • 0°C ~ 70°C（TA）
  • 1 MHz
  • 1-Wire®
  • 1.066 GHz
  • 1.1V
  • 1.2GHz
  • 1.2V
  • 1.2V ~ 1.35V
  • 1.2V，1.8V
  • 1.2µs
  • 1.3V ~ 1.4V
  • 1.3V ~ 1.545V
  • 1.5ms
  • 1.6 GHz
  • 1.6V ~ 5.5V
  • 1.6ms
  • 1.7V ~ 1.9V
  • 1.7V ~ 1.95V
  • 1.7V ~ 2V
  • 1.7V ~ 2V，2.3V ~ 2.7V
  • 1.7V ~ 3.6V
  • 1.7V ~ 5.5V
  • 1.8V
  • 1.8V ~ 3.6V
  • 1.8V ~ 5.5V
  • 1.8ms
  • 1.8ns
  • 1.14V ~ 1.3V
  • 1.14V ~ 1.26V
  • 1.14V ~ 1.95V
  • 1.21V ~ 1.29V
  • 1.31V ~ 1.39V
  • 1.31V ~ 1.39V，1.46V ~ 1.55V
  • 1.31V ~ 1.65V
  • 1.35ns
  • 1.48ns
  • 1.65V ~ 1.95V
  • 1.65V ~ 2.1V
  • 1.65V ~ 2.2V
  • 1.65V ~ 2.25V
  • 1.65V ~ 2V
  • 1.65V ~ 3.6V
  • 1.65V ~ 4.4V
  • 1.283V ~ 1.45V
  • 1.333 GHz
  • 1.467 GHz
  • 1Gb（128M x 8）
  • 1ms
  • 1µs
  • 2 MHz
  • 2.1V ~ 3.6V
  • 2.2V ~ 3.6V
  • 2.2V ~ 3.6V，4.5V ~ 5.5V
  • 2.2V ~ 3.7V
  • 2.3V ~ 2.7V，3V ~ 3.6V
  • 2.3V ~ 3.6V
  • 2.4V ~ 2.6V
  • 2.4V ~ 3.6V
  • 2.4ms
  • 2.5V ~ 2.7V
  • 2.5V ~ 3.6V
  • 2.5V ~ 3V
  • 2.5V ~ 5.5V
  • 2.5ms
  • 2.5ns
  • 2.6ms
  • 2.6ns
  • 2.7V ~ 3.3V
  • 2.7V ~ 3.6V
  • 2.7V ~ 3.6V，4.5V ~ 5.5V
  • 2.7V ~ 3.45V
  • 2.7V ~ 5.5V
  • 2.7ns
  • 2.8V ~ 6V
  • 2.8ns
  • 2.35V ~ 3.6V
  • 2.64ns
  • 2.65V ~ 3.3V
  • 2.65V ~ 3.6V
  • 2.65V ~ 5.5V
  • 2.133 GHz
  • 2.375V ~ 2.625V
  • 2V ~ 3.6V
  • 2V ~ 5.5V
  • 2ms
  • 2µs
  • 3 MHz
  • 3.1ns
  • 3.2ns
  • 3.3ns
  • 3.4 MHz
  • 3.4ns
  • 3.5ms
  • 3.5ns
  • 3.5µs
  • 3.6ns
  • 3.8ns
  • 3.15V ~ 3.6V
  • 3.15V ~ 3.45V
  • 3.135V ~ 3.6V
  • 3.135V ~ 3.465V
  • 3V ~ 3.6V
  • 3V ~ 3.6V，4.5V ~ 5.5V
  • 3ms
  • 3ns
  • 4 MHz
  • 4.2ns
  • 4.4ns
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 4.5ns
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  • 4.7ms，22µs
  • 4.8ns
  • 4.75V ~ 5.5V
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  • 4ns
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  • 5.4ns
  • 5.5ns
  • 5.85ns
  • 5V
  • 5ms
  • 5ns
  • 5µs
  • 5µs，2.5ms
  • 5µs，3ms
  • 5µs，5ms
  • 6.3ns
  • 6.5ns
  • 6.67ns
  • 6ms
  • 6ns
  • 6µs，5ms
  • 7.2ns
  • 7.5ns
  • 7.88ns
  • 7ms
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  • 7µs，3ms
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  • 9ns
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  • 333MHz
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  • SPI - 四 I/O，QPI
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  • SPI - 四 I/O，QPI，DTR
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  • Xccela 总线
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  • 单线
  • 并联
清除

时钟频率

  • -
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  • 1-Wire®
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  • 5MHz
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  • 10MHz
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  • 20MHz
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  • 40MHz
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  • 50MHz
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  • 52MHz
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  • 66MHz
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  • 75MHz
  • 75ns
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  • 83MHz
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  • 86MHz
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  • 104MHz
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  • 108MHz
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  • 117MHz
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  • 120MHz
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  • 133MHz
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  • 143MHz
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  • 166MHz
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  • 167MHz
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  • 200MHz
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  • 267MHz
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  • 333MHz
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  • 533MHz
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  • 933MHz
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  • HyperBus
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  • I²C，单线
  • LVSTL_11
  • MMC
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SPI
  • SPI - 八 I/O
  • SPI - 双 I/O
  • SPI - 四 I/O
  • SPI - 四 I/O， DTR
  • SPI - 四 I/O， QPI
  • SPI - 四 I/O， QPI， DTR
  • SPI - 四 I/O，SDI，DTR
  • SPI，QPI
  • SSTL_15
  • SSTL_18
  • UFS
  • Xccela 总线
  • eMMC
  • 串行
  • 单线
  • 并联
  • 并联，SPI
清除

写周期时间 - 字，页

  • -
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  • 800kHz
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  • 1067MHz
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  • MMC
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
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  • SPI - 四 I/O
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  • 并联，SPI
清除

访问时间

  • -
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  • 1.8V ~ 5.5V
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  • 1.425V ~ 1.575V
  • 1Gb（128M x 8）
  • 1ms
  • 1µs
  • 1，7V ~ 1，98V
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  • 2.3V ~ 2.7V，3V ~ 3.6V
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  • 2.6ms
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  • 2µs
  • 3 ns
  • 3.1 ns
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  • 3.3 ns
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  • 3.4ns
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  • 3.5 ns
  • 3.5 µs
  • 3.5ms
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  • 3ms
  • 4 ns
  • 4.2 ns
  • 4.2ns
  • 4.5 ns
  • 4.5 µs
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 4.7ms，22µs
  • 4.75V ~ 5.25V
  • 4V ~ 6.5V
  • 4ms
  • 4ns
  • 5 ns
  • 5.4 ns
  • 5.4ns
  • 5.5 ns
  • 5.5ns
  • 5V
  • 5ms
  • 5µs
  • 5µs，2.5ms
  • 5µs，3ms
  • 5µs，5ms
  • 6 ns
  • 6.3 ns
  • 6.5 ns
  • 6.5ns
  • 6.7 ns
  • 6.7ns
  • 6ms
  • 6ns
  • 6µs，5ms
  • 7 ns
  • 7.5 ns
  • 7.5ns
  • 7ms
  • 7ns
  • 7µs，3ms
  • 7µs，5ms
  • 8 ns
  • 8.5 ns
  • 8.5ns
  • 8ms
  • 8ms，1ms
  • 8ms，2.8ms
  • 8ms，5ms
  • 8ns
  • 8µs，1.75ms
  • 8µs，2.5ms
  • 8µs，2.75ms
  • 8µs，3.5ms
  • 8µs，3ms
  • 8µs，4ms
  • 8µs，5ms
  • 8µs，6ms
  • 9 ns
  • 9ms
  • 9ns
  • 10 ns
  • 10ms
  • 10ns
  • 10µs
  • 12 ns
  • 12ns
  • 12µs，2.4ms
  • 12µs，3ms
  • 12µs，5ms
  • 12µs，8ms
  • 13 ns
  • 13.75 ns
  • 13.75ns
  • 14 ns
  • 14.4ns
  • 14ms
  • 14ns
  • 15 ns
  • 15 µs
  • 15ms
  • 15ms，3ms
  • 15ms，5ms
  • 15ms，7ms
  • 15ns
  • 15µs
  • 15µs，5ms
  • 16 ns
  • 16ns
  • 17 ns
  • 17ms
  • 17ns
  • 18 ns
  • 18ns
  • 19 ns
  • 20 ns
  • 20ms
  • 20ns
  • 20µs
  • 20µs，12ms
  • 22 ns
  • 22µs，8ms
  • 25 ns
  • 25ns
  • 25µs
  • 27ns
  • 28 ns
  • 29ns
  • 30 ns
  • 30ns
  • 30µs，1.5ms
  • 30µs，1ms
  • 30µs，3ms
  • 30µs，6ms
  • 30µs，750µs
  • 30µs，800µs
  • 35 ns
  • 35ns
  • 35µs
  • 36 ns
  • 36ns
  • 40 ns
  • 40ms，3ms
  • 40ns
  • 40µs
  • 40µs， 1.2ms
  • 40µs，3ms
  • 45 ns
  • 45ns
  • 50 ns
  • 50ms
  • 50ns
  • 50µs
  • 50µs，1.2ms
  • 50µs，1ms
  • 50µs，2.4ms
  • 50µs，3ms
  • 50µs，4ms
  • 50µs，10ms
  • 54 ns
  • 54ns
  • 55 ns
  • 55ns
  • 55µs, 6ms
  • 60 ns
  • 60ns
  • 60µs
  • 60µs, 6ms
  • 60µs，1.5ms
  • 60µs，3ms
  • 60µs，5ms
  • 60µs，12ms
  • 60µs，750µs
  • 65 ns
  • 65ns
  • 70 ns
  • 70ns
  • 75 ns
  • 75ns
  • 80 ns
  • 80ns
  • 84ns
  • 85 ns
  • 85ns
  • 90 ns
  • 90ms
  • 90ns
  • 95 ns
  • 95ns
  • 96 ns
  • 96ns
  • 97µs, 6ms
  • 100 ns
  • 100ns
  • 100µs
  • 100µs, 1.2ms
  • 100µs，2.5ms
  • 100µs，3ms
  • 100µs，4ms
  • 100µs，5ms
  • 100µs，10ms
  • 100µs，50ns
  • 104ns
  • 105 ns
  • 105ns
  • 110 ns
  • 110ns
  • 115ns
  • 120 ns
  • 120MHz
  • 120ns
  • 120µs
  • 125ns
  • 130 ns
  • 130ns
  • 135ns
  • 140 ns
  • 140ns
  • 150 ns
  • 150ns
  • 150ns，400µs
  • 150µs
  • 150µs，5ms
  • 166MHz
  • 170ns
  • 200 ns
  • 200ns
  • 200µs
  • 250 ns
  • 250ns
  • 280µs
  • 300 ps
  • 300MHz
  • 300ns
  • 300µs
  • 300µs，3ms
  • 300µs，5ms
  • 300µs，6ms
  • 300µs，7ms
  • 320µs
  • 333MHz
  • 350 ps
  • 350µs
  • 400 ns
  • 400 ps
  • 400ns
  • 400ps
  • 400µs
  • 450 ns
  • 450 ps
  • 450 µs
  • 450ns
  • 450ps
  • 500 ns
  • 500 ps
  • 500ns
  • 500µs
  • 550 ns
  • 550ns
  • 600µs
  • 600µs，25ns
  • 650 ms
  • 700 ns
  • 700 ps
  • 700ps
  • 700µs
  • 750µs
  • 800MHz
  • 800µs
  • 900 ns
  • 900ns
  • 3500 ns
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
清除

*电压 - 电源

清除

工作温度

  • -
  • -10°C ~ 70°C（TA）
  • -20 to 70
  • -20°C ~ 70°C（TA）
  • -20°C ~ 75°C（TA）
  • -20°C ~ 85°C（TA）
  • -20°C ~ 125°C（TA）
  • -25°C ~ 85°C
  • -25°C ~ 85°C（TA）
  • -25°C ~ 85°C（TC）
  • -25°C ~ 85°C（TJ）
  • -30°C ~ 85°C
  • -30°C ~ 85°C（TA）
  • -30°C ~ 85°C（TC）
  • -30°C ~ 85°C（TJ）
  • -30°C ~ 105°C
  • -30°C ~ 105°C（TC）
  • -40°C ~ 85°C
  • -40°C ~ 85°C（TA）
  • -40°C ~ 85°C（TC）
  • -40°C ~ 85°C（TJ）
  • -40°C ~ 90°C（TA）
  • -40°C ~ 95°C
  • -40°C ~ 95°C（TA）
  • -40°C ~ 95°C（TC）
  • -40°C ~ 100°C（TJ）
  • -40°C ~ 105°C
  • -40°C ~ 105°C（TA）
  • -40°C ~ 105°C（TC）
  • -40°C ~ 115°C（TC）
  • -40°C ~ 125°C
  • -40°C ~ 125°C（TA）
  • -40°C ~ 125°C（TC）
  • -40°C ~ 145°C（TA）
  • -40°C ~ 150°C（TA）
  • -55°C ~ 85°C（TA）
  • -55°C ~ 125°C
  • -55°C ~ 125°C（TA）
  • -55°C ~ 125°C（TC）
  • -55°C ~ 225°C（TA）
  • 0 to 70
  • 0°C ~ 70°C
  • 0°C ~ 70°C（TA）
  • 0°C ~ 70°C（TC）
  • 0°C ~ 75°C（TA）
  • 0°C ~ 85°C（TA）
  • 0°C ~ 85°C（TC）
  • 0°C ~ 90°C（TC）
  • 0°C ~ 95°C（TA）
  • 0°C ~ 95°C（TC）
  • 0°C ~ 125°C（TA）
  • 1.1V
  • 1.2V
  • 1.7V ~ 1.95V
  • 1.14V ~ 1.95V
  • 2.7V ~ 3.6V
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 48-TSOP
  • 52-VLGA
  • 63-VFBGA
  • 64-LBGA
  • 100-LBGA
  • 100-TBGA
  • 130-VFBGA
  • 153-TFBGA
  • 153-WFBGA
  • 169-TFBGA
  • 169-VFBGA
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 垫板安装
  • 插口
  • 表面贴装型
  • 通孔
清除

安装类型

  • -
  • -25°C ~ 85°C（TA）
  • -30°C ~ 85°C（TC）
  • -30°C ~ 105°C（TC）
  • -40°C ~ 85°C（TA）
  • -40°C ~ 85°C（TC）
  • -40°C ~ 105°C（TA）
  • 0°C ~ 70°C（TA）
  • 0°C ~ 85°C（TA）
  • 0°C ~ 85°C（TC）
  • 0°C ~ 95°C（TC）
  • 1.2V
  • 1.14V ~ 1.95V
  • 4-UBGA，FCBGA
  • 4-UFBGA，WLBGA
  • 4-UFBGA，WLCSP
  • 4-XFBGA，WLCSP
  • 4.5V ~ 5.5V
  • 6-LSOJ（0.148"，3.76mm 宽）
  • 6-UFBGA，CSPBGA
  • 6-VBGA，FCBGA
  • 6-XFBGA，CSPBGA
  • 6-XFBGA，WLCSP
  • 8-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 8-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 8-SMD，扁平引线
  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
  • 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
  • 8-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 8-TDFN
  • 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 8-TSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）
  • 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
  • 8-UDFN
  • 8-UDFN 裸露焊盘
  • 8-UFBGA，CSPBGA
  • 8-UFBGA，WLCSP
  • 8-UFDFN
  • 8-UFDFN 裸露焊盘
  • 8-VDFN
  • 8-VDFN 裸露焊盘
  • 8-VFBGA
  • 8-VFBGA，DSBGA
  • 8-VFDFN 裸露焊盘
  • 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽）
  • 8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）
  • 8-WDFN 裸露焊盘
  • 8-WFDFN 裸露焊盘
  • 8-WLGA
  • 8-WSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 宽）
  • 8-XDFN 裸露焊盘
  • 8-XFBGA，WLCSP
  • 8-XFDFN
  • 8-XFDFN 裸露焊盘
  • 9-UBGA
  • 10-XFBGA，WLCSP
  • 12-UFBGA，WLCSP
  • 12-XFBGA，WLCSP
  • 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 16-CFlatpack
  • 16-DIP
  • 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 16-UFBGA，WLCSP
  • 16-WQFN 裸露焊盘
  • 18-CDIP
  • 20-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
  • 20-CFlatpack
  • 20-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
  • 22-CDIP（0.400"，10.16mm）
  • 22-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 24-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
  • 24-CDIP（0.300"，7.62mm）
  • 24-CDIP（0.600"，15.24mm）
  • 24-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口
  • 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
  • 24-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 24-DIP（0.600"，15.24mm）
  • 24-LBGA
  • 24-LBGA，CSPBGA
  • 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 24-TBGA
  • 24-TBGA，CSPBGA
  • 24-VBGA
  • 28-BCPGA
  • 28-BSOJ(0.300"，7.62mm 宽）
  • 28-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
  • 28-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
  • 28-CDIP（0.300"，7.62mm）
  • 28-CDIP（0.300"，7.62mm）窗口
  • 28-CDIP（0.600"，15.24mm）
  • 28-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口
  • 28-CLCC
  • 28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
  • 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
  • 28-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 28-DIP（0.600"，15.24mm）
  • 28-LCC
  • 28-LCC（J 形引线）
  • 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 28-SOIC（0.300"，7.62mm 宽）
  • 28-SOIC（0.330"，8.38mm 宽）
  • 28-SOIC（0.330"，8.40mm 宽）
  • 28-SOIC（0.342"，8.69mm 宽）
  • 28-SOIC（0.345"，8.77mm 宽）
  • 28-SOP
  • 28-TSSOP（0.465"，11.80mm 宽）
  • 32-BSOJ（0.300"，7.62mm 宽）
  • 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
  • 32-CDIP（0.300"，7.62mm）
  • 32-CDIP（0.600"，15.24mm）
  • 32-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口
  • 32-CDIP（0.685"，17.40mm）窗口
  • 32-CFlatpack
  • 32-CLCC
  • 32-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
  • 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
  • 32-DIP（0.600"，15.24mm）
  • 32-LCC（J 形引线）
  • 32-LFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
  • 32-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
  • 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）
  • 32-SOIC（0.450"，11.40mm 宽）
  • 32-SOIC（0.455"，11.30mm 宽）
  • 32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
  • 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽）
  • 32-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 34-LPM
  • 34-PowerCap™ 模块
  • 34-WFBGA
  • 36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
  • 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
  • 36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）
  • 36-TFBGA
  • 40-CDIP（0.600"，15.24mm）窗口
  • 40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）
  • 40-DIP（0.600"，15.24mm）
  • 40-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽）
  • 40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 42-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
  • 42-DIP（0.600"，15.24mm）
  • 44-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
  • 44-CLCC
  • 44-LCC（J 形引线）
  • 44-LQFP
  • 44-SOIC（0.496"，12.60mm 宽）
  • 44-SOIC（0.525"，13.34mm 宽）
  • 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
  • 45-TFBGA，CSBGA
  • 46-TFBGA
  • 46-TFBGA，CSPBGA
  • 46-VFBGA
  • 47-VFBGA，CSBGA
  • 48-BGA
  • 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）
  • 48-DIP（0.600"，15.24mm）
  • 48-LCC
  • 48-LFBGA
  • 48-LFBGA，CSPBGA
  • 48-TFBGA
  • 48-TFBGA，CSPBGA
  • 48-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽）
  • 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 48-TSOP
  • 48-TSOP I
  • 48-UFLGA
  • 48-VFBGA
  • 48-VFBGA, CSPBGA
  • 48-VFBGA，CSBGA
  • 48-WFBGA
  • 48-扁平封装
  • 50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
  • 52-BQFP
  • 52-LCC（J 形引线）
  • 52-QFP
  • 52-TFSOP（0.350"，8.89mm 宽）
  • 52-VLGA
  • 52-VLGA（18x14）
  • 54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
  • 54-VFBGA
  • 56-SOP
  • 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
  • 56-VFBGA
  • 60-TFBGA
  • 60-VFBGA
  • 63-TFBGA
  • 63-VFBGA
  • 63-VFBGA（9x11）
  • 63-VFBGA（10.5x13）
  • 64-FBGA
  • 64-FBGA（13x11）
  • 64-LBGA
  • 64-LQFP
  • 64-TBGA
  • 64-VFBGA
  • 66-TSSOP (szerokość 0，400"，10，16mm)
  • 67-VFBGA
  • 68-BPGA
  • 68-LCC（J 形引线）
  • 68-扁平封装
  • 72-SIMM
  • 78-TFBGA
  • 78-VFBGA
  • 80-LQFP
  • 80-SIMM
  • 80-VFBGA
  • 81-TFBGA
  • 84-BPGA
  • 84-LCC（J 形引线）
  • 84-TFBGA
  • 84-扁平封装
  • 86-TFSOP（0.400"，10.16mm 宽）
  • 96-LFBGA
  • 96-TFBGA
  • 96-VFBGA
  • 100-BGA
  • 100-LBGA
  • 100-LBGA（14x18）
  • 100-LQFP
  • 100-TBGA
  • 100-TBGA（14x18）
  • 100-TFBGA
  • 100-TQFP
  • 100-VBGA
  • 100-VFBGA
  • 107-TFBGA
  • 108-BPGA
  • 119-BGA
  • 120-LQFP
  • 121-WFBGA
  • 126-TFBGA
  • 128-LQFP
  • 130-VFBGA
  • 130-VFBGA（8x9）
  • 132-BQFP 缓冲式
  • 132-LBGA
  • 132-TBGA
  • 132-VBGA
  • 134-VFBGA
  • 134-WFBGA
  • 137-TFBGA
  • 137-VFBGA
  • 144-LBGA
  • 144-LFBGA
  • 144-TBGA
  • 149-WFBGA
  • 152-LBGA
  • 152-TBGA
  • 152-VBGA
  • 153-FBGA
  • 153-LFBGA
  • 153-TFBGA
  • 153-TFBGA（11.5x13）
  • 153-VFBGA
  • 153-WFBGA
  • 153-WFBGA（11.5x13）
  • 162-VFBGA
  • 165-LBGA
  • 165-TBGA
  • 168-VFBGA
  • 168-WFBGA
  • 169-LFBGA
  • 169-TFBGA
  • 169-TFBGA（14x18）
  • 169-VFBGA
  • 169-VFBGA（14x18）
  • 170-TFBGA
  • 172-LFBGA
  • 176-LQFP
  • 180-TFBGA
  • 200-TFBGA
  • 200-VFBGA
  • 200-WFBGA
  • 208-BFQFP
  • 208-LFBGA
  • 216-WFBGA
  • 240-WFBGA
  • 241-BGA
  • 253-VFBGA
  • 256-LBGA
  • 256-WFBGA
  • 260-BGA
  • 272-BGA
  • 272-LFBGA
  • 272-VFBGA
  • 272-WFBGA
  • 361-BBGA，FCBGA
  • 366-VFBGA
  • 366-WFBGA
  • 376-WFBGA
  • 432-VFBGA
  • 484-FBGA
  • 556-VFBGA
  • 556-WFBGA
  • SC-74A，SOT-753
  • SDRAM - Mobile LPDDR4
  • SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
  • SOT-23-6
  • SOT-23-8
  • TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
  • TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 垫板安装
  • 模具
  • 表面贴装
  • 表面贴装型
  • 表面贴装，可润湿侧翼
  • 通孔
清除
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IS49NLS96400-33BL
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：DRAM
2存储容量2：576Mb （64M x 9）
3存储器接口3：20ns
4电压-电源4：1.7V ~ 1.9V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：144-TFBGA
封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6800
包装： 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IS49NLS96400-33BL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ISSI/芯成' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS96400-33BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS96400-33BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS96400-33BL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
品牌： MICRON/美光 Micron Technology Inc. 美光科技
描述： IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：闪存
2存储容量2：512Gb （64G x 8）
3存储器接口3：-
4电压-电源4：2.7V ~ 3.6V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：132-LBGA
封装：132-LBGA（12x18）
料号：C1-6801
包装： 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MICRON/美光' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MTFC64GJDDN-4M IT
品牌： MICRON/美光 Micron Technology Inc. 美光科技
描述： IC FLASH 512K MMC 169LFBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：闪存
2存储容量2：512Kb （64K x 8）
3存储器接口3：-
4电压-电源4：1.65V ~ 3.6V
6工作温度6：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：169-LFBGA
封装：169-LFBGA（14x18）
料号：C1-6802
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTFC64GJDDN-4M IT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MICRON/美光' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GJDDN-4M IT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GJDDN-4M IT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GJDDN-4M IT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MTFC64GJDDN-4M IT TR
品牌： MICRON/美光 Micron Technology Inc. 美光科技
描述： IC FLASH 512K MMC 169LFBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：闪存
2存储容量2：512Kb （64K x 8）
3存储器接口3：-
4电压-电源4：1.65V ~ 3.6V
6工作温度6：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：169-LFBGA
封装：169-LFBGA（14x18）
料号：C1-6803
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTFC64GJDDN-4M IT TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MICRON/美光' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GJDDN-4M IT TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GJDDN-4M IT TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GJDDN-4M IT TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
品牌： MICRON/美光 Micron Technology Inc. 美光科技
描述： IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：闪存
2存储容量2：512Gb （64G x 8）
3存储器接口3：2.7V ~ 3.6V
4电压-电源4：0°C ~ 70°C（TA）
6工作温度6：表面贴装型
外壳：132-LBGA（12x18）
封装：
料号：C1-6804
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MICRON/美光' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DS1249W-100#
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：NVSRAM
2存储容量2：2Mb （256K x 8）
3存储器接口3：100ns
4电压-电源4：3V ~ 3.6V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：32-DIP 模块(15.24mm)
封装：32-EDIP
料号：C1-6805
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DS1249W-100#' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1249W-100#' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1249W-100#' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DS1249W-100#' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IS49NLC18320-33BLI
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
类别： 存储器
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6工作温度6：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：144-TFBGA
封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6806
包装： 托盘
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型号： IS49NLC36160-33BLI
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
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类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：DRAM
2存储容量2：576Mb （16M x 36）
3存储器接口3：20ns
4电压-电源4：1.7V ~ 1.9V
6工作温度6：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：144-TFBGA
封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6807
包装： 托盘
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型号： IS49NLC96400-33BLI
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
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5存储器类型5：易失
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封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6808
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLC96400-33BLI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLC96400-33BLI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：DRAM
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封装：144-FCBGA（11x18.5）
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品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：DRAM
2存储容量2：576Mb （64M x 9）
3存储器接口3：20ns
4电压-电源4：1.7V ~ 1.9V
6工作温度6：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：144-TFBGA
封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6810
包装： 托盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A TR
品牌： MICRON/美光 Micron Technology Inc. 美光科技
描述： IC FLASH 64G PARALLEL 52VLGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：闪存
2存储容量2：64Gb （8G x 8）
3存储器接口3：2.7V ~ 3.6V
4电压-电源4：-40°C ~ 85°C（TA）
6工作温度6：表面贴装型
外壳：52-VLGA（18x14）
封装：
料号：C1-6811
包装： 标准卷带
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MTFC64GAJAEDN-AIT TR
品牌： MICRON/美光 Micron Technology Inc. 美光科技
描述： IC FLASH 512G MMC 169LFBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC
类别： 存储器
5存储器类型5：非易失
1存储器格式1：闪存
2存储容量2：512Gb （64G x 8）
3存储器接口3：-
4电压-电源4：-
6工作温度6：-40°C ~ 85°C（TA）
外壳：169-LFBGA
封装：169-LFBGA（14x18）
料号：C1-6812
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MTFC64GAJAEDN-AIT TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MICRON/美光' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GAJAEDN-AIT TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GAJAEDN-AIT TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MTFC64GAJAEDN-AIT TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IS49NLC18320-33B
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：DRAM
2存储容量2：576Mb （32M x 18）
3存储器接口3：20ns
4电压-电源4：1.7V ~ 1.9V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：144-TFBGA
封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6813
包装： 托盘
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型号： IS49NLC36160-33B
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
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封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6814
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描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
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描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS18320-33B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IS49NLS96400-33B
品牌： ISSI/芯成 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 芯成半导体
描述： IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：DRAM
2存储容量2：576Mb （64M x 9）
3存储器接口3：20ns
4电压-电源4：1.7V ~ 1.9V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：144-TFBGA
封装：144-FCBGA（11x18.5）
料号：C1-6817
包装： 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IS49NLS96400-33B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ISSI/芯成' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS96400-33B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS96400-33B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IS49NLS96400-33B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 7027L35G
品牌： Renesas(IDT)/瑞萨 IDT, Integrated Device Technology Inc (艾迪特)->瑞萨
描述： IC SRAM 512K PARALLEL 108PGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:Renesas(IDT)/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *2存储容量2:512Kb （32K x 16） 存储器组织: *3存储器接口3:35ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：SRAM
2存储容量2：512Kb （32K x 16）
3存储器接口3：35ns
4电压-电源4：4.5V ~ 5.5V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：108-BPGA
封装：108-PGA（30.48X30.48）
料号：C1-6818
包装： 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '7027L35G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas(IDT)/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '7027L35G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '7027L35G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '7027L35G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 70T3339S133BC8
品牌： Renesas(IDT)/瑞萨 IDT, Integrated Device Technology Inc (艾迪特)->瑞萨
描述： IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
参数： 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Kb （64K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:166MHz 系列:- 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:Maxim Integrated 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:NVSRAM 技术:NVSRAM（非易失性 SRAM） *2存储容量2:2Mb （256K x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:100ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:64Gb （8G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:2.7V ~ 3.6V 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列: 制造商:MICRON/美光 制造商统称:未设定 制造商统称:Micron Technology Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:非易失 *1存储器格式1:闪存 技术:闪存 - NAND *2存储容量2:512Gb （64G x 8） 存储器组织: *3存储器接口3:- 时钟频率:MMC 写周期时间 - 字，页:MMC 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （16M x 36） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （32M x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:ISSI/芯成 制造商统称:未设定 制造商统称:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:DRAM 技术:DRAM *2存储容量2:576Mb （64M x 9） 存储器组织: *3存储器接口3:20ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:300MHz 系列:- 制造商:Renesas(IDT)/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 双端口，异步 *2存储容量2:512Kb （32K x 16） 存储器组织: *3存储器接口3:35ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:并联 系列:- 制造商:Renesas(IDT)/瑞萨 制造商统称:未设定 制造商统称:IDT, Integrated Device Technology Inc 类目:未设 替代选料:未设定 *5存储器类型5:易失 *1存储器格式1:SRAM 技术:SRAM - 双端口，同步 *2存储容量2:9Mb （512K x 18） 存储器组织: *3存储器接口3:4.2ns 时钟频率:并联 写周期时间 - 字，页:133MHz
类别： 存储器
5存储器类型5：易失
1存储器格式1：SRAM
2存储容量2：9Mb （512K x 18）
3存储器接口3：4.2ns
4电压-电源4：2.4V ~ 2.6V
6工作温度6：0°C ~ 70°C（TA）
外壳：256-LBGA
封装：256-CABGA（17x17）
料号：C1-6819
包装： 标准卷带
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '70T3339S133BC8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '70T3339S133BC8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '70T3339S133BC8' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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