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元器件型号：690 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ZDC834ATA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP DUAL 47PF SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：51.7pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-302
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDC834ATA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC834ATA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC834ATA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC834ATA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZV831BV2TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V 15PF SOD-523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：15.75pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E1-303
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZV831BV2TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV831BV2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV831BV2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV831BV2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZV933V2TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 12V 150Q SOD-523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：12pF @ 4V，50MHz
2电容比2：12pF @ 4V，50MHz
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E1-304
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZV933V2TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV933V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV933V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV933V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZMDC831BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V 15PF SC70-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：15.75pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E1-305
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMDC831BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMDC831BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMDC831BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMDC831BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZMDC953TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR LV 45PF SC70-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：37pF @ 1.5V，1MHz
2电容比2：2
3电容比条件3：C0.5/C2.5
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E1-306
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMDC953TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMDC953TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMDC953TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMDC953TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZV950V2TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR LV 500Q SOD-523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：7.8pF @ 1.5V，1MHz
2电容比2：2
3电容比条件3：C0.5/C2.5
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E1-307
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZV950V2TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV950V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV950V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV950V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ZV953V2TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR LV 250Q SOD-523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：37pF @ 1.5V，1MHz
2电容比2：2
3电容比条件3：C0.5/C2.5
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E1-308
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZV953V2TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV953V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV953V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZV953V2TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZDC833ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP DUAL 33PF SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：36.3pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-309
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDC833ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC833ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC833ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC833ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZDC834ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP DUAL 47PF SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：51.7pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-310
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZDC834ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC834ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC834ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZDC834ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MA2SV0200L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE VARIABLE CAP 6V SSMINI-2P
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：9pF @ 4V，1MHz
2电容比2：2.6
3电容比条件3：C1/C4
4反向击穿电压最大值(V)4：6V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-80
封装：SS迷你型2-F2
料号：E1-311
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA2SV0200L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SV0200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SV0200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SV0200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MA2SV0400L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE VARIABLE CAP 6V SSMINI-2P
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：6.4pF @ 3V，1MHz
2电容比2：6.4pF @ 3V，1MHz
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：6V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-80
封装：SS迷你型2-F2
料号：E1-312
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA2SV0400L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SV0400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SV0400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SV0400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV105GLT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
2不同vr,f时电容2：-
2电容比2：-
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：-
1二极管类型1：-
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-313
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV105GLT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV105GLT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV105GLT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV105GLT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBV109LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
2不同vr,f时电容2：-
2电容比2：-
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：-
1二极管类型1：-
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-314
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV109LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV2101LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：7.5pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
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4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-315
包装：
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:400 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：16.5pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
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1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-316
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描述： DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:400 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：36.3pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-317
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV2109LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2109LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBV3102LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:400 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
2不同vr,f时电容2：-
2电容比2：-
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：-
1二极管类型1：-
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-318
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV3102LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV432LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 14V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:400 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:48.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:14V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 2V，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：48.1pF @ 2V，1MHz
2电容比2：2
3电容比条件3：C2/C8
4反向击穿电压最大值(V)4：14V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-319
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV432LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV432LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV432LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV432LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态：
型号： MMBV609LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 20V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:400 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:48.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:14V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 2V，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:-
替代：
2不同vr,f时电容2：-
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4反向击穿电压最大值(V)4：-
1二极管类型1：-
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-320
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型号： MMBV809LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 20V SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:12pF @ 4V，50MHz *2电容比2:12pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.8pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:37pF @ 1.5V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C0.5/C2.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 0.5V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:51.7pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9pF @ 4V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C1/C4 *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.4pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.4pF @ 3V，1MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:6V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:400 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:48.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:14V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:150 @ 2V，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:- *2电容比2:- *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:- *1二极管类型1:- 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:75 @ 3V，500MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：6.1pF @ 2V，1MHz
2电容比2：2.6
3电容比条件3：C2/C8
4反向击穿电压最大值(V)4：20V
1二极管类型1：单路
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-321
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV809LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV809LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV809LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV809LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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