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元器件型号：690 件
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状态： 在售
型号： ZC833BNTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARIABLE CAP SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：34.65pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-362
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC833BNTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BNTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BNTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BNTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZC833BNTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARIABLE CAP SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：34.65pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-363
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC833BNTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BNTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BNTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BNTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZC833BTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARIABLE CAP SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：34.65pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-364
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC833BTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZC834BTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARIABLE CAP SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：49.35pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC834BTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC834BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC834BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC834BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZC835ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：74.8pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC835ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZC835BTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARIABLE CAP SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：71.4pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-367
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC835BTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：110pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-368
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC836ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC836ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC836ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：105pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
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参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：4pF @ 4V，50MHz
2电容比2：4pF @ 4V，50MHz
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-370
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC931TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：5.5pF @ 4V，50MHz
2电容比2：5.5pF @ 4V，50MHz
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-371
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC932TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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型号： ZC934ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAPACITANCE SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：25pF @ 4V，50MHz
2电容比2：25pF @ 4V，50MHz
3电容比条件3：-
4反向击穿电压最大值(V)4：12V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-373
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC934ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC934ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC934ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC934ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZMV829ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：9.02pF @ 2V，1MHz
2电容比2：5.8
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-375
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV829ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZMV829BTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：8.61pF @ 2V，1MHz
2电容比2：5.8
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-376
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV829BTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： ZMV830ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：11pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-377
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV830ATC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZMV830BTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：10.5pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-378
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型号： ZMV831ATC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：16.5pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
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外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-379
包装：
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型号： ZMV831BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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2不同vr,f时电容2：15.75pF @ 2V，1MHz
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3电容比条件3：C2/C20
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1二极管类型1：单路
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描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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2不同vr,f时电容2：15.75pF @ 2V，1MHz
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3电容比条件3：C2/C20
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1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-381
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV831BTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：24.2pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-382
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV832ATC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： ZMV832BTC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:74.8pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:110pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:100 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:4pF @ 4V，50MHz *2电容比2:4pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.5pF @ 4V，50MHz *2电容比2:5.5pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 4V，50MHz *2电容比2:25pF @ 4V，50MHz *3电容比条件3:- *4反向击穿电压最大值(V)4:12V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:80 @ 4V，50MHz *6工作温度:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:9.02pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:11pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:15.75pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：23.1pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-383
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV832BTC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV832BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV832BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV832BTC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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