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元器件型号：690 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ZC834BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP 47PF 25V SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：49.35pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E1-404
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC834BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC834BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC834BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC834BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZMV829BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP 8.2PF 25V SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：8.61pF @ 2V，1MHz
2电容比2：5.8
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-405
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV829BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV829BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ZMV832BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP 22PF 25V SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：23.1pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-406
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV832BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV832BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV832BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV832BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ZMV834BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VAR CAP 47PF 25V SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：49.35pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-407
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV834BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV834BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV834BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV834BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ZMV830BTA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE VARACTOR 25V HYPER SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：10.5pF @ 2V，1MHz
2电容比2：6
3电容比条件3：C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4：25V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-408
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV830BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV830BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV830BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV830BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MA2C8400BF
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE VARIABLE CAP 32V DO-34
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
2不同vr,f时电容2：5.7pF @ 10V，1MHz
2电容比2：3.4
3电容比条件3：C2/C10
4反向击穿电压最大值(V)4：32V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：DO-204AG，DO-34，轴向
封装：DO-34
料号：E1-409
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA2C8400BF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2C8400BF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2C8400BF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2C8400BF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： BB148,135
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：2.75pF @ 28V，1MHz
2电容比2：15
3电容比条件3：C1/C28
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-410
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BB148,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB148,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB148,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB148,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BB804,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE VHF VAR CAP DUAL SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：46.5pF @ 2V，1MHz
2电容比2：1.75
3电容比条件3：C2/C8
4反向击穿电压最大值(V)4：18V
1二极管类型1：1 对共阴极
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E1-411
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BB804,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB804,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB804,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB804,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBV109LT3
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：32pF @ 3V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C3/C25
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-412
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV109LT3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV109LT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：32pF @ 3V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C3/C25
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-413
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV109LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV109LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV2107LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：24.2pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-414
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV2107LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2107LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2107LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2107LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBV2107LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：24.2pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-415
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV2107LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2107LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2107LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MMBV2108LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：29.7pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-416
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV2108LT1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2108LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV2108LT1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV2108LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：29.7pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-417
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV2108LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MMBV409LT1
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 20V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：32pF @ 3V，1MHz
2电容比2：1.9
3电容比条件3：C3/C8
4反向击穿电压最大值(V)4：20V
1二极管类型1：单路
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-418
包装：
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描述： DIODE TUNING SS 20V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：32pF @ 3V，1MHz
2电容比2：1.9
3电容比条件3：C3/C8
4反向击穿电压最大值(V)4：20V
1二极管类型1：单路
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-419
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV409LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV409LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV409LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV409LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBV809LT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING SS 20V SOT-23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:75 @ 3V，500MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：6.1pF @ 2V，1MHz
2电容比2：2.6
3电容比条件3：C2/C8
4反向击穿电压最大值(V)4：20V
1二极管类型1：单路
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E1-420
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV809LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV809LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV809LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV809LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MMVL109T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING 30V SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:75 @ 3V，500MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：32pF @ 3V，1MHz
2电容比2：6.5
3电容比条件3：C3/C25
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-421
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMVL109T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL109T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL109T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL109T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMVL2101T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING 30V SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:75 @ 3V，500MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：7.5pF @ 4V，1MHz
2电容比2：3.2
3电容比条件3：C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-422
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL2101T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMVL3102T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE TUNING 30V SOD-323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:8.61pF @ 2V，1MHz *2电容比2:5.8 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:250 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:23.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:49.35pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:10.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:6 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:5.7pF @ 10V，1MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C2/C10 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V，1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:46.5pF @ 2V，1MHz *2电容比2:1.75 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:18V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr，f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:24.2pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:350 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:29.7pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:300 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V，1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:75 @ 3V，500MHz *6工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V，1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V，1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:450 @ 4V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:25pF @ 3V，1MHz *2电容比2:4.8 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr，f 时的 q 值:200 @ 3V，50MHz *6工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
2不同vr,f时电容2：25pF @ 3V，1MHz
2电容比2：4.8
3电容比条件3：C3/C25
4反向击穿电压最大值(V)4：30V
1二极管类型1：单路
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E1-423
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMVL3102T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL3102T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL3102T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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