元器件型号:690
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MMVL409T1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE PIN SWITCHING 20V SOD-323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz
2电容比2:1.9
3电容比条件3:C3/C8
4反向击穿电压最大值(V)4:20V
1二极管类型1:单路
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-424
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMVL409T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL409T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL409T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL409T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MMVL809T1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE PIN SWITCHING 20V SOD-323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz
2电容比2:2.6
3电容比条件3:C2/C8
4反向击穿电压最大值(V)4:20V
1二极管类型1:单路
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-425
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMVL809T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL809T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL809T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMVL809T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MV104RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING FM DUAL 32V TO-92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz
2电容比2:2.8
3电容比条件3:C3/C30
4反向击穿电压最大值(V)4:32V
1二极管类型1:1 对共阴极
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:E1-426
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV104RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV104RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV104RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV104RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MV209RLRA
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING EPICAP 30V TO-92
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔
替代:
2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz
2电容比2:6.5
3电容比条件3:C3/C25
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:E1-427
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV209RLRA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV209RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV209RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV209RLRA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MV2101
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING 30V 6.8PF TO92-2
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz
2电容比2:3.2
3电容比条件3:C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)
封装:TO-92
料号:E1-428
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2101' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: MV2101G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING 30V 6.8PF TO92-2
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz
2电容比2:3.2
3电容比条件3:C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)
封装:TO-92
料号:E1-429
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2101G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2101G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2101G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2101G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MV2105
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING 30V 15PF TO92-2
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔
替代:
2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz
2电容比2:3.2
3电容比条件3:C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:150°C(TJ)
外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)
封装:TO-92
料号:E1-430
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2105' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2105' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MV2109RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING 30V 33PF TO92-2
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔
替代:
2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz
2电容比2:3.2
3电容比条件3:C2/C30
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-
外壳:TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC)
封装:TO-92
料号:E1-431
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MV2109RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2109RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2109RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MV2109RLRAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ZC833BTA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE VARACTOR CAP SOT23-3
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz
2电容比2:6.5
3电容比条件3:C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4:25V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E1-432
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC833BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC833BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ZC835BTA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE VARACTOR CAP SOT23-3
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz
2电容比2:6.5
3电容比条件3:C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4:25V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E1-433
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC835BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC835BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: ZC836BTA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE VARACTOR CAP SOT23-3
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz
2电容比2:6.5
3电容比条件3:C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4:25V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E1-434
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZC836BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC836BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC836BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZC836BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ZMV833BTA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE VARACTOR 25V SOD323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz
2电容比2:6.5
3电容比条件3:C2/C20
4反向击穿电压最大值(V)4:25V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-435
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMV833BTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV833BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV833BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMV833BTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MMBV105GLT1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE TUNING SS 30V SOT23
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz
2电容比2:6.5
3电容比条件3:C3/C25
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:250 @ 3V,50MHz
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3(TO-236)
料号:E1-436
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV105GLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV105GLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV105GLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV105GLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: SMV1233-011LF
品牌: Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述: DIODE VARACTOR 15V 20MA SOD-323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz
2电容比2:3.3
3电容比条件3:C1/C6
4反向击穿电压最大值(V)4:15V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-437
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMV1233-011LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1233-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1233-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1233-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SMV1235-011LF
品牌: Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述: DIODE VARACTOR 15V 20MA SOD-323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz
2电容比2:3.4
3电容比条件3:C1/C6
4反向击穿电压最大值(V)4:15V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-438
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMV1235-011LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1235-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1235-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: SMV1283-011LF
品牌: Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述: DIODE VARACTOR 26V 20MA SOD-323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.75pF @ 26V,1MHz *2电容比2:14.7 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:0.75pF @ 26V,1MHz
2电容比2:14.7
3电容比条件3:C1/C26
4反向击穿电压最大值(V)4:28V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-439
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMV1283-011LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1283-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1283-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1283-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SVC383T-TL-E
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE VARACTOR 33V CPH3
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.75pF @ 26V,1MHz *2电容比2:14.7 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:27pF @ 6.5V,1MHz *2电容比2:24.5 *3电容比条件3:C1/C6.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:33V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 1V,1MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:27pF @ 6.5V,1MHz
2电容比2:24.5
3电容比条件3:C1/C6.5
4反向击穿电压最大值(V)4:33V
1二极管类型1:1 对共阴极
6工作温度:125°C(TJ)
外壳:SC-96
封装:3-CPH
料号:E1-440
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SVC383T-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SVC383T-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: BB149,135
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE UHF VAR CAP 30V SOD323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.75pF @ 26V,1MHz *2电容比2:14.7 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:27pF @ 6.5V,1MHz *2电容比2:24.5 *3电容比条件3:C1/C6.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:33V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 1V,1MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.25pF @ 28V,1MHz *2电容比2:10 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:2.25pF @ 28V,1MHz
2电容比2:10
3电容比条件3:C1/C28
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-441
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BB149,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB149,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB149,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB149,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SMV1265-011LF
品牌: Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述: DIODE VARACTOR 30V 20MA SOD323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.75pF @ 26V,1MHz *2电容比2:14.7 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:27pF @ 6.5V,1MHz *2电容比2:24.5 *3电容比条件3:C1/C6.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:33V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 1V,1MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.25pF @ 28V,1MHz *2电容比2:10 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.83pF @ 26V,1MHz *2电容比2:19.5 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:0.83pF @ 26V,1MHz
2电容比2:19.5
3电容比条件3:C1/C26
4反向击穿电压最大值(V)4:28V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-442
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMV1265-011LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1265-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1265-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMV1265-011LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BB148,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE VHF VAR CAP 30V SOD323
参数: 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:1.9 *3电容比条件3:C3/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:6.1pF @ 2V,1MHz *2电容比2:2.6 *3电容比条件3:C2/C8 *4反向击穿电压最大值(V)4:20V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:75 @ 3V,500MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:42pF @ 3V,1MHz *2电容比2:2.8 *3电容比条件3:C3/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:32V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:140 @ 3V,100MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:32pF @ 3V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:7.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:450 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:16.5pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:400 @ 4V,50MHz *6工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:36.3pF @ 4V,1MHz *2电容比2:3.2 *3电容比条件3:C2/C30 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 4V,50MHz *6工作温度:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:71.4pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:105pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:100 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:34.65pF @ 2V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C2/C20 *4反向击穿电压最大值(V)4:25V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 3V,50MHz *6工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.8pF @ 25V,1MHz *2电容比2:6.5 *3电容比条件3:C3/C25 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:250 @ 3V,50MHz *6工作温度:250 @ 3V,50MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:1.1pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.3 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:3.6pF @ 6V,50MHz *2电容比2:3.4 *3电容比条件3:C1/C6 *4反向击穿电压最大值(V)4:15V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.75pF @ 26V,1MHz *2电容比2:14.7 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:27pF @ 6.5V,1MHz *2电容比2:24.5 *3电容比条件3:C1/C6.5 *4反向击穿电压最大值(V)4:33V *1二极管类型1:1 对共阴极 不同 vr,f 时的 q 值:200 @ 1V,1MHz *6工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.25pF @ 28V,1MHz *2电容比2:10 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:0.83pF @ 26V,1MHz *2电容比2:19.5 *3电容比条件3:C1/C26 *4反向击穿电压最大值(V)4:28V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V,1MHz *2电容比2:15 *3电容比条件3:C1/C28 *4反向击穿电压最大值(V)4:30V *1二极管类型1:单路 不同 vr,f 时的 q 值:- *6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型
替代:
2不同vr,f时电容2:2.75pF @ 28V,1MHz
2电容比2:15
3电容比条件3:C1/C28
4反向击穿电压最大值(V)4:30V
1二极管类型1:单路
6工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ)
外壳:SC-76,SOD-323
封装:SOD-323
料号:E1-443
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BB148,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB148,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB148,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BB148,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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