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元器件型号：1759 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BAR9002ELE6327XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：80V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-XDFN
封装：TSLP-2-19
料号：E2-181
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR9002ELE6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR9002ELE6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR9002ELE6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR9002ELE6327XTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAR 50-02V H6327
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIODE RF SW 50V 100MA SC79
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：
6工作温度：
外壳：SC-79，SOD-523
封装：PG-SC79-2
料号：E2-182
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR 50-02V H6327' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 50-02V H6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 50-02V H6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 50-02V H6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BA 892-02V H6127
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIODE RF SW 35V 100MA SC79
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：1.1pF @ 3V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：
6工作温度：
外壳：SC-79，SOD-523
封装：PG-SC79-2
料号：E2-183
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA 892-02V H6127' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA 892-02V H6127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA 892-02V H6127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA 892-02V H6127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： JDP2S02AFS(TPL3)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF DIODE PIN 30V FSC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：FSC
料号：E2-184
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JDP2S02AFS(TPL3)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JDP2S02AFS(TPL3)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JDP2S02AFS(TPL3)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JDP2S02AFS(TPL3)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BA592E6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF DIODE STANDARD 35V SOD323-2
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial
替代：
1二极管类型1：标准 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：1.1pF @ 3V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：500 毫欧 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：PG-SOD323-2
料号：E2-185
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA592E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA592E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA592E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA592E6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT1705WH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：4V
3最大值电流(A)3：130mA
4不同?vr,f时的电容4：0.75pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：PG-SOT323-3
料号：E2-186
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT1705WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT1705WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT1705WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT1705WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAR6403WE6327HTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 150V 250MW SOD323-2
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：150V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：PG-SOD323-2
料号：E2-187
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR6403WE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR6403WE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR6403WE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR6403WE6327HTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAP50-05,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 250MW TO236AB
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E2-188
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP50-05,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： JDP2S08SC(TPL3)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF DIODE PIN 30V SC2
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，无引线
封装：SC2
料号：E2-189
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JDP2S08SC(TPL3)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JDP2S08SC(TPL3)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JDP2S08SC(TPL3)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JDP2S08SC(TPL3)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMBD354,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：4V
3最大值电流(A)3：30mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：100°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E2-190
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBD354,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD354,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD354,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD354,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAP51-06W,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阳极
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：240mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-191
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-06W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAR6405WH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：150V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：PG-SOT323-3
料号：E2-192
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR6405WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR6405WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR6405WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR6405WH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN771VTE-17
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V UMD2
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.9pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：7 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：UMD2
料号：E2-193
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN771VTE-17' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN771VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN771VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN771VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RN779FT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V UMD3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.9pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：7 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E2-194
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN779FT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN779FT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN779FT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN779FT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RN739FT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 100MW UMD3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E2-195
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN739FT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN739FT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN739FT106' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： BAR 61 E6327
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIODE RF DUAL 100V 140M SOT-143
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - PI 元件 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - PI 元件
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：140mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：
6工作温度：
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：*
料号：E2-196
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR 61 E6327' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 61 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 61 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 61 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MA4P7455CK-287T
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - PI 元件 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：150mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：175°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E2-197
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA4P7455CK-287T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4P7455CK-287T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4P7455CK-287T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4P7455CK-287T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MA4P7433CK-287T
品牌： MACOM/镁可微波 M/A-Com Technology Solutions 镁可微波技术
描述： RF DIODE PIN 75V 250MW SOT23-3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - PI 元件 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:75V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：75V
3最大值电流(A)3：150mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：175°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E2-198
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA4P7433CK-287T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MACOM/镁可微波' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： SMP1320-075LF
品牌： Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述： RF DIODE PIN 50V 250MW SC70-3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - PI 元件 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:75V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50V *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 30V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TA） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50V
4不同?vr,f时的电容4：0.3pF @ 30V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TA）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3
料号：E2-199
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMP1320-075LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMP1320-075LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMP1322-005LF
品牌： Skyworks/思佳讯 Skyworks Solutions Inc. 思佳讯
描述： RF DIODE PIN 50V 250MW SOT23-3
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:80V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:800 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1.1pF @ 3V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:工业级/Industrial 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:130mA *4不同?vr,f时的电容4:0.75pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，10kHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - PI 元件 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:M/A-Com Technology Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:75V *3最大值电流(A)3:150mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:175°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50V *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 30V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TA） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Skyworks Solutions Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 30V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:500 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TA） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 30V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TA）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E2-200
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMP1322-005LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Skyworks/思佳讯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMP1322-005LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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