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元器件型号：1759 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MMBD301LT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：30V
4不同?vr,f时的电容4：1.5pF @ 15V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-401
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD301LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD301LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD301LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD301LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBD301M3T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SOT723
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：30V
4不同?vr,f时的电容4：1.5pF @ 15V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：SOT-723
封装：SOT-723
料号：E2-402
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD301M3T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD301M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD301M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD301M3T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAP64-05W,135
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：240mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-403
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP64-05W,135' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-05W,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-05W,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-05W,135' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAP50LX,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 150MW SOD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOD-882
封装：SOD2
料号：E2-404
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP50LX,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RN262CST2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 30V 100MW VMN2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：100mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：VMN2
料号：E2-405
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN262CST2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN262CST2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN262CST2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN262CST2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD353LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：7V
3最大值电流(A)3：7V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-406
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD353LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD353LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD353LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD353LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD355LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对共阳极
2反向耐压电压最大值(V)2：7V
3最大值电流(A)3：7V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-407
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD355LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD355LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD355LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD355LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBD354LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：7V
3最大值电流(A)3：7V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：225mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-408
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD354LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD354LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD354LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD354LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAP64LX,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 60V 150MW SOD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.3pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOD-882
封装：SOD2
料号：E2-409
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP64LX,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAP64-04W-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： RF DIODE PIN 175V 200MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：175V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-410
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP64-04W-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-04W-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-04W-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-04W-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAP51LX,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 60V 140MW SOD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.3pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：140mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOD-882
封装：SOD2
料号：E2-411
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP51LX,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BA779-HG3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 30V SOT23-3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 0V，100MHz
5功率耗散(最大值)5：50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E2-412
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA779-HG3-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA779-HG3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA779-HG3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA779-HG3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAP51-02,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：715mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E2-413
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP51-02,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-02,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-02,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-02,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： RN242CST2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 30V VMN2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：VMN2
料号：E2-414
包装：
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型号： RN152GT2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 30V VMD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.45pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.45pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：VMD2
料号：E2-415
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN152GT2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： BAP50-02,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 715MW SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.45pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：715mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E2-416
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP50-02,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAP142LX,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 130MW SOD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.45pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.26pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:130mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.26pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：130mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOD-882
封装：SOD2
料号：E2-417
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP142LX,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP142LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP142LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP142LX,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAP65LX,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.45pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.26pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:130mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.37pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:135mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.37pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：135mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SOD-882
封装：SOD2
料号：E2-418
包装：
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合作现货:0
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型号： BAP51-02,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 60V 715MW SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.45pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.26pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:130mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.37pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:135mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：715mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E2-419
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP51-02,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BA779-2-HG3-18
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE RF PIN 30V 50MA SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:3 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:225mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:140mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.45pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:4.8 欧姆 @ 1mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.26pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.3 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:130mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.37pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:135mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:715mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 0V，100MHz
5功率耗散(最大值)5：
6工作温度：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E2-420
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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海外现货:0
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