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元器件型号：1759 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： RN741VTE-17
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V UMD2
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：10 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：UMD2
料号：E2-441
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN741VTE-17' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN741VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN741VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN741VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BA479G-TAP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 30V DO35
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 0V，100MHz
5功率耗散(最大值)5：50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E2-442
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA479G-TAP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479G-TAP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479G-TAP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479G-TAP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BA479G-TR
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 30V DO35
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 0V，100MHz
5功率耗散(最大值)5：50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E2-443
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA479G-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479G-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479G-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479G-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMMBD701LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：70V
3最大值电流(A)3：70V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-444
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMMBD701LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMBD701LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMBD701LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMMBD701LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RN141GT2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V VMD2
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.8pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：2 欧姆 @ 3mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：VMD2
料号：E2-445
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN141GT2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN141GT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN141GT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN141GT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BA479S-TAP
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 30V DO35
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 0V，100MHz
5功率耗散(最大值)5：50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E2-446
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA479S-TAP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479S-TAP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479S-TAP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479S-TAP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： BA479S-TR
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 30V DO35
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 0V，100MHz
5功率耗散(最大值)5：50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：DO-204AH，DO-35，轴向
封装：DO-35
料号：E2-447
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BA479S-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479S-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479S-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BA479S-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAR64V-05W-E3-18
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 100V SOT323
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-448
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR64V-05W-E3-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR64V-05W-E3-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR64V-05W-E3-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR64V-05W-E3-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAP51-05W,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 240MW SOT323-3
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：240mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-449
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP51-05W,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-05W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-05W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-05W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1SV315-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 50V 100MW 3MCP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.23pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：3-MCP
料号：E2-450
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SV315-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： BAP70-05,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 250MW TO236AB
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
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4不同?vr,f时的电容4：0.3pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：E2-451
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP70-05,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： BAP70-04W,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 260MW SOT323-3
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.3pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：260mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-452
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP70-04W,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-04W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-04W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-04W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SV246-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 50V 100MW MCP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.23pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：*
料号：E2-453
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SV246-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SV246-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SV246-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SV246-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAR64V-05W-E3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： RF DIODE PIN 100V SOT323
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-454
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR64V-05W-E3-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR64V-05W-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR64V-05W-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR64V-05W-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RN731KTL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE PIN 50V
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:- *2反向耐压电压最大值(V)2:- *3最大值电流(A)3:- *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：-
2反向耐压电压最大值(V)2：-
3最大值电流(A)3：-
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：-
外壳：-
封装：-
料号：E2-455
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN731KTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN731KTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN731KTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN731KTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SV249-TL-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 50V 100MW 3MCP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:- *2反向耐压电压最大值(V)2:- *3最大值电流(A)3:- *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.23pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：*
料号：E2-456
包装：
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:- *2反向耐压电压最大值(V)2:- *3最大值电流(A)3:- *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.23pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：E2-457
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SV267-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1SV251-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:- *2反向耐压电压最大值(V)2:- *3最大值电流(A)3:- *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.23pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：E2-458
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NSVMMBD354LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:- *2反向耐压电压最大值(V)2:- *3最大值电流(A)3:- *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：7V
3最大值电流(A)3：7V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：300mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-459
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVMMBD354LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMMBD354LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1SV233-TB-E
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:10 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:2 欧姆 @ 3mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 0V，100MHz 不同?if，f 时的电阻:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:9 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.3pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:260mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:- *2反向耐压电压最大值(V)2:- *3最大值电流(A)3:- *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:4.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:7V *3最大值电流(A)3:7V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:300mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.23pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：E2-460
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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