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元器件型号：1759 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DMV1500L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：4A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB
料号：E2-921
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DMV1500LF5
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB F5
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：4A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB F5
料号：E2-922
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500LF5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LF5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LF5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LF5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMV1500LFD
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：4A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB
料号：E2-923
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500LFD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LFD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LFD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LFD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMV1500LFD5
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB F5
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：4A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-220-3 全封装，成形引线
封装：TO-220FPAB F5
料号：E2-924
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500LFD5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LFD5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LFD5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500LFD5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMV1500HFD5
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB F5
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：6A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-220-3 全封装，成形引线
封装：TO-220FPAB F5
料号：E2-925
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500HFD5' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500HFD5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500HFD5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMV1500HFD5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MA27P0700L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE PIN 60V 150MW SSSMINI2-F2
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：SSS迷你型2-F2
料号：E2-926
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA27P0700L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA27P0700L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA27P0700L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA27P0700L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBD301G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE SCHOTTKY 30V 280MW TO92
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：30V
4不同?vr,f时的电容4：1.5pF @ 15V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：280mW
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）
封装：TO-92
料号：E2-927
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBD301G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MBD701G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE SCHOTTKY 70V 280MW TO92
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：70V
3最大值电流(A)3：70V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：280mW
6工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
外壳：TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）
封装：TO-92
料号：E2-928
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBD701G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBD701G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBD701G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBD701G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MMBV3401LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 35V 200MW SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：35V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-929
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV3401LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV3401LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV3401LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV3401LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBV3700LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：200V
3最大值电流(A)3：200V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E2-930
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBV3700LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV3700LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV3700LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBV3700LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPN3700G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE PIN 200V 280MW TO92
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：200V
3最大值电流(A)3：200V
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：280mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）
封装：TO-92
料号：E2-931
包装：
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合作现货:0
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型号： MA27P1100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： RF DIODE PIN 60V SSSMINI2-F2
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
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6工作温度：150°C（TJ）
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：SSS迷你型2-F2
料号：E2-932
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA27P1100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MA2SP0600L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： RF DIODE PIN 60V SSMINI2-F1
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：60V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.6pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SSMINI2-F1
料号：E2-933
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA2SP0600L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SP0600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA2SP0600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ZMS2800TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 250MW SOD323
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：70V
3最大值电流(A)3：15mA
4不同?vr,f时的电容4：2pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E2-934
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMS2800TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMS2800TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMS2800TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： ZMS2811TC
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 15V 250MW SOD323
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:20mA *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：15V
3最大值电流(A)3：20mA
4不同?vr,f时的电容4：1.2pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E2-935
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZMS2811TC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMS2811TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMS2811TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZMS2811TC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DMV1500HDFD
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:20mA *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：6A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：-
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB
料号：E2-936
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500HDFD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DMV1500HDFD6
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE STANDAR 1500V TO220FPABFD6
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:20mA *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V
3最大值电流(A)3：6A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：-
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB FD6
料号：E2-937
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMV1500HDFD6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： STDD15-05WFILM
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： RF DIODE STANDARD 15V SOT323
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:20mA *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:10mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:15 欧姆 @ 5mA，100MHz *6工作温度:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：15V
3最大值电流(A)3：10mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：15 欧姆 @ 5mA，100MHz
6工作温度：-
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-938
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STDD15-05WFILM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STDD15-05WFILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STDD15-05WFILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STDD15-05WFILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FFPF60B150DSTU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE STANDARD 1500V/600V TO220F
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:20mA *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:10mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:15 欧姆 @ 5mA，100MHz *6工作温度:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V，600V *3最大值电流(A)3:20A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：1500V，600V
3最大值电流(A)3：20A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220F
料号：E2-939
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFPF60B150DSTU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFPF60B150DSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFPF60B150DSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFPF60B150DSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FFAF60A150DSTU
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE STANDARD 600V TO3PF
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:4A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:30V *4不同?vr,f时的电容4:1.5pF @ 15V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:70V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:200V *3最大值电流(A)3:200V *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:280mW *6工作温度:125°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.8pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:60V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.2 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:15mA *4不同?vr,f时的电容4:2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:20mA *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V *3最大值电流(A)3:6A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:15V *3最大值电流(A)3:10mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:15 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:15 欧姆 @ 5mA，100MHz *6工作温度:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:1500V，600V *3最大值电流(A)3:20A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:600V *3最大值电流(A)3:20A *4不同?vr,f时的电容4:- 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：600V
3最大值电流(A)3：20A
4不同?vr,f时的电容4：-
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-94
封装：TO-3PF
料号：E2-940
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFAF60A150DSTU' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFAF60A150DSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFAF60A150DSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFAF60A150DSTU' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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