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元器件型号：1759 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BAP50-03-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： RF DIODE PIN 50V 200MW SOD323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：200mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E2-121
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP50-03-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-03-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-03-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP50-03-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MBD770DWT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： RF DIODE SCHOTTKY 70V 380MW SC88
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 2 个独立式
2反向耐压电压最大值(V)2：70V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：380mW
6工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：E2-122
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBD770DWT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBD770DWT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBD770DWT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBD770DWT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DAN235ETL
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE STANDARD 35V 150MW EMD3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：35V
4不同?vr,f时的电容4：1.2pF @ 6V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-75，SOT-416
封装：EMD3
料号：E2-123
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DAN235ETL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DAN235ETL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DAN235ETL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DAN235ETL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAP64-05,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对共阴极
2反向耐压电压最大值(V)2：175V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：250mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E2-124
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP64-05,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-05,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAR 66 E6327
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIODE ARRAY OVP 150V 200MA SOT23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：150V
3最大值电流(A)3：200mA
4不同?vr,f时的电容4：0.6pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：
6工作温度：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：E2-125
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR 66 E6327' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 66 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 66 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 66 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAP64-04W,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：240mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E2-126
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP64-04W,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-04W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-04W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP64-04W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAP70-02,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 415MW SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.25pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：415mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E2-127
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP70-02,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP70-02,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAP51-03,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 500MW SOD323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.35pF @ 5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：500mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E2-128
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP51-03,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-03,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-03,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP51-03,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE PIN 30V 500MW SOD323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：0.375pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：500mW
6工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E2-129
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAP65-03,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP65-03,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP65-03,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAP65-03,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1SV307(TPH3,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： RF DIODE STANDARD 30V USC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：30V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 1V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：USC
料号：E2-130
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SV307(TPH3,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： PMBD353,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：4V
3最大值电流(A)3：30mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：100°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E2-131
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD353,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD353,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： PMBD353,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：4V
3最大值电流(A)3：30mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 0V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：100°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E2-132
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD353,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD353,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD353,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1PS76SB17,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：4V
3最大值电流(A)3：30mA
4不同?vr,f时的电容4：0.65pF @ 0.5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E2-133
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PS76SB17,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS76SB17,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS76SB17,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS76SB17,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAR 14-1 E6327
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：100V
3最大值电流(A)3：140mA
4不同?vr,f时的电容4：0.5pF @ 50V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：
6工作温度：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：E2-134
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAR 14-1 E6327' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 14-1 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 14-1 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAR 14-1 E6327' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： RN731VTE-17
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V 100MW UMD2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.4pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：100mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：UMD2
料号：E2-135
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN731VTE-17' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN731VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN731VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN731VTE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DAP236UT106
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE STANDARD 35V 150MW UMD3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 1 对共阳极
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：35V
4不同?vr,f时的电容4：1.2pF @ 6V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：150mW
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：UMD3
料号：E2-136
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DAP236UT106' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： BAT18,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE STANDARD 35V TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：700 毫欧 @ 5mA，200MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E2-137
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT18,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT18,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT18,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT18,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT18,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE STANDARD 35V TO236AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：标准 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：35V
3最大值电流(A)3：100mA
4不同?vr,f时的电容4：1pF @ 20V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：700 毫欧 @ 5mA，200MHz
6工作温度：125°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：PG-SOT23-3
料号：E2-138
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT18,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1PS79SB17,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： RF DIODE SCHOTTKY 4V SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：肖特基 - 单
2反向耐压电压最大值(V)2：4V
3最大值电流(A)3：30mA
4不同?vr,f时的电容4：0.65pF @ 0.5V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：-
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E2-139
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PS79SB17,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RN779DT146
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： RF DIODE PIN 50V SMD3
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:200mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 2 个独立式 *2反向耐压电压最大值(V)2:70V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:380mW *6工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对共阴极 *2反向耐压电压最大值(V)2:175V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:250mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:150V *3最大值电流(A)3:200mA *4不同?vr,f时的电容4:0.6pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:240mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.25pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.9 欧姆 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:415mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.35pF @ 5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:2.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:0.375pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:350 毫欧 @ 100mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:500mW *6工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:30V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 1V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:1.5 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 0V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:100°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:100V *3最大值电流(A)3:140mA *4不同?vr,f时的电容4:0.5pF @ 50V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5: *6工作温度: 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.4pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:100mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 1 对共阳极 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:35V *4不同?vr,f时的电容4:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:900 毫欧 @ 2mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:150mW *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:标准 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:35V *3最大值电流(A)3:100mA *4不同?vr,f时的电容4:1pF @ 20V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *5功率耗散(最大值)5:700 毫欧 @ 5mA，200MHz *6工作温度:125°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:肖特基 - 单 *2反向耐压电压最大值(V)2:4V *3最大值电流(A)3:30mA *4不同?vr,f时的电容4:0.65pF @ 0.5V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:- *5功率耗散(最大值)5:- *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:- 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型1:PIN - 1 对串联 *2反向耐压电压最大值(V)2:50V *3最大值电流(A)3:50mA *4不同?vr,f时的电容4:0.9pF @ 35V，1MHz 不同?if，f 时的电阻:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *5功率耗散(最大值)5:7 欧姆 @ 10mA，100MHz *6工作温度:150°C（TJ） 元器件等级:-
替代：
1二极管类型1：PIN - 1 对串联
2反向耐压电压最大值(V)2：50V
3最大值电流(A)3：50mA
4不同?vr,f时的电容4：0.9pF @ 35V，1MHz
5功率耗散(最大值)5：7 欧姆 @ 10mA，100MHz
6工作温度：150°C（TJ）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SMD3
料号：E2-140
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN779DT146' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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