元器件型号:41140
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: VS-50WQ04FNTRLPBF
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:5.5A
7不同if时电压-正向(vf)7:510mV @ 5A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:3mA @ 40V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E3-261
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-50WQ04FNTRLPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: VS-50WQ04FNTRPBF
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:5.5A
7不同if时电压-正向(vf)7:510mV @ 5A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:3mA @ 40V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E3-262
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-50WQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: VS-50WQ04FNTRRPBF
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:5.5A
7不同if时电压-正向(vf)7:510mV @ 5A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:3mA @ 40V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E3-263
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-50WQ04FNTRRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-50WQ04FNTRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: VI20150SG-E3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO262AA
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:20A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.6V @ 20A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:200µA @ 150V
8工作温度-结8:-55°C ~ 15
外壳:TO-262-3,长引线,I²PAK,TO-262AA
封装:TO-262AA
料号:E3-264
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VI20150SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI20150SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI20150SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI20150SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: VS-6TQ035HN3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 35V 6A TO220AC
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:6A
7不同if时电压-正向(vf)7:600mV @ 6A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:800µA @ 35V
8工作温度-结8:-55°C ~ 17
外壳:TO-220-2
封装:TO-220AC
料号:E3-265
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-6TQ035HN3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-6TQ035HN3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-6TQ035HN3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-6TQ035HN3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: V20100S-M3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:20A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.07V @ 20A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
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外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:E3-266
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型号: MBR2045EMFST1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
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外壳:8-POWERTDFN,5 引线
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
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1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
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外壳:8-POWERTDFN,5 引线
封装:5-DFN,8-SO 扁引线(5X6)
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包装:
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型号: V10150SHM3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
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参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
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8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:E3-269
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V10150SHM3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:30A
7不同if时电压-正向(vf)7:1V @ 30A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:350µA @ 100V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:E3-270
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V30100SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V30100SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V30100SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V30100SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: VS-6TQ045HN3
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO220AC
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:6A
7不同if时电压-正向(vf)7:600mV @ 6A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:800µA @ 45V
8工作温度-结8:-55°C ~ 17
外壳:TO-220-2
封装:TO-220AC
料号:E3-271
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-6TQ045HN3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBRB7H60HE3/45
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:7.5A
7不同if时电压-正向(vf)7:730mV @ 7.5A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:50µA @ 60V
8工作温度-结8:-65°C ~ 17
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263(D2PAK)
料号:E3-272
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB7H60HE3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB7H60HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB7H60HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB7H60HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: V20100SGHM3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 20A 100V TO-220AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:20A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.07V @ 20A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:350µA @ 100V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:E3-273
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V20100SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V20100SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V20100SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V20100SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MBR30H100MFST1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:30A
7不同if时电压-正向(vf)7:900mV @ 30A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:100µA @ 100V
8工作温度-结8:-55°C ~ 15
外壳:8-POWERTDFN,5 引线
封装:5-DFN,8-SO 扁引线(5X6)
料号:E3-274
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR30H100MFST1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR30H100MFST1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR30H100MFST1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR30H100MFST1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态: 在售
型号: BYV29B-300HE3/45
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:标准
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:8A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.25V @ 8A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:50ns
4不同vr的电流-反向漏电流4:10µA @ 300V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E3-275
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYV29B-300HE3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV29B-300HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV29B-300HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: BYV29B-400HE3/45
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:标准
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:8A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.25V @ 8A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:50ns
4不同vr的电流-反向漏电流4:10µA @ 400V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-263-3,D²PAK(2 引线+接片),TO-263AB
封装:TO-263AB
料号:E3-276
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BYV29B-400HE3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV29B-400HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BYV29B-400HE3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMSH3-100 BK
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMC
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:100V
2平均整流电流(io)2:3A
7不同if时电压-正向(vf)7:
6速度6:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:
4不同vr的电流-反向漏电流4:
8工作温度-结8:
外壳:DO-214AB,SMC
封装:SMC
料号:E3-277
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSH3-100 BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: VS-8EWS10STRLPBF
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代:
1二极管类型1:标准
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:8A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.1V @ 8A
6速度6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:50µA @ 1000V
8工作温度-结8:-55°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E3-278
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-8EWS10STRLPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWS10STRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CN649 TR
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE GP 600V 400MA DO-41SP
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V,1MHz 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:标准
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:400mA
7不同if时电压-正向(vf)7:1V @ 400mA
6速度6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:200nA @ 600V
8工作温度-结8:-65°C ~ 15
外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
封装:DO-41
料号:E3-279
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CN649 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CN649 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: V20120SGHM3/4W
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-220AB
参数: 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:5.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:510mV @ 5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:3mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:405pF @ 5V,1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:640mV @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:400µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:600µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6A *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 6A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:800µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:400pF @ 5V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:7.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 7.5A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.07V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:350µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:900mV @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V,1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代:
1二极管类型1:肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3:
2平均整流电流(io)2:20A
7不同if时电压-正向(vf)7:1.33V @ 20A
6速度6:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
5反向恢复时间(trr)5:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
4不同vr的电流-反向漏电流4:250µA @ 120V
8工作温度-结8:-40°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:E3-280
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V20120SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V20120SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V20120SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V20120SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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