首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态：
型号： BAT54-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：800mV @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：5ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2µA @ 25V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E3-21
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 爆款
型号： 1N4148WT
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SC-79，SOD-523F
封装：SOD-523F
料号：E3-22
包装：
￥0.07 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
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1~2周可到达
状态：
型号： 1N4148WS
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SOD-323F
料号：E3-23
包装： 3000个/
￥0.05 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148WS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DB2J31000L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI2
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：470mV @ 200mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：1.6ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 30V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SMINI2-F5-B
料号：E3-24
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2J31000L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2J31000L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2J31000L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N4004
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-25
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4004' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4004' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态：
型号： 1N4007
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-26
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4007' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1N4148W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 300MA SOD123
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：300mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
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4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-27
包装： 3000个/ 卷盘
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MMBD914
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
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7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
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4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E3-28
包装：
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海外现货:0
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个
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1~2周可到达
状态：
型号： 1N4148WS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
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1二极管类型1：标准
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4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-29
包装： 3000个/ 卷盘
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总额：
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD4148-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E3-30
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 1N4448W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：250mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2.5µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-31
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4448W-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4448W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4448W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4448W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RB751S40
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：30mA
7不同if时电压-正向(vf)7：370mV @ 1mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 10V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：SC-79，SOD-523F
封装：SOD-523F
料号：E3-32
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB751S40' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB751S40' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB751S40' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB751S40' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD4148
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E3-33
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD4148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAV16W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD123
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-34
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV16W-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV16W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：1.8µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 400V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：E3-35
包装： 2000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： RB521S30T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 200mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：30µA @ 10V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-36
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB521S30T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB521S30T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB521S30T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 热销
型号： 1N4148WT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：125mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 50mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 75V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-37
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148WT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1SS355TE-17
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.2V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：UMD2
料号：E3-38
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SS355TE-17' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS355TE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS355TE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS355TE-17' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT54WS-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD323
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:4.5pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:300mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：5ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2µA @ 25V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-39
包装： 3000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54WS-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： S1A
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
参数： 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:470mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:1.6ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 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200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：1.8µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 50V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：E3-40
包装： 2000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S1A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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