首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： HSM1100JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：840mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 100V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-214BA
封装：DO-214BA
料号：E3-421
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM1100JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： HSM120JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMAJ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：-
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-422
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM120JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM120JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： HSM130JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMAJ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：-
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-423
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM130JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： HSM140JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMAJ
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：-
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-424
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM140JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM140JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM140JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM140JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： HSM150JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214BA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：690mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 50V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-214BA
封装：DO-214BA
料号：E3-425
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM150JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM150JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM150JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM150JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： HSM160JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214BA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：690mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 60V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-214BA
封装：DO-214BA
料号：E3-426
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM160JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM160JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM160JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM160JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HSM170JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 1A 70V SMAJ
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外壳：
封装：
料号：E3-427
包装：
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合作现货:0
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型号： HSM180JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO214BA
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外壳：DO-214BA
封装：DO-214BA
料号：E3-428
包装：
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型号： HSM190JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO214BA
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1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
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7不同if时电压-正向(vf)7：840mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：DO-214BA
封装：DO-214BA
料号：E3-429
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM190JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SK32/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 3A 20V SMCJ
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替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
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8工作温度-结8：-
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封装：
料号：E3-430
包装：
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合作现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SK33/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 3A
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5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 30V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB
料号：E3-431
包装：
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合作现货:0
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型号： SK34/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 3A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 40V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB
料号：E3-432
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SK34/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK34/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK34/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK34/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FESE16DT-E3/45
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 200V 16A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：16A
7不同if时电压-正向(vf)7：975mV @ 16A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：35ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 200V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-433
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FESE16DT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FESE16DT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FESE16DT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FESE16DT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： NS8ATHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 50V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-434
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8ATHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NS8BTHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 100V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-435
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8BTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8BTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8BTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NS8DTHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 200V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-436
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8DTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8DTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8DTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8DTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NS8GTHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 400V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-437
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8GTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8GTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8GTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8GTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NS8JTHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 600V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-438
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8JTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NS8KTHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
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替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 800V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-439
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8KTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NS8MTHE3_A/P
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:690mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:840mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 90V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:- 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:975mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:175pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:55pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 1000V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-2
封装：TO-220AC
料号：E3-440
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NS8MTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8MTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8MTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NS8MTHE3_A/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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