首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41183 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： V20150SGHM3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-220AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：20A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.6V @ 20A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 150V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E3-561
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V20150SGHM3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： VS-STPS1045BTRLPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：10A
7不同if时电压-正向(vf)7：570mV @ 10A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 45V
8工作温度-结8：-40°C ~ 17
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-562
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-STPS1045BTRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：10A
7不同if时电压-正向(vf)7：570mV @ 10A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 45V
8工作温度-结8：-40°C ~ 17
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-563
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-STPS1045BTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-STPS1045BTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-STPS1045BTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-STPS1045BTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： VS-STPS1045BTRRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：10A
7不同if时电压-正向(vf)7：570mV @ 10A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 45V
8工作温度-结8：-40°C ~ 17
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-564
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-STPS1045BTRRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-STPS1045BTRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-STPS1045BTRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-STPS1045BTRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBRB16H35HE3/81
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：16A
7不同if时电压-正向(vf)7：660mV @ 16A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 35V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-565
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB16H35HE3/81' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB16H35HE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB16H35HE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB16H35HE3/81' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBRB16H45HE3/81
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：16A
7不同if时电压-正向(vf)7：660mV @ 16A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 45V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-566
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CMSH3-100M BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容:
替代：
1二极管类型1：肖特基
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8工作温度-结8：
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：E3-567
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSH3-100M BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSH3-100M BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSH3-100M BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSH3-100M BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-10TQ035S-M3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 35V 10A D2PAK
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz
替代：
1二极管类型1：肖特基
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2平均整流电流(io)2：10A
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4不同vr的电流-反向漏电流4：2mA @ 35V
8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E3-568
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-10TQ035S-M3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-10TQ035S-M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-10TQ035S-M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-10TQ035S-M3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SK310/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 3A 100V SMCJ
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-569
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SK310/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK310/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK310/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK310/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SK35/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 3A 50V SMCJ
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
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5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-570
包装：
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合作现货:0
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型号： SK36/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A
7不同if时电压-正向(vf)7：750mV @ 3A
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5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 60V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB
料号：E3-571
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK36/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK36/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK36/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SK38/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO214AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A
7不同if时电压-正向(vf)7：850mV @ 3A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 80V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB
料号：E3-572
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SK38/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK38/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK38/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK38/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SK38BE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 3A SMB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A
7不同if时电压-正向(vf)7：850mV @ 3A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 80V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：E3-573
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SK38BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK38BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK38BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK38BE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SK39/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 3A 90V SMCJ
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：-
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-574
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SK39/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK39/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK39/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SK39/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 1N5060 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A GPR-1A
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:400V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容:
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：400V
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：
6速度6：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：
8工作温度-结8：
外壳：R-1（轴向）
封装：GPR-1A
料号：E3-575
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5060 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： 1N5061 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:400V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:600V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容:
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：600V
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：
8工作温度-结8：
外壳：R-1（轴向）
封装：GPR-1A
料号：E3-576
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5061 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5061 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5061 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5061 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： BYV29B-300-E3/81
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:400V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:600V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 8A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：50ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 300V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-577
包装：
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合作现货:0
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型号： BYV29B-400-E3/81
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:400V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:600V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 8A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-578
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UGB8FT-E3/81
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
参数： 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.6V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:16A *7不同if时电压-正向(vf)*7:660mV @ 16A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 45V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:100V *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:10A *7不同if时电压-正向(vf)*7:570mV @ 10A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 35V 不同 Vr、F 时电容:900pF @ 5V，1MHz 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:750mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:400V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3:600V *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 300V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
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8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-579
包装：
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状态： 在售
型号： UGB8GT-E3/81
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
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1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
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6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：50ns
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8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-580
包装：
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