首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： S1B
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：1.8µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 100V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：E3-41
包装： 2000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAS516,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：250mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-42
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAS516,135
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：250mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-43
包装：
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型号： BAS516,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：250mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-44
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS516,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS516,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： S1A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：3µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 50V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-45
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S1A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： S1B-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：3µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 100V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-46
包装： 5000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： S1M-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
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4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-47
包装： 5000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S1J-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
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料号：E3-48
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1J-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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状态： 在售
型号： MMSD4148T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-49
包装： 3000个/ 盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMSD4148T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSD4148T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSD4148T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMSD4148T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RB751S40T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：30mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：370mV @ 1mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 30V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-50
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB751S40T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB751S40T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB751S40T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB751S40T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CDSF4148
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA 1005
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 50mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2.5µA @ 75V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：1005（2512 公制）
封装：1005/SOD-323F
料号：E3-51
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDSF4148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSF4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSF4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSF4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CDSU101A
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA 0603
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：50nA @ 75V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603/SOD-523F
料号：E3-52
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDSU101A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSU101A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSU101A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSU101A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SDM10U45-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：800mV @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 25V
8工作温度-结8：-40°C ~ 12
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-53
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDM10U45-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM10U45-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM10U45-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM10U45-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CGRA4004-G
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-54
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGRA4004-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGRA4004-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGRA4004-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGRA4004-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： S1G-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：3µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-55
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S1G-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1G-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1G-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1G-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N4148WS-E3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.2V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 100V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-56
包装： 3000/盘个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4148WS-E3-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4148WS-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT54WX-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：800mV @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：5ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2µA @ 25V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-57
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54WX-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54WX-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54WX-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： CGRA4007-G
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-58
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CGRA4007-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGRA4007-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGRA4007-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CGRA4007-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1SS361LP3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:5ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.23V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.23V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：1µA @ 80V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：2-XFDFN
封装：2-X3-DFN0603
料号：E3-59
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： CDSU4148
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1.8µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:12pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 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*6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50nA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:800mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1µA @ 25V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA 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*2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 50mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2.5µA @ 75V
8工作温度-结8：-40°C ~ 12
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603/SOD-523F
料号：E3-60
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDSU4148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSU4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSU4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSU4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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