首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41183 件
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状态： 在售
型号： VF20150S-E3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 150V 20A ITO220AB
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：20A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.43V @ 20A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 150V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
封装：ITO-220AB
料号：E3-581
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VF20150S-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VF20150S-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： UGB8JT-E3/45
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.75V @ 8A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：50ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：30µA @ 600V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E3-582
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UGB8JT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UGB8JT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VF30120S-M3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 30A 120V ITO220AB
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：30A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 30A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 120V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-220-3 隔离片
封装：ITO-220AB
料号：E3-583
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VF30120S-M3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VF30120S-M3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VF30120S-M3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VF30120S-M3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-8EWF02STRRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.2V @ 8A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：200ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100µA @ 200V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-584
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-8EWF02STRRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWF02STRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWF02STRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWF02STRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HSM320GE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 3A 20V SMCG
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：-
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-585
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM320GE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM320GE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM320GE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HSM320GE3/TR13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： HSM320JE3/TR13
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE SCHOTTKY 3A 20V SMCJ
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：-
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：-
7不同if时电压-正向(vf)7：-
6速度6：-
5反向恢复时间(trr)5：-
4不同vr的电流-反向漏电流4：-
8工作温度-结8：-
外壳：
封装：
料号：E3-586
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HSM320JE3/TR13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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1二极管类型1：-
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合作现货:0
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型号： VS-8ETU04-1HM3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 400V 8A TO262AA
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
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8工作温度-结8：-55°C ~ 17
外壳：TO-262-3，长引线，I²PAK，TO-262AA
封装：TO-262
料号：E3-591
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8ETU04-1HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8ETU04-1HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8ETU04-1HM3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CN649 BK
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE GP 600V 400MA DO-41SP
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：400mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 400mA
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200nA @ 600V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-592
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CN649 BK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CN649 BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CN649 BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CN649 BK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： V35DM120HM3/I
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 120V 6.3A TO263AC
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：6.3A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.05V @ 35A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：1.2mA @ 120V
8工作温度-结8：-40°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线 + 凸片）变型
封装：TO-263AC（SMPD）
料号：E3-593
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V35DM120HM3/I' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： VI20120SG-E3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO262AA
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：20A
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6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 120V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-262-3，长引线，I²PAK，TO-262AA
封装：TO-262AA
料号：E3-594
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VI20120SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI20120SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI20120SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VI20120SG-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-30WQ06FNTRRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY DPAK
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:145pF @ 5V，1MHz
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3.5A
7不同if时电压-正向(vf)7：610mV @ 3A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：2mA @ 60V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-595
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-30WQ06FNTRRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-30WQ06FNTRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VIT3060GHM3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO262AA
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:145pF @ 5V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:15A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 15A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:850µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：15A
7不同if时电压-正向(vf)7：730mV @ 15A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：850µA @ 60V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：TO-262-3，长引线，I²PAK，TO-262AA
封装：TO-262AA
料号：E3-596
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VIT3060GHM3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： V30120SG-M3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 30A 120V TO-220AB
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:145pF @ 5V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:15A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 15A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:850µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.28V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：30A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.28V @ 30A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 120V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E3-597
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V30120SG-M3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-8EWS16STRLPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:145pF @ 5V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:15A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 15A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:850µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.28V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：50µA @ 1600V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-598
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-8EWS16STRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:145pF @ 5V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:15A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 15A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:850µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.28V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：50µA @ 1600V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-599
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-8EWS16STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-8EWS16STRRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK
参数： 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.43V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 150V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.75V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.2V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:200ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:* 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:- *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:- *7不同if时电压-正向(vf)*7:- *6速度*6:- *5反向恢复时间(trr)*5:- *4不同vr的电流-反向漏电流*4:- 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101，FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:43ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:400mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 400mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:11pF @ 12V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101，eSMP®，TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:6.3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.05V @ 35A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1.2mA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:20A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.33V @ 20A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3.5A *7不同if时电压-正向(vf)*7:610mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2mA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:145pF @ 5V，1MHz 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:15A *7不同if时电压-正向(vf)*7:730mV @ 15A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:850µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.28V @ 30A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 120V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:- 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:8A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 8A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 1600V 不同 Vr、F 时电容:-
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：8A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 8A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：50µA @ 1600V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线+接片），SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E3-600
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-8EWS16STRRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWS16STRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWS16STRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-8EWS16STRRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
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