首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BAS40SL
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD923
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 40mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：8ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：200nA @ 30V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：E3-81
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS40SL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 热销
型号： 1N4448HWT-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：125mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 80V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-82
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4448HWT-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4448HWT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4448HWT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4448HWT-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAS16L,315
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：215mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 150mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 80V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SOD-882
封装：SOD-882
料号：E3-83
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS16L,315' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16L,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16L,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16L,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： B140-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 40V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-84
包装： 5000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'B140-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B140-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B140-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B140-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CD0603-S01575
品牌： Bourns/柏恩 Bourns Inc. 柏恩
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 50mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2.5µA @ 75V
8工作温度-结8：-40°C ~ 12
外壳：0603（1608 公制）
封装：603
料号：E3-85
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CD0603-S01575' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Bourns/柏恩' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD0603-S01575' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD0603-S01575' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD0603-S01575' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DA2JF8100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE GEN PURP 800V 200MA SMINI2
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：2.5V @ 200mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：45ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 800V
8工作温度-结8：-40°C ~ 15
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SMINI2-F5-B
料号：E3-86
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DA2JF8100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2JF8100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2JF8100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA2JF8100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 热销
型号： MBR0520LT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA
7不同if时电压-正向(vf)7：385mV @ 500mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 20V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-87
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR0520LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0520LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0520LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0520LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ES1D
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：920mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：15ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 200V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：E3-88
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ES1D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： RR264M-400TR
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 700MA PMDU
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：700mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 700mA
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 400V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：SOD-123F
封装：PMDU
料号：E3-89
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RR264M-400TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RR264M-400TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RR264M-400TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RR264M-400TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBR0530
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA
7不同if时电压-正向(vf)7：430mV @ 500mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：130µA @ 30V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-90
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0530' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SR154-400TE25
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 400V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：DO-214AC，SMA
封装：PMDS
料号：E3-91
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SR154-400TE25' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SR154-400TE25' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SR154-400TE25' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SR154-400TE25' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAS70SL
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOD923
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：70mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 15mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：8ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：200nA @ 50V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：E3-92
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS70SL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70SL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： S1GB-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMB
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：3µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：E3-93
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'S1GB-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1GB-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1GB-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S1GB-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAT46ZFILM
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 250mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-94
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT46ZFILM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46ZFILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46ZFILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46ZFILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： RS1J
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:250ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.3V @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：250ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 600V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：E3-95
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RS1J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RS1J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RS1J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RS1J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MBR0520L
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:250ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA
7不同if时电压-正向(vf)7：385mV @ 500mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 20V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-96
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR0520L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0520L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0520L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR0520L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CDBA140-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:250ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 40V
8工作温度-结8：-50°C ~ 10
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-97
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBA140-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBA140-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBA140-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBA140-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： UF4007
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:250ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:75ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.7V @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：75ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 1000V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E3-98
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UF4007' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UF4007' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UF4007' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UF4007' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBR0560-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 500MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 200V 不同 Vr、F 时电容:7pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:700mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 700mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:430mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:130µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:250ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:75ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:700mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA
7不同if时电压-正向(vf)7：700mV @ 500mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 60V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-99
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAV3004W-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 300V 225MA SOD123
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 40mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:125mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:215mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 150mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:110pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Bourns/柏恩 制造商统称:Bourns Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:2.5V @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:45ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 800V 不同 Vr、F 时电容:0.6pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:920mV @ 1A 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*2平均整流电流(io)*2:70mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 15mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:8ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200nA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:3µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:250ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:385mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:75ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:17pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:700mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:225mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.25V @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:50ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 240V 不同 Vr、F 时电容:5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：225mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1.25V @ 200mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：50ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 240V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-100
包装： 3000个/ 卷盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV3004W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV3004W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV3004W-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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