首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BAT46WJ,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：250mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：850mV @ 250mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：5.9ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：9µA @ 100V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SC-90，SOD-323F
封装：SOD-323F
料号：E3-121
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT46WJ,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46WJ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46WJ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46WJ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ES1J-LTP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.7V @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：35ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 600V
8工作温度-结8：-65°C ~ 17
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-122
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ES1J-LTP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J-LTP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J-LTP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J-LTP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： RM2000E-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO214
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA
7不同if时电压-正向(vf)7：3V @ 500mA
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 2000V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMAE）
料号：E3-123
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RM2000E-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RM2000E-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RM2000E-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RM2000E-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N5404-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 3A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-201AD，轴向
封装：DO-201AD
料号：E3-124
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5404-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5404-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5404-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5404-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SD103AW-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 350MA SOD123
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：350mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：600mV @ 200mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：10ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 30V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-125
包装： 10000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SD103AW-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD103AW-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD103AW-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SD103AW-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CDBU0130R
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：450mV @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 10V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603C/SOD-523F
料号：E3-126
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBU0130R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CDBU0245
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 200MA 0603
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：45V
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：
4不同vr的电流-反向漏电流4：
8工作温度-结8：
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603C/SOD-523F
料号：E3-127
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBU0245' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0245' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0245' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0245' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CDBU0130L
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：350mV @ 10mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 10V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603C/SOD-523F
料号：E3-128
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBU0130L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： B0540WS-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA
7不同if时电压-正向(vf)7：550mV @ 500mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 30V
8工作温度-结8：-40°C ~ 12
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-129
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'B0540WS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B0540WS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B0540WS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B0540WS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT46W-E3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 250mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 75V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-130
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT46W-E3-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT46W-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： 1N5819
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：550mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 40V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-131
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1N5817
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：450mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：500µA @ 20V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-41
料号：E3-132
包装：
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合作现货:0
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型号： DL4004-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A MELF
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 400V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-213AB，MELF
封装：MELF
料号：E3-133
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DL4004-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DL4001-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 50V 1A MELF
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 50V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-213AB，MELF
封装：MELF
料号：E3-134
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DL4001-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态：
型号： ES1J
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.7V @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：35ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 600V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：E3-135
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ES1J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ES1J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RS1B-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:150ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.3V @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：150ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 100V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-136
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RS1B-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RS1B-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RS1B-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RS1B-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CDSQR4148
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 75V 150MA 0402
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:150ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：150mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 50mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：2.5µA @ 75V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：0402（1005 公制）
封装：0402/SOD-923F
料号：E3-137
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDSQR4148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSQR4148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CDSQR400B
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE GEN PURP 80V 100MA 0402
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:150ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：1V @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：4ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：100nA @ 80V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：0402（1005 公制）
封装：0402/SOD-923F
料号：E3-138
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDSQR400B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDSQR400B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RS1G-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:350mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:600mV @ 200mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:10ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:28pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3:45V *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7: *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5: *4不同vr的电流-反向漏电流*4: 不同 Vr、F 时电容: 安装类型:表面贴装 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 10mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 10V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:125pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 250mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:150ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:150mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 50mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:2.5µA @ 75V 不同 Vr、F 时电容:4pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:4ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:100nA @ 80V 不同 Vr、F 时电容:3pF @ 0.5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.3V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:150ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
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8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-139
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： S2MA-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1.5A SMA
参数： 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:250mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:850mV @ 250mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:5.9ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:9µA @ 100V 不同 Vr、F 时电容:39pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:3V @ 500mA *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 2000V 不同 Vr、F 时电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1V @ 3A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 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*7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:通孔 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 400V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 50V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.7V @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:35ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 600V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 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替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1.5A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.15V @ 1.5A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-65°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-140
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S2MA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S2MA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'S2MA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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