首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 单路整流二极管(肖特基)
元器件型号：41140 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MSS1P6-M3/89A
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：680mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：150µA @ 60V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：MICROSMP
封装：MICROSMP
料号：E3-141
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSS1P6-M3/89A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSS1P6-M3/89A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSS1P4-M3/89A
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：550mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 40V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：MICROSMP
封装：MICROSMP
料号：E3-142
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSS1P4-M3/89A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSS1P4-M3/89A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： NSR0320MW2T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 900mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：50µA @ 15V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-143
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSR0320MW2T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0320MW2T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0320MW2T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0320MW2T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NSR0530P2T5G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD923
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：500mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：620mV @ 500mA
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 30V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：E3-144
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSR0530P2T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0530P2T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0530P2T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0530P2T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSR0140P2T5G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 70MA SOD923
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：70mA（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：350mV @ 1mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 30V
8工作温度-结8：-55°C ~ 12
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：E3-145
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSR0140P2T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0140P2T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0140P2T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSR0140P2T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CDBU0230
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 200mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：30µA @ 30V
8工作温度-结8：表面贴装型
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603C/SOD-523F
料号：E3-146
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBU0230' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0230' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CDBU0240
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：200mA
7不同if时电压-正向(vf)7：550mV @ 200mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：10µA @ 30V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603C/SOD-523F
料号：E3-147
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBU0240' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0240' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0240' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0240' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： CDBU0130
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：100mA
7不同if时电压-正向(vf)7：440mV @ 100mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：30µA @ 30V
8工作温度-结8：125°C（最大）
外壳：2-SMD，无引线
封装：0603C/SOD-523F
料号：E3-148
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBU0130' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBU0130' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SDM03U40-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：30mA
7不同if时电压-正向(vf)7：370mV @ 1mA
6速度6：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
5反向恢复时间(trr)5：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
4不同vr的电流-反向漏电流4：500nA @ 30V
8工作温度-结8：-40°C ~ 12
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：E3-149
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDM03U40-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM03U40-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM03U40-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM03U40-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSS1P3L-M3/89A
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
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8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：MICROSMP
封装：MICROSMP
料号：E3-150
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSS1P3L-M3/89A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSS1P2L-M3/89A
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：500mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 20V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：MICROSMP
封装：MICROSMP
料号：E3-151
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSS1P2L-M3/89A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSS1P2L-M3/89A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSS1P2L-M3/89A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSS1P2L-M3/89A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： B5817WS-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：450mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：1mA @ 20V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SC-76，SOD-323
封装：SOD-323
料号：E3-152
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'B5817WS-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B5817WS-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B5817WS-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B5817WS-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N4007GP-E3/54
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：2µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-50°C ~ 15
外壳：DO-204AL，DO-41，轴向
封装：DO-204AL（DO-41）
料号：E3-153
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N4007GP-E3/54' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007GP-E3/54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007GP-E3/54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N4007GP-E3/54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SS16T3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：720mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 60V
8工作温度-结8：-55°C ~ 15
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：E3-154
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SS16T3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SS16T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SS16T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SS16T3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DB2W40300L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 3A MINI2
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:540mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：3A（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：540mV @ 3A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：15ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 40V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SOD-123F
封装：迷你型2-F3-B
料号：E3-155
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DB2W40300L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2W40300L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2W40300L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2W40300L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DB2W40100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A MINI2
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:540mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:390mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A（DC）
7不同if时电压-正向(vf)7：390mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：15ns
4不同vr的电流-反向漏电流4：250µA @ 40V
8工作温度-结8：150°C（最大）
外壳：SOD-123F
封装：迷你型2-F3-B
料号：E3-156
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DB2W40100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB2W40100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SS14-E3/61T
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:540mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:390mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
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5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：200µA @ 40V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：E3-157
包装：
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型号： 1N5819HW-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:10pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:70mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:350mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2.5pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:200mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 200mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:10µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:540mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:390mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：450mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：1mA @ 40V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-158
包装： 3000个/ 卷盘
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型号： SM4007PL-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FL
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 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*3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:540mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:390mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：标准
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：1.1V @ 1A
6速度6：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：1µs
4不同vr的电流-反向漏电流4：5µA @ 1000V
8工作温度-结8：-65°C ~ 17
外壳：SOD-123F
封装：SOD-123FL
料号：E3-159
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM4007PL-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM4007PL-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM4007PL-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： B140HW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
参数： 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:680mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:150µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:40pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 900mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:50µA @ 15V 不同 Vr、F 时电容:29pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:500mA（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:620mV @ 500mA *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 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*3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:100mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:440mV @ 100mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:30µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:9pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:30mA *7不同if时电压-正向(vf)*7:370mV @ 1mA *6速度*6:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *5反向恢复时间(trr)*5:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 *4不同vr的电流-反向漏电流*4:500nA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 30V 不同 Vr、F 时电容:65pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 20V 不同 Vr、F 时电容:120pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:2µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:8pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 制造商统称:ONSEMI/安森美 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:720mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 60V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:3A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:540mV @ 3A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A（DC） *7不同if时电压-正向(vf)*7:390mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:15ns *4不同vr的电流-反向漏电流*4:250µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:50pF @ 10V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:500mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:200µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:450mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:1mA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:60pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:标准 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:1.1V @ 1A *6速度*6:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:1µs *4不同vr的电流-反向漏电流*4:5µA @ 1000V 不同 Vr、F 时电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装型 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管类型*1:肖特基 *3DC最大反向电压(Vr)*3: *2平均整流电流(io)*2:1A *7不同if时电压-正向(vf)*7:550mV @ 1A *6速度*6:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *5反向恢复时间(trr)*5:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） *4不同vr的电流-反向漏电流*4:40µA @ 40V 不同 Vr、F 时电容:- 安装类型:表面贴装型
替代：
1二极管类型1：肖特基
3DC最大反向电压(Vr)3：
2平均整流电流(io)2：1A
7不同if时电压-正向(vf)7：550mV @ 1A
6速度6：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
5反向恢复时间(trr)5：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
4不同vr的电流-反向漏电流4：40µA @ 40V
8工作温度-结8：-65°C ~ 12
外壳：SOD-123
封装：SOD-123
料号：E3-160
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'B140HW-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B140HW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B140HW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'B140HW-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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