首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MURT10020R
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准型，反极性
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2001
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT10020R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10020R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MURT10040
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2002
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT10040' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10040' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10040' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10040' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MURT10040R
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准型，反极性
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2003
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT10040R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MURT10060
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2004
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT10060' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MURT10060R
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准型，反极性
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2005
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT10060R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT10060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MDD172-14N1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 1.4KV 190A Y4-M6
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1400V
2每个/平均整流电流(io)2：190A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：20mA @ 140
外壳：Y4-M6
封装：Y4-M6
料号：E4-2006
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD172-14N1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD172-14N1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD172-14N1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD172-14N1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDD172-18N1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 1.8KV 190A Y4-M6
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1800V
2每个/平均整流电流(io)2：190A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：20mA @ 180
外壳：Y4-M6
封装：Y4-M6
料号：E4-2007
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD172-18N1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD172-18N1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD172-18N1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD172-18N1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2950064
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 1.3KV 700MA
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V
替代：
1二极管配置1：7 共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1300V
2每个/平均整流电流(io)2：700mA
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-2008
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2950064' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950064' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950064' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950064' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2952198
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 1KV
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：4 共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-20°C ~ 50
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-2009
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2952198' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2952198' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2952198' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2952198' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2952211
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 1KV
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：14 共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-20°C ~ 50
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-2010
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2952211' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2952211' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2952211' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2952211' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSRTA200100(A)D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2011
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA200100(A)D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200100(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200100(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200100(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSRTA200120(A)D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2012
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA200120(A)D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200120(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200120(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200120(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSRTA200140(A)D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1400V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2013
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA200140(A)D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200140(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200140(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MSRTA200160(A)D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2014
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA200160(A)D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200160(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA200160(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： MSRTA20060(A)D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2015
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA20060(A)D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA20060(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA20060(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA20060(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MSRTA20080(A)D
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2016
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA20080(A)D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA20080(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA20080(A)D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKD166/04PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 400V 82.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：82.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2017
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKD166/04PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： VS-VSKJ166/04PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 400V 82.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：82.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK（3）
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2018
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKJ166/04PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKJ166/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKC166/08PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 800V 82.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:190A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 259A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：82.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2019
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： VS-VSKD166/08PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 800V 82.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准型，反极性 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 1000V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 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替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：82.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2020
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKD166/08PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD166/08PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD166/08PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD166/08PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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