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元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SCNA05F
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 50V 7.5A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2061
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCNA05F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SCPA05F
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY GP 50V 7.5A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2062
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCPA05F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCPA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCPA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCPA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SCDA1F
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 100V 3.75A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：3.75A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2063
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCDA1F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SCDA05F
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 50V 3.75A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：3.75A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2064
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCDA05F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA05F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MBRF40035
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 35V 400A TO244AB
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：35V
2每个/平均整流电流(io)2：400A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-244AB
封装：TO-244AB
料号：E4-2065
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRF40035' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF40035' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF40035' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF40035' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MBRF40035R
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 35V 400A TO244AB
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：35V
2每个/平均整流电流(io)2：400A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-244AB
封装：TO-244AB
料号：E4-2066
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRF40035R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF40035R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF40035R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF40035R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSRTA400100(A)
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2067
包装：
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型号： MSRTA400120(A)
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
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3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA400120(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSRTA400140(A)
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1400V
2每个/平均整流电流(io)2：400A（DC）
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2069
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA400140(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSRTA400160(A)
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：400A（DC）
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2070
包装：
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合作现货:0
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型号： MSRTA40060(A)
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：400A（DC）
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2071
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA40060(A)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA40060(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA40060(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA40060(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSRTA40080(A)
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 800V 400A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：400A（DC）
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2072
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSRTA40080(A)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA40080(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA40080(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSRTA40080(A)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SCDA6
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 600V 3.75A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：3.75A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2073
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCDA6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SCNA6
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 600V 7.5A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2074
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCNA6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKC166/16PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 1.6KV 82.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：82.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2075
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKC166/16PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC166/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC166/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC166/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： SCPA4F
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY GP 400V 7.5A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2076
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCPA4F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCPA4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCPA4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： SCDA4F
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 400V 3.75A
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：3.75A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2077
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCDA4F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCDA4F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MSAD200-18
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.8KV 200A D2
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:9mA @ 1800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1800V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D2
封装：*
料号：E4-2078
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSAD200-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MSCD200-18
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.8KV 200A D2
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:9mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V（1.8kV） *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1800V（1.8kV）
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D2
封装：*
料号：E4-2079
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCD200-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD200-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD200-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD200-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSKD200-18
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.8KV 200A D2
参数： 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:400A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:9mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V（1.8kV） *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1800V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：9mA @ 1800
外壳：D2
封装：*
料号：E4-2080
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD200-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD200-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD200-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD200-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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