首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MURT20040R
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：200A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：25µA @ 50V
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2101
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT20040R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MURT20060
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：200A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：25µA @ 50V
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2102
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT20060' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20060' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MURT20060R
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：200A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：25µA @ 50V
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-2103
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MURT20060R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MURT20060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-VSKC196/04PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 400V 97.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：97.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2104
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKC196/04PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC196/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC196/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC196/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKD196/04PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 400V 97.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：97.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2105
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKD196/04PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD196/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD196/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD196/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SCNA1
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 100V 7.5A
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2106
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCNA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SCPA2
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY GP 200V 7.5A
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型号： SCDA4
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 400V 3.75A
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替代：
1二极管配置1：-
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参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：-
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封装：-
料号：E4-2110
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-VSKD166/16PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 1.6KV 82.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
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2每个/平均整流电流(io)2：82.5A
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6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2111
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKD166/16PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD166/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD166/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD166/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SCNA05
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： DIODE ARRAY 50V 7.5A
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：模块
封装：-
料号：E4-2112
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SCNA05' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA05' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA05' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SCNA05' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： VS-VSKC196/08PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 800V 97.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：97.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2113
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKC196/08PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： VS-VSKC236/04PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 400V 115A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：115A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2114
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKC236/04PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC236/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC236/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC236/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKD196/08PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 800V 97.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：97.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2115
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKD196/08PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD196/08PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD196/08PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD196/08PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKD236/04PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 400V 115A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：115A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：MAGN-A-PAK（2）
封装：MAGN-A-PAK®
料号：E4-2116
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKD236/04PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD236/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKD236/04PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： VS-VSKJ236/12PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 1.2KV 115A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：115A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK（3）
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2117
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKJ236/12PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKJ236/12PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKJ236/12PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKJ236/12PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-VSKD236/08PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN PURP 800V 115A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：115A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：MAGN-A-PAK（2）
封装：MAGN-A-PAK®
料号：E4-2118
包装：
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合作现货:0
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型号： VS-VSKJ236/16PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 1.6KV 115A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：115A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：INT-A-PAK（3）
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2119
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKJ236/16PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKJ236/16PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-VSKC196/12PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE GEN 1.2KV 97.5A INTAPAK
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 100V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:3.75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:2µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:82.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:82.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1400V 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 400V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 800V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:115A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:115A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:97.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:97.5A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：97.5A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：INT-A-PAK
封装：INT-A-PAK
料号：E4-2120
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-VSKC196/12PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC196/12PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC196/12PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-VSKC196/12PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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