首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： BAT54ATR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E4-6454
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54ATR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54ATR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54ATR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54ATR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT54CTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E4-6455
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54CTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBAV99RWT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT323
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：E4-6456
包装： 3000个/
￥0.52 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBAV99RWT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAV99RWT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAV99RWT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAV99RWT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV99DWQ-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SW 75V 215MA SOT363
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V
替代：
1二极管配置1：2 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：75V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E4-6457
包装： 3000个/
￥0.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV99DWQ-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99DWQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99DWQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99DWQ-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBAV70LT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-6458
包装： 3000个/
￥0.15 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBAW56LT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-6459
包装： 3000个/
￥0.21 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAS70-06FILM
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：70mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-6460
包装： 3000个/
￥0.57 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS70-06FILM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-06FILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-06FILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-06FILM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1SS396,LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： DIODE SCHOTKY 40V 70MA SMINI
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：70mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：S-MINI
料号：E4-6461
包装： 3000个/
￥0.49 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SS396,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS396,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS396,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS396,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NSVBAS21TMR6T1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 250V 200MA SC74
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：3 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：250V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SC-74
料号：E4-6462
包装： 3000个/
￥0.45 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVBAS21TMR6T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBAS21TMR6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBAS21TMR6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBAS21TMR6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ACDST-2004S-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：225mA
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-60°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-6463
包装： 3000个/
￥0.67 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ACDST-2004S-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ACDST-2004S-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ACDST-2004S-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ACDST-2004S-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMKD7000 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SWITCHING 100V SOT363
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：2 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E4-6464
包装： 带卷（TR）
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKD7000 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKD7000 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKD7000 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKD7000 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态：
型号： NSVBAV23CLT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：250V
2每个/平均整流电流(io)2：400mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-6465
包装： 3000个/
￥0.65 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVBAV23CLT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBAV23CLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBAV23CLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBAV23CLT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBX201C-L-TB-E
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 2V 50MA 3CP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：2V
2每个/平均整流电流(io)2：50mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：3-CP
料号：E4-6466
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBX201C-L-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBX201C-L-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBX201C-L-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBX201C-L-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DCG010-TL-E
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 100MA 3MCP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SC-70，SOT-323
封装：3-MCP
料号：E4-6467
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCG010-TL-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG010-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG010-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG010-TL-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMUSH2-4A TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E4-6468
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMUSH2-4A TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUSH2-4A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUSH2-4A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUSH2-4A TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMUSH2-4S TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E4-6469
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMUSH2-4S TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUSH2-4S TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUSH2-4S TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMUSH2-4S TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMSD2838 TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：75V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SOT-323
料号：E4-6470
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMSD2838 TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSD2838 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSD2838 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSD2838 TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMLD6263C TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOT563
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：2 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：E4-6471
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLD6263C TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLD6263C TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLD6263C TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLD6263C TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBRD6100CTTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：DPAK
料号：E4-6472
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRD6100CTTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRD6100CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRD6100CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRD6100CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： CMKSH-3DO TR
品牌： Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT363
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:360mV @ 10mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:250V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:150ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 200V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:2V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:320mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 2V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E4-6473
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKSH-3DO TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKSH-3DO TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKSH-3DO TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKSH-3DO TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有12145个记录    每页显示20条，本页6461-6480条    324/608页    首 页    上一页   320  321  322  323  324  325  326  327  328   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922