元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: BAT40V-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT563
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 12
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:E4-6634
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAT54AW-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 12
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-6635
包装: 30000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: MMBD7000-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E4-6636
包装: 30000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: SDM20N40A-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 12
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E4-6637
包装: 3000个/
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM20N40A-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM20N40A-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDM20N40A-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: HN2S03T(TE85L)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:20V
2每个/平均整流电流(io)2:50mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:4-SMD,扁平引线
封装:TESQ
料号:E4-6638
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN2S03T(TE85L)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BAS70-06T-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT523
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-55°C ~ 12
外壳:SOT-523
封装:SOT-523
料号:E4-6639
包装: 3000个/
0.80 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS70-06T-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-06T-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-06T-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-06T-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS70-05T-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT523
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替代:
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外壳:SOT-523
封装:SOT-523
料号:E4-6640
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型号: DB3X313J0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V MINI3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V
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型号: DB3X315E0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V MINI3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
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最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DB3S406F0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSMINI3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V
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品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSMINI3
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型号: DB3S315E0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SSMINI3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V
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3反向DC电压(vr)最大值3:30V
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品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V MINI3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:迷你型3-G3-B
料号:E4-6646
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MMBD4148TW-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V
替代:
1二极管配置1:3 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-55°C ~ 15
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-6647
包装: 3000个/
0.59 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4148TW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MMBD4448HTW-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V
替代:
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4二极管类型4:标准
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2每个/平均整流电流(io)2:250mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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料号:E4-6648
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状态: 在售
型号: MMBD4448HSDW-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
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替代:
1二极管配置1:2 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA
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6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
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料号:E4-6649
包装: 3000个/
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAW56,235
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY GP 90V 215MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23(TO-236AB)
料号:E4-6650
包装: 10000个/
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: DA4X101F0R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA MINI4
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-61AB
封装:迷你型4-G4-B
料号:E4-6651
包装:
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS40BRW-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT363
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V
替代:
1二极管配置1:2 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-55°C ~ 12
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-6652
包装: 3000个/
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状态: 在售
型号: MAS3132DGL
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSMINI3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 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替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SS迷你型3-F2
料号:E4-6653
包装:
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