首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MAS3132EGL
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY 80V 100MA SSSMINI3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：SOT-723
封装：SSS迷你型3-F2
料号：E4-6654
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAS3132EGL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MMBD3004BRM-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT26
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V
替代：
1二极管配置1：2 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：225mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-26
料号：E4-6655
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： DAP222T1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SC-75，SOT-416
料号：E4-6656
包装： 3000个/
￥0.23 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DAP222T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DB5S406K0R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：SOT-665
封装：SSMINI5-F4-B
料号：E4-6657
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DB5S406K0R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB5S406K0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB5S406K0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB5S406K0R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAW56WT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 70V 200MA SC70-3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：E4-6658
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW56WT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56WT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56WT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56WT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70TT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 200MA SC75
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：SC-75，SOT-416
封装：SC-75，SOT-416
料号：E4-6659
包装： 3000个/
￥0.15 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70TT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70TT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70TT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： M1MA142WAT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70-3
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70-3（SOT323）
料号：E4-6660
包装： 3000个/
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DB6J316K0R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：3 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：SMINI6-F3-B
料号：E4-6661
包装：
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合作现货:0
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型号： MA4X86200L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY GP 35V 100MA MINI4
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：35V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-25°C ~ 85
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：迷你型4-G1
料号：E4-6662
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4X86200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD4448HSDW-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V
替代：
1二极管配置1：2 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：250mA
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E4-6663
包装：
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合作现货:0
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型号： SS10P4C-M3/86A
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO277A
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-277，3-POWERDFN
封装：TO-277A（SMPC）
料号：E4-6664
包装： 1500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-10CWH02FNTR-M3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP 200V 10A TO252AA
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E4-6665
包装： 2000个/
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型号： STTH1602CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 10A D2PAK
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-6666
包装： 1000个/
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状态： 在售
型号： MBRB10100CT-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-50°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D²PAK
料号：E4-6667
包装： 800个/
￥3.32 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： V15P45S-M3/86A
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO277A
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.5mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：15A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-277，3-POWERDFN
封装：TO-277A（SMPC）
料号：E4-6668
包装： 1500个/
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状态：
型号： STPS20H100CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.5mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-6669
包装： 1000个/
￥3.96 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MUR620CTG
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 3A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.5mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 100V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-6670
包装：
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型号： MBRB1545CTT4G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 30V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 33V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:eSMP® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:530mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:550µA @ 40V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.15V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:21ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.5mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:770mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 100V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:570mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-6671
包装： 800个/
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MUR1620CTG
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:4.5µA @ 100V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:570mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：8A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-6672
包装：
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合作现货:0
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状态：
型号： MBR30H100CTG
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:900ps 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:800ps 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:4.5µA @ 100V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:570mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 45V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4.5µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-6673
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR30H100CTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR30H100CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR30H100CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR30H100CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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