元器件型号:12145
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状态: 在售
型号: DSEP2X31-06A
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 600V 30A SOT227B
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:250µA @ 60
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-661
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEP2X31-06A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DSEP2X31-06B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 600V 30A SOT227B
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:250µA @ 60
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-662
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X31-06B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: APT2X30D20J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 200V 30A ISOTOP
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:ISOTOP®
料号:E4-663
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X30D20J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D20J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D20J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D20J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: APT2X30D30J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 300V 30A ISOTOP
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:300V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:ISOTOP®
料号:E4-664
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X30D30J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D30J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D30J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D30J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: APT2X30D60J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 600V 30A ISOTOP
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:250µA @ 60
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:ISOTOP®
料号:E4-665
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X30D60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MBR2X050A120
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 50A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:50A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-666
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X050A120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: APT2X60DQ60J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 600V 60A ISOTOP
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:25µA @ 600
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:ISOTOP®
料号:E4-667
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X60DQ60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: VS-UFB250FA60
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURP 600V 168A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:168A
5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-668
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-UFB250FA60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFB250FA60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFB250FA60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFB250FA60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MDMA35P1200TG
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.2KV 35A TO240AA
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:35A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:40µA @ 120
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-669
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDMA35P1200TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA35P1200TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA35P1200TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA35P1200TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VS-UFB310CB40
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURP 400V 155A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:400V
2每个/平均整流电流(io)2:155A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-670
包装:
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合作现货:0
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型号: MBR2X050A045
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
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外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
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品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
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包装:
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品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:50A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-673
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X050A080' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MBR2X060A120
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-674
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X060A120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X060A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X060A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBR2X080A120
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:80A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-675
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X080A120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DSI2X55-16A
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.6KV 56A SOT227B
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1600V
2每个/平均整流电流(io)2:56A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:300µA @ 16
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-676
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSI2X55-16A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSI2X55-16A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSI2X55-16A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSI2X55-16A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VS-UFL250CB60
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURP 600V 130A SOT227
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1600V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:130A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.44V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):104ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:130A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-677
包装:
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合作现货:0
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型号: DSEI2X61-06P
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 600V 60A ECO-PAC1
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1600V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:130A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.44V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):104ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:200µA @ 60
外壳:ECO-PAC1
封装:ECO-PAC1
料号:E4-678
包装:
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MDD26-08N1B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 800V 36A TO240AA
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):840mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1600V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:130A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.44V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):104ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:10mA @ 800
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-679
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: APT2X60DQ100J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP
参数: 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.49V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):24ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.4V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):85ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:168A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.19V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):166ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1200V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:155A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.34V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):9ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):700mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):750mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 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正向(vf):1.44V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):104ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1000V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:100µA @ 10
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:ISOTOP®
料号:E4-680
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X60DQ100J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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