元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: DSEI 2X61-02A
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 200V 71A SOT227B
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-681
包装: 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEI 2X61-02A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI 2X61-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI 2X61-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI 2X61-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: MBR2X050A150
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:150V
2每个/平均整流电流(io)2:50A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-682
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X050A150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MDD26-14N1B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.4KV 36A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1400V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:10mA @ 140
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-683
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD26-14N1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD26-14N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD26-14N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD26-14N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MDD44-08N1B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 800V 64A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:64A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:10mA @ 800
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-684
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD44-08N1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-08N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-08N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-08N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MDMA50P1200TG
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.2KV 50A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:50A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:100µA @ 12
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-685
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDMA50P1200TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA50P1200TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA50P1200TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA50P1200TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: STTH120R04TV2
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: DIODE MODULE 400V 60A ISOTOP
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:400V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:ISOTOP
封装:ISOTOP®
料号:E4-686
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH120R04TV2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH120R04TV2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH120R04TV2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH120R04TV2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBR2X060A150
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:150V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-687
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X060A150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X060A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X060A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X060A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MBR2X080A150
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:150V
2每个/平均整流电流(io)2:80A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-688
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X080A150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: GDP48Y060B
品牌: Global Power Technologies Group Global Power
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-247-3
封装:TO-247-3
料号:E4-689
包装: 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GDP48Y060B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GDP48Y060B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GDP48Y060B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GDP48Y060B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: DHG50X1200NA
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:25A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:50µA @ 120
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-690
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DHG50X1200NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHG50X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHG50X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHG50X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DSEI2X61-02P
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 200V 71A ECO-PAC1
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:71A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:50µA @ 200
外壳:ECO-PAC1
封装:ECO-PAC1
料号:E4-691
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEI2X61-02P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X61-02P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X61-02P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X61-02P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MBR2X050A180
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 180V 50A SOT227
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:180V
2每个/平均整流电流(io)2:50A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-692
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X050A180' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A180' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A180' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X050A180' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: DSEP2X31-12A
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.2KV 30A SOT227B
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:30A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:250µA @ 12
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-693
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEP2X31-12A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DSEP2X61-03A
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 300V 60A SOT227B
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:300V
2每个/平均整流电流(io)2:60A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:650µA @ 30
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-694
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEP2X61-03A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X61-03A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X61-03A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X61-03A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MDD44-12N1B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.2KV 64A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:64A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:10mA @ 120
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-695
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD44-12N1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-12N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-12N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-12N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MDMA35P1600TG
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.6KV 35A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1600V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1600V
2每个/平均整流电流(io)2:35A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:40µA @ 160
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-696
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDMA35P1600TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA35P1600TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA35P1600TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA35P1600TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSCD36-08
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 800V 36A D1
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:5mA @ 800V
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-697
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCD36-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MSCD36-12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.2KV 36A D1
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-698
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCD36-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MSKD36-12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.2KV 36A D1
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-699
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD36-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MSAD36-08
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 800V 36A D1
参数: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.38V @ 80A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 50A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:Amp+™ 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.12V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 1200V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):920mV @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):2.72V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.68V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 300V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.16V @ 35A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-700
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSAD36-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD36-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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