首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MBR10150CT-E1
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：
封装：
料号：E4-7413
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR10150CT-E1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR10150CT-E1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR10150CT-E1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR10150CT-E1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MBRF20L45CTG
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220FP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FP
料号：E4-7414
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRF20L45CTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF20L45CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF20L45CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRF20L45CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VT1080C-E3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOT 80V 5A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7415
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT1080C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT1080C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT1080C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VT1080C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： V10D120CHM3/I
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线 + 凸片）变型
封装：TO-263AC（SMPD）
料号：E4-7416
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'V10D120CHM3/I' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V10D120CHM3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V10D120CHM3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V10D120CHM3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SDUR3030CT
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7417
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDUR3030CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDUR3030CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDUR3030CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDUR3030CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SDUR3040CT
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE GEN PURP 400V 15A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7418
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDUR3040CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDUR3040CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDUR3040CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDUR3040CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SDURF3030CT
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE GEN PURP 300V 15A ITO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
封装：ITO-220AB
料号：E4-7419
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDURF3030CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SDURF3030CTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE GEN PURP 300V 15A ITO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
封装：ITO-220AB
料号：E4-7420
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDURF3030CTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3030CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3030CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3030CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SDURF3040CT
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE GEN PURP 400V 15A ITO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
封装：ITO-220AB
料号：E4-7421
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SDURF3040CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3040CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3040CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3040CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SDURF3040CTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE GEN PURP 400V 15A ITO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
封装：ITO-220AB
料号：E4-7422
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDURF3040CTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VBT1080C-E3/8W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E4-7423
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VBT1080C-E3/8W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VBT1080C-E3/8W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VBT1080C-E3/8W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MBR15100CT-E1
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：
封装：
料号：E4-7424
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR15100CT-E1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR15100CT-E1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR15100CT-E1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR15100CT-E1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MBR15100CT-G1
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：
封装：
料号：E4-7425
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MBR15100CTF-E1
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTT 100V TO220F
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：
封装：
料号：E4-7426
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR15100CTF-E1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
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状态： 在售
型号： MBR15100CTF-G1
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTT 100V TO220F
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：7.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：
封装：
料号：E4-7427
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR15100CTF-G1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： VBT2060C-E3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 20A 60V TO-263AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E4-7428
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VBT2060C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VBT3060G-E3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE SCHOTTKY 15A 60V TO-263AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E4-7429
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VBT3060G-E3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： NTSJ30U80CTG
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO220FP
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FP
料号：E4-7430
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NTSJ30U80CTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NTSJ30U80CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBE813-TL-E
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 3A 8VEC
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:650mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:42µA @ 15V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：8-SMD，扁平引线
封装：8-VEC
料号：E4-7431
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FEP6AT-E3/45
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP 50V 6A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 45V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 120V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 300V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 400V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:7.5A 不同 if 时的电压 - 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正向（vf）:730mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:850µA @ 60V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:42µA @ 15V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：6A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7432
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FEP6AT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP6AT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP6AT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP6AT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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