首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VT1080C-M3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOT 80V 5A TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7533
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VT1080C-M3/4W' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： FEP16AT-E3/45
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP 50V 16A TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：16A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7534
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FEP16AT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16AT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FEP16BT-E3/45
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP 100V 16A TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：16A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7535
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FEP16BT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16BT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16BT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16BT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FEP16CT-E3/45
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP 150V 16A TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：16A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-7536
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FEP16CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FEP16CT-E3/45' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CDBD10100-G
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：10A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-7537
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CDBD10100-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBD10100-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBD10100-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CDBD10100-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MA3S781F0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SSMINI3
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：30mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F2
料号：E4-7538
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA3S781F0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA3S781F0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA3S781F0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA3S781F0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAV99_D87Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-7539
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV99_D87Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BAS31_D87Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-7540
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS31_D87Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS31_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS31_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS31_D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MA6X12600L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY GP 80V 100MA MINI6
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V
替代：
1二极管配置1：2 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：SOT-23-6
封装：MINI6-G1
料号：E4-7541
包装： 3000个/
￥1.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA6X12600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAS35
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-7542
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAW74
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
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5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-7543
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW74' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW74' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAW74_D87Z
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：
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6工作温度-结：
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-7544
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAW56T
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE DUAL 85V 75MA SOT-523
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：85V
2每个/平均整流电流(io)2：75mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E4-7545
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAV99T
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE DUAL 85V 75MA SOT-523
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：85V
2每个/平均整流电流(io)2：75mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E4-7546
包装： 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70T
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE FAST SW 85V 75MA SOT523
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：85V
2每个/平均整流电流(io)2：75mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E4-7547
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： TBAT54A,LM
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT23
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-7548
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： BAW56-E3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY GP 70V 250MA SOT23
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：250mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E4-7549
包装： 3000个/
￥0.42 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT54ST
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOT523
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：
外壳：SOT-523
封装：SOT-523
料号：E4-7550
包装： 3000个/
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状态： 在售
型号： MA3S781D0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SSMINI3
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：30mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：SC-89，SOT-490
封装：SS迷你型3-F2
料号：E4-7551
包装：
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD1404
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:720mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 80V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 50V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:16A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 150V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 100V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:75mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 75V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1.5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 175V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-7552
包装： 3000个/
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