元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MSKD70-08
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 800V 70A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:70A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-741
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD70-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD70-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD70-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD70-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSAD70-08
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 800V 70A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:800V
2每个/平均整流电流(io)2:70A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-742
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSAD70-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSAD70-12
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.2KV 70A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:70A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-743
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSAD70-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBR2X100A120
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:100A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-744
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X100A120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBR2X120A120
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:120A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-745
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X120A120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MUR2X120A02
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:120A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-746
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUR2X120A02' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MUR2X120A04
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:400V
2每个/平均整流电流(io)2:120A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-747
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUR2X120A04' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MUR2X120A06
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:600V
2每个/平均整流电流(io)2:120A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-748
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUR2X120A06' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X120A06' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBRT400200R
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 200A 3 TOWER
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:200A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:三塔
封装:三塔
料号:E4-749
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRT400200R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT400200R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT400200R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT400200R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MDD44-18N1B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.8KV 64A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1800V
2每个/平均整流电流(io)2:64A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:10mA @ 180
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-750
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD44-18N1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-18N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-18N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD44-18N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSAD36-18
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.8KV 36A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1800V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-751
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSAD36-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSCD36-18
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.8KV 36A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV)
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-752
包装: 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCD36-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSKD36-18
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.8KV 36A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1800V
2每个/平均整流电流(io)2:36A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:5mA @ 1800
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-753
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD36-18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD36-18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MDMA65P1600TG
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.6KV 65A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1600V
2每个/平均整流电流(io)2:65A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:100µA @ 16
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-754
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDMA65P1600TG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA65P1600TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA65P1600TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA65P1600TG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBR2X100A150
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 100A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:150V
2每个/平均整流电流(io)2:100A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-755
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X100A150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBR2X120A150
品牌: Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 120A SOT227
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:150V
2每个/平均整流电流(io)2:120A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:SOT-227-4,MINIBLOC
封装:SOT-227
料号:E4-756
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X120A150' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A150' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSCD70-16
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.6KV 70A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1600V
2每个/平均整流电流(io)2:70A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-757
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCD70-16' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSKD70-16
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.6KV 70A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1600V
2每个/平均整流电流(io)2:70A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-758
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD70-16' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSAD70-16
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: DIODE MODULE 1.6KV 70A D1
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1600V
2每个/平均整流电流(io)2:70A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:D1
封装:D1
料号:E4-759
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSAD70-16' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSAD70-16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MDD56-14N1B
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MODULE 1.4KV 95A TO240AA
参数: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.3V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V(1.8kV) *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:36A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.18V @ 65A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1600V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1400V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.48V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1400V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:1400V
2每个/平均整流电流(io)2:95A
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:10mA @ 140
外壳:TO-240AA
封装:TO-240AA
料号:E4-760
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD56-14N1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD56-14N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD56-14N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD56-14N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有12145个记录    每页显示20条,本页741-760条    38/608页    首 页    上一页   34  35  36  37  38  39  40  41  42   下一页    尾 页      
复制成功
销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922