元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: 1PS70SB15,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-7593
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: SBR05U20SN-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SBR 20V 250MA SC59-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:超级势垒
3反向DC电压(vr)最大值3:20V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SC-59-3
料号:E4-7594
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
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状态: 在售
型号: HN2S03FE(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V ES6
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V
替代:
1二极管配置1:3 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:20V
2每个/平均整流电流(io)2:50mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:E4-7595
包装:
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1PS70SB44,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT323
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-7596
包装: 3000个/
0.54 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1PS70SB44,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS70SB44,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS70SB44,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS70SB44,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DA37102D0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY 80V 100MA SSSMINI3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SOT-723
封装:SSSMINI3-F2-B
料号:E4-7597
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DA37102D0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BAV70DV-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT563
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V
替代:
1二极管配置1:2 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:E4-7598
包装: 3000个/
0.89 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70DV-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70DV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70DV-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: BAS56,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY GP 60V 200MA SOT143B
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
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6工作温度-结:150°C(最大)
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封装:SOT-143B
料号:E4-7599
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAS56,235
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY GP 60V 200MA SOT143B
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
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6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-253-4,TO-253AA
封装:SOT-143B
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS56,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS40XY,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V
替代:
1二极管配置1:2 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:E4-7601
包装: 3000个/
0.52 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40XY,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40XY,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40XY,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SBAT54CLT1G
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-55°C ~ 12
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:E4-7602
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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总额:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MA5J002E0L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMINI5
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V
替代:
1二极管配置1:2 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-25°C ~ 10
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:S迷你型5-F1
料号:E4-7603
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: BAS70W-06-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-7604
包装: 3000个/
0.90 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS70-07S,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:E4-7605
包装: 3000个/
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海外现货:0
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总额:
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS70W-05-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-7606
包装: 3000个/
0.76 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAW56S,135
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY GP 90V 250MA 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:2 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:E4-7607
包装: 10000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAW56S,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY GP 90V 250MA 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:2 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:E4-7608
包装: 3000个/
0.36 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: RB557WTL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V EMD3
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 10V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SC-75,SOT-416
封装:EMD3
料号:E4-7609
包装: 3000个/
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAS28-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT143
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:85V
2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-253-4,TO-253AA
封装:SOT-143
料号:E4-7610
包装: 3000个/
0.41 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS70-05W,135
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC)
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状态: 在售
型号: BAS70-05W,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT323
参数: 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 120V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):6ns 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 15mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC) 不同 if 时的电压 - 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替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:70mA(DC)
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6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-7612
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-05W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-05W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70-05W,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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