元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MMBD4448HCQW-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT353
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V
替代:
1二极管配置1:2 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:SOT-353
料号:E4-7653
包装: 3000个/
1.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD4448HCQW-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4448HCQW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4448HCQW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4448HCQW-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DCA010-TB-E
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 150MA 3CP
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-96
封装:SC-59-3/CP3
料号:E4-7654
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCA010-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCA010-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCA010-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCA010-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DCB010-TB-E
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA 3CP
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:
外壳:SC-96
封装:3-CP
料号:E4-7655
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCB010-TB-E' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCB010-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCB010-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCB010-TB-E' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UMN20NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA UMD6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
5速度:-
6工作温度-结:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMD6
料号:E4-7656
包装: 3000个/
1.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMN20NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMN20NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMN20NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMN20NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAV70T116
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:215mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SSD3
料号:E4-7657
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70T116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70T116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70T116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70T116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: EMP11T2R
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V
替代:
1二极管配置1:2 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:EMD6
料号:E4-7658
包装: 8000个/
0.63 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMP11T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMP11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMP11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMP11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS16V-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY GP 75V 200MA SOT563
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:E4-7659
包装: 3000个/
0.74 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS16V-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16V-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16V-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS16V-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAV199DW-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE RECT 85V 160MA SOT363
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V
替代:
1二极管配置1:2 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:85V
2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-7660
包装: 3000个/
0.80 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV199DW-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV199DW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV199DW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV199DW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAV99DW-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT363
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V
替代:
1二极管配置1:2 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:150mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-55°C ~ 15
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-7661
包装: 3000个/
0.40 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV99DW-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99DW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99DW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99DW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAS40-05T-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT523
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-55°C ~ 12
外壳:SOT-523
封装:SOT-523
料号:E4-7662
包装: 3000个/
0.80 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS40-05T-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-05T-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-05T-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-05T-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1SS393SU,LF
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USM
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SC-70,SOT-323
封装:USM
料号:E4-7663
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SS393SU,LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS393SU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS393SU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS393SU,LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VS-12CWQ10FNTRPBF
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E4-7664
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-12CWQ10FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ10FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ10FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ10FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: HN2S03FUTE85LF
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V US6
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V
替代:
1二极管配置1:3 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:20V
2每个/平均整流电流(io)2:50mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:E4-7665
包装: 3000个/
0.64 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HN2S03FUTE85LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN2S03FUTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN2S03FUTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HN2S03FUTE85LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: RB550EATR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TSMD5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:700mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:SOT-23-5细型,TSOT-23-5
封装:TSMD5
料号:E4-7666
包装: 3000个/
1.91 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB550EATR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB550EATR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB550EATR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB550EATR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1SS308(TE85L,F
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:4 共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SC-74A,5 迷你型塑模
料号:E4-7667
包装: 3000个/
0.57 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SS308(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS308(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS308(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS308(TE85L,F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1SS374(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V SC59
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:10V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 10V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:10V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SC-59
料号:E4-7668
包装: 3000个/
0.47 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SS374(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS374(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS374(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS374(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VS-12CWQ03FNTRPBF
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 6A DPAK
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:10V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:D-PAK(TO-252AA)
料号:E4-7669
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-12CWQ03FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ03FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ03FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ03FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: RB471ET148
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SMD5
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:10V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMD5
料号:E4-7670
包装: 3000个/
1.55 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB471ET148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB471ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB471ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB471ET148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: RB861YT2R
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 5V EMD4
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:10V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:5V *2每个/平均整流电流(io)2:10mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):290mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:5V
2每个/平均整流电流(io)2:10mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SC-75-4,SOT-543
封装:EMD4
料号:E4-7671
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB861YT2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB861YT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB861YT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RB861YT2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1SS423(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:85V *2每个/平均整流电流(io)2:160mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:50mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 50mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 20V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):490mV @ 700mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 30V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:10V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):500mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 10V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):550mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 10V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:5V *2每个/平均整流电流(io)2:10mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):290mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):620mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:SC-75,SOT-416
封装:SSM
料号:E4-7672
包装: 3000个/
0.75 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SS423(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS423(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS423(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SS423(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有12145个记录    每页显示20条,本页7661-7680条    384/608页    首 页    上一页   380  381  382  383  384  385  386  387  388   下一页    尾 页      
复制成功
销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922