首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： HN2S02JE(TE85L,F)
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：100mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：SOT-553
封装：ESV
料号：E4-7693
包装： 4000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HN2D01FTE85LF
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：3 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：80mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SC-74
料号：E4-7694
包装： 3000个/
￥0.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBRD10100CT-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO252
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：TO-252，（D-PAK）
料号：E4-7695
包装： 2500个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD4448HCQW-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V
替代：
1二极管配置1：2 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：250mA
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E4-7696
包装： 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD4448HCQW-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1PS88SB82,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V 6TSSOP
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V
替代：
1二极管配置1：3 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：15V
2每个/平均整流电流(io)2：30mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：E4-7697
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1PS88SB82,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DB5H206K0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V WSMINI5
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：1A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：5-SMD，扁平引线
封装：WSMINI5-F1-B
料号：E4-7698
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DB5H206K0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB5H206K0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB5H206K0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DB5H206K0L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VS-12CWQ04FNTRPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 6A DPAK
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：6A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：D-PAK（TO-252AA）
料号：E4-7699
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-12CWQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-12CWQ04FNTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MA4X71400L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V MINI4
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：30mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：迷你型4-G1
料号：E4-7700
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MA4X71400L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4X71400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4X71400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MA4X71400L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： BAS40DW-05-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT363
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V
替代：
1二极管配置1：2 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：E4-7701
包装： 3000个/
￥1.88 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS40DW-05-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40DW-05-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40DW-05-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40DW-05-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： V50100PW-M3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO3PW
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
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合作现货:0
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型号： VB40100C-E3/4W
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：TO-263AB
料号：E4-7703
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VB40100C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VB40100C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VB40100C-E3/4W' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SBR40U300CTB
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SBR 300V 20A D2PAK
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：超级势垒
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-7704
包装：
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-20CTQ150SPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-7705
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-20CTQ150SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-20CTQ150SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-20CTQ150SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-20CTQ150SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： C3D20065D
品牌： Cree/Wolfspeed CREE 科锐
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:Z-Rec® 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 650V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：650V
2每个/平均整流电流(io)2：10A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：E4-7706
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'C3D20065D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Cree/Wolfspeed' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D20065D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D20065D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C3D20065D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DSS2X61-0045A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 45V 60A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:Z-Rec® 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 650V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：2mA @ 45V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7707
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSS2X61-0045A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X61-0045A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X61-0045A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X61-0045A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DSI2X55-12A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 1.2KV 56A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:Z-Rec® 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 650V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：56A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：300µA @ 12
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7708
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSI2X55-12A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSI2X55-12A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSI2X55-12A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSI2X55-12A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DSS2X61-01A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 100V 60A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:Z-Rec® 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 650V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：2mA @ 100V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7709
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSS2X61-01A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： DSEI2X121-02A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 200V 123A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:Z-Rec® 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 650V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:123A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：123A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：1mA @ 200V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7710
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEI2X121-02A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DSS2X111-008A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 80V 110A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 1V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:1A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 1A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 20V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 30mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:1ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 30V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:TMBS® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:730mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:Z-Rec® 制造商:Cree/Wolfspeed 制造商统称:未设定 制造商统称:Cree/Wolfspeed 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:10A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 650V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:740mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 45V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:56A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 60A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 100V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:123A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:110A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：110A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：8mA @ 80V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7711
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DSEI2X101-06A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 600V 96A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 40V 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 100V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 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替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：96A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：3mA @ 600V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7712
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEI2X101-06A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X101-06A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X101-06A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X101-06A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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