首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： STTH10002TV2
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE MODULE 200V 50A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：50A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：E4-7713
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH10002TV2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH10002TV2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH10002TV2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH10002TV2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VS-UFB280FA20
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE MODULE 200V 175A SOT227
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：175A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：50µA @ 200
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-7714
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-UFB280FA20' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFB280FA20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFB280FA20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFB280FA20' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DSS2X101-02A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 200V 100A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：4mA @ 200V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7715
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSS2X101-02A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X101-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X101-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X101-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DSEP2X25-12C
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：25A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：250µA @ 12
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7716
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEP2X25-12C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X25-12C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X25-12C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X25-12C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT2X30D120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 30A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：30A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7717
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X30D120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STTH16003TV1
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE MODULE 300V 60A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：E4-7718
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH16003TV1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH16003TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH16003TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH16003TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT2X61D100J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1KV 55A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：55A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：250µA @ 10
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7719
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X61D100J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61D100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61D100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61D100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STTH9012TV1
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE MODULE 1.2KV 45A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：45A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：E4-7720
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH9012TV1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH9012TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH9012TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH9012TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MSKD100-08
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 800V 100A D1
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-7721
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD100-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD100-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD100-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD100-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MEK95-06DA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 600V 95A TO240AA
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V
替代：
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4二极管类型4：标准
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外壳：TO-240AA
封装：TO-240AA
料号：E4-7722
包装：
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合作现货:0
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型号： DSEP2X61-12A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：1mA @ 1200
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7723
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X61-12A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MEE75-12DA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 1.2KV 75A TO240AA
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：75A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：2mA @ 1200
外壳：TO-240AA
封装：TO-240AA
料号：E4-7724
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MEE75-12DA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MEE75-12DA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MEE75-12DA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MEE75-12DA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STTH20002TV1
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE MODULE 200V 120A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：E4-7725
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH20002TV1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH20002TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH20002TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH20002TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT2X101DQ120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 100A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7726
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X101DQ120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDD95-08N1B
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 800V 120A TO240AA
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：15mA @ 800
外壳：TO-240AA
封装：TO-240AA
料号：E4-7727
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDD95-08N1B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD95-08N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD95-08N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDD95-08N1B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MD16110A-DKM2MM
品牌： Littelfuse/力特 Littelfuse 力特保险丝
描述： DIODE MODULE GP 1600V 110A A3
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15mA @ 800V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:110A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 350A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：110A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：A-3 模块
封装：A3
料号：E4-7728
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD16110A-DKM2MM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Littelfuse/力特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD16110A-DKM2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD16110A-DKM2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD16110A-DKM2MM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTDF400KK120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 470A SP6
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15mA @ 800V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:110A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 350A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：470A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：250µA @ 12
外壳：LP4
封装：SP6
料号：E4-7729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTDF400KK120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： APTDF400AK120G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 470A SP6
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15mA @ 800V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:110A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 350A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：470A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：250µA @ 12
外壳：LP4
封装：SP6
料号：E4-7730
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTDF400AK120G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400AK120G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTDF400KK60G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 600V 500A SP6
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15mA @ 800V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:110A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 350A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:500A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:750µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：500A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：750µA @ 60
外壳：LP4
封装：SP6
料号：E4-7731
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTDF400KK60G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400KK60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400KK60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400KK60G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT2X60DC120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 60A SOT227
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 50A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:65ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:175A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:940mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 200V 系列:HiPerDynFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4.71V @ 25A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:15ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:80ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:55A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:280ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.1V @ 45A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:95A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 600V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.42V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:75A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.17V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:300ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.43V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15mA @ 800V 系列:- 制造商:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse/力特 制造商统称:Littelfuse Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:110A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 350A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:470A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:385ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:500A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 400A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:160ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:750µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.2mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-7732
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X60DC120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DC120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DC120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DC120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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