首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： APT2X60DQ120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：100µA @ 12
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7853
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X60DQ120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STTH60L06TV1
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE MODULE 600V 40A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：40A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：E4-7854
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH60L06TV1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH60L06TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH60L06TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH60L06TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT2X61DQ100J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：100µA @ 10
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7855
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X61DQ100J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： GSXF100A120S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-7856
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXF100A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF100A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF100A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF100A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT2X61DQ120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 60A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：100µA @ 12
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7857
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X61DQ120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X61DQ120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DSEP2X91-03A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 300V 90A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：90A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：1mA @ 300V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7858
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEP2X91-03A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X91-03A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X91-03A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X91-03A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSKD60-08
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 800V 60A D1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-7859
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD60-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD60-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD60-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD60-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT2X101DQ100J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1KV 100A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7860
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X101DQ100J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DQ100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT2X31D120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 30A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：30A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：250µA @ 12
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7861
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X31D120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X31D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X31D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X31D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DSEP2X91-06A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 600V 90A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：90A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：1mA @ 600V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7862
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEP2X91-06A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X91-06A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X91-06A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEP2X91-06A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT2X101DL40J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7863
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DL40J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X101DL40J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7864
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X101D20J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 600V 100A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7865
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X100D60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X100D60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X100D60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X100D60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MSKD100-12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 100A D1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-7866
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD100-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD100-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD100-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD100-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSCD100-12
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 100A D1
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-7867
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCD100-12' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD100-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD100-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCD100-12' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT2X60D120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.2KV 53A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:53A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:400ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：53A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：250µA @ 12
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7868
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X60D120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X60D120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT2X151DL60J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 600V 150A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:53A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:400ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：150A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7869
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X151DL60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X151DL60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X151DL60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X151DL60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： APT2X150DL60J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 600V 150A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:53A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:400ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：150A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-7870
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X150DL60J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X150DL60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X150DL60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X150DL60J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DSS2X160-01A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 100V 160A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:53A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:400ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：160A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：4mA @ 100V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-7871
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSS2X160-01A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X160-01A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X160-01A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSS2X160-01A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CD411699C
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE 1.6KV 100A
参数： 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.55V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.8V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:235ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:125ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:3.1V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:265ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.54V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.7V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 1000V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:370ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:HiPerFRED™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:90A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.05V @ 90A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.125V @ 100A *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:120ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:60ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:180ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:53A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:400ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:408ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:980mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 100V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:8mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：模块
封装：*
料号：E4-7872
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CD411699C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD411699C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD411699C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD411699C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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