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元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： STPS30150CFP
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220F
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FP
料号：E4-8510
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPS30150CFP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS30150CFP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STPS30L60CR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V I2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-262-3，长引线，I²PAK，TO-262AA
封装：I2PAK
料号：E4-8511
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPS30L60CR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS30L60CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS30L60CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS30L60CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FERD40M45CT
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 45V 20A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-8512
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FERD40M45CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40M45CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40M45CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40M45CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FERD40U45CT
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 45V 20A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-8513
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FERD40U45CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40U45CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40U45CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40U45CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： STTH10BC065CT
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY GP 650V 5A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：650V
2每个/平均整流电流(io)2：5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-8514
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH10BC065CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH10BC065CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH10BC065CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH10BC065CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STPS40M60CR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V I2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-262-3，长引线，I²PAK，TO-262AA
封装：I2PAK
料号：E4-8515
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPS40M60CR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS40M60CR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STPS20SM60CFP
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220FP
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB
料号：E4-8516
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPS20SM60CFP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS20SM60CFP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS20SM60CFP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS20SM60CFP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STTH2003CGY-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：300V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D²PAK
料号：E4-8517
包装： 1000个/
￥8.93 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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总额：
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FERD40M45CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 45V 20A D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8518
包装： 1000个/
￥7.85 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40M45CG-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40M45CG-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40M45CG-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FERD40U45CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 45V 20A D2PAK
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替代：
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外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8519
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状态： 在售
型号： SBR30300CT
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SBR 300V 15A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-8520
包装：
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状态： 在售
型号： STTH30AC06CP
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3PF
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
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6工作温度-结：
外壳：TO-3PF
封装：TO-3PF
料号：E4-8521
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH30AC06CP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH30AC06CP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH30AC06CP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STTH30AC06CPF
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY GP 600V 15A TO3PF
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-3PF
封装：TO-3PF
料号：E4-8522
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH30AC06CPF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH30AC06CPF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH30AC06CPF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH30AC06CPF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-20CTQ150STRLPBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8523
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-20CTQ150STRLPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-20CTQ150STRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-20CTQ150STRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-20CTQ150STRLPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SBG3050CT-T
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8524
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： STPS40170CGY-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:170V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 170V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：170V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D²PAK
料号：E4-8525
包装： 1000个/
￥9.53 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STPS40M60CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:170V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 170V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D²PAK
料号：E4-8526
包装： 1000个/
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状态： 在售
型号： SBR60A45CT
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SBR 45V 30A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:170V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 170V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：超级势垒
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：30A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-8527
包装：
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最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STPS20200CFP
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220F
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 650V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:595mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.95V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 600V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 150V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:170V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 170V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220FPAB
料号：E4-8528
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： STPS40SM100CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6.5µA @ 150V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:480µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 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正向（vf）:1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:40ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:500mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:650µA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:460mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.8mA @ 45V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.03V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 300V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 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反向泄漏:30µA @ 170V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:110µA @ 60V 系列:SBR® 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:超级势垒 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:860mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:45µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D²PAK
料号：E4-8529
包装： 1000个/
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