首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DSSK60-015A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：30A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-3P-3 整包
封装：TO-247AD
料号：E4-8610
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSSK60-015A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSK60-015A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSK60-015A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSK60-015A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DSP25-16AR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE ARRAY 1600V 28A ISOPLUS247
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：28A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 18
外壳：ISOPLUS247™
封装：ISOPLUS247™
料号：E4-8611
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSP25-16AR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSP25-16AR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSP25-16AR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSP25-16AR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DSSS35-008AR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V 35A
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：35A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：ISOPLUS247™
封装：ISOPLUS247™
料号：E4-8612
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSSS35-008AR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSS35-008AR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSS35-008AR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSS35-008AR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DSSK80-006BR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 40A
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：40A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：ISOPLUS247™
封装：ISOPLUS247™
料号：E4-8613
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSSK80-006BR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSK80-006BR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSK80-006BR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSSK80-006BR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： VS-40CPQ080PBF
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V TO247AC
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AC
料号：E4-8614
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-40CPQ080PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-40CPQ080PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-40CPQ080PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-40CPQ080PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： APT15DS60BG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ARRAY GP 600V 13A TO247
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：13A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247 [B]
料号：E4-8615
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT15DS60BG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT15DS60BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT15DS60BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT15DS60BG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： DSEI2X61-02A
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 200V 71A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：71A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：50µA @ 200
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-8616
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DSEI2X61-02A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X61-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X61-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DSEI2X61-02A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： APT2X31S20J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 200V 45A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：45A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：500µA @ 20
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-8617
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X31S20J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X31S20J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X31S20J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X31S20J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DHH55-36N1F
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE ARRAY GP 1800V 60A I4PAC
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1800V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：I4-PAC™-3
封装：I4-PAC™
料号：E4-8618
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DHH55-36N1F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHH55-36N1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHH55-36N1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHH55-36N1F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APT2X30D100J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1KV 28A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：28A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：ISOTOP®
料号：E4-8619
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APT2X30D100J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APT2X30D100J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DPF240X400NA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 400V 120A SOT227B
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：5µA @ 400V
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-8620
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DPF240X400NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DPF240X400NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DPF240X400NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DPF240X400NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MSKD120-08
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 800V 120A D1
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：800V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8621
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSKD120-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD120-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD120-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSKD120-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2950048
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 1.3KV 700MA
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V
替代：
1二极管配置1：4 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1300V
2每个/平均整流电流(io)2：700mA
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-20°C ~ 50
外壳：轴向外壳
封装：模块
料号：E4-8622
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2950048' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2950077
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 1.3KV 700MA
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V
替代：
1二极管配置1：7 共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1300V
2每个/平均整流电流(io)2：700mA
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-20°C ~ 50
外壳：轴向外壳
封装：模块
料号：E4-8623
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2950077' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950077' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950077' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950077' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： F1842CCD400
品牌： Crydom Co. Crydom
描述： DIODE MODULE 400V 40A
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:40A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：40A（DC）
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 12
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-8624
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'F1842CCD400' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Crydom Co.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F1842CCD400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'F1842CCD400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 2950116
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 1.3KV 700MA
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:40A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V
替代：
1二极管配置1：14 共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1300V
2每个/平均整流电流(io)2：700mA
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-20°C ~ 50
外壳：轴向外壳
封装：模块
料号：E4-8625
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2950116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2950116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： APTDF400AK170G
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE MODULE 1.7KV 480A SP6
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:40A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:480A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:572ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:750µA @ 1700V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1700V
2每个/平均整流电流(io)2：480A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：750µA @ 17
外壳：LP4
封装：SP6
料号：E4-8626
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'APTDF400AK170G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400AK170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400AK170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'APTDF400AK170G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MBRB40150CTTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:40A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:480A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:572ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:750µA @ 1700V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8627
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB40150CTTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB40150CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB40150CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB40150CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBRB40200CTTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:40A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 120A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:14 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:480A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.5V @ 400A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:572ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:750µA @ 1700V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:950mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 150V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8628
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MBRB60100CTTR
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:30A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:810mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 150V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.6V @ 55A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2mA @ 1600V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:35A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:790mV @ 35A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4mA @ 80V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:40A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 40A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 60V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.25mA @ 80V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:13A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:4V @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:14ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 600V 系列:FRED 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:71A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.08V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:45A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:850mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:55ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.04V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:230ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1800V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:28A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.3V @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:290ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:250µA @ 1000V 系列:HiPerFRED²™ 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 400V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:800V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6mA @ 800V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:4 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 1300V 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1300V *2每个/平均整流电流(io)2:700mA 不同 if 时的电压 - 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替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-263-3，D²PAK（2 引线+接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-8629
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRB60100CTTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB60100CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB60100CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRB60100CTTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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