首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
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状态： 在售
型号： GSXF100A020S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE FAST REC 200V 120AA SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8850
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： GSXD060A008S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 60A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8851
包装：
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合作现货:0
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型号： GSXD060A018S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：180V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
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6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8852
包装：
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型号： GSXD080A008S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8853
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD080A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD080A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD080A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： GSXF120A020S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE FAST REC 200V 120A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8854
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF120A020S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： GSXD120A008S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 120A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8855
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD120A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD120A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD120A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MBR2X080A100
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：160A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8856
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X080A100' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X080A100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： VS-UFL80FA60
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE MODULE 600V 65A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：65A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8857
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-UFL80FA60' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFL80FA60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFL80FA60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-UFL80FA60' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： GSXD080A010S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：160A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8858
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD080A010S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD080A010S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD080A010S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD080A010S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MUR2X060A04
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
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包装：
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品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 100A SOT227
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外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
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型号： GSXD060A012S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 120V 60A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:750mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
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2每个/平均整流电流(io)2：60A
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6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8862
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品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 120V 80A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:750mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8863
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD080A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:750mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8864
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD120A010S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： GSXD100A008S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:750mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V
替代：
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4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
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5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8865
包装：
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： GSXD080A015S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 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替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8866
包装：
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型号： GSXD100A010S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
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替代：
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4二极管类型4：肖特基
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外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8867
包装：
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海外现货:0
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品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:750mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8868
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD120A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD120A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： GSXF120A060S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE FAST REC 600V 120A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:100ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:65A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.49V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:75ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:750mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 60V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 150V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:120A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:105ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8869
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF120A060S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF120A060S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF120A060S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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