首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
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状态： 在售
型号： MD60A16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 60A D1 PACK
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8890
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD60A16D1-BP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： MD60C16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 60A D1 PACK
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8891
包装：
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型号： MD60K16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 60A D1 PACK
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
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外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8892
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品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 70A D1 PACK
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：70A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8893
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD70A16D1-BP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： MD70C16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 70A D1 PACK
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：70A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8894
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD70C16D1-BP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD70C16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD70C16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD70C16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MD70K16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 70A D1 PACK
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：70A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8895
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD70K16D1-BP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD70K16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD70K16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： GSXD100A020S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8896
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD100A020S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD100A020S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD100A020S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD100A020S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MUR2X100A04
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：400V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8897
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUR2X100A04' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X100A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X100A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MUR2X100A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： GSXF060A120S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8898
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXF060A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF060A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF060A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXF060A120S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBR2X120A045
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 240A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：240A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8899
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X120A045' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X120A045' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MBR2X100A180
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 180V 200A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：180V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8900
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBR2X100A180' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A180' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A180' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBR2X100A180' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： GHXS010A060S-D4
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：
5速度：快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8901
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GHXS010A060S-D4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS010A060S-D4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS010A060S-D4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS010A060S-D4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： GHXS010A060S-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8902
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GHXS010A060S-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS010A060S-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS010A060S-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS010A060S-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： STTH12010TV1
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE MODULE 1KV 60A ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 1000V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1000V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：ISOTOP
封装：ISOTOP®
料号：E4-8903
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STTH12010TV1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH12010TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH12010TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH12010TV1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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型号： GSXD160A008S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：160A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8904
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD160A008S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： GSXD160A012S1-D3
品牌： Global Power Technologies Group Global Power
描述： DIODE SCHOTTKY 120V 160A SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：160A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，MINIBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-8905
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSXD160A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Global Power Technologies Group' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD160A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD160A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSXD160A012S1-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MF200DU06FJ-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE FRED 600V 100A FJ SOT227
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:105ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：SOT-227-4
封装：FJ/SOT-227
料号：E4-8906
包装：
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合作现货:0
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型号： MD100A16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 100A D1 PAC
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 400V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.35V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:90ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:240A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 120A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 180V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向（vf）: *5速度:快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1000V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2V @ 60A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:115ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 1000V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:840mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 80V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:160A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:880mV @ 160A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 120V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:105ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8907
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD100A16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MD100C16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 100A D1 PAC
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:Global Power Technologies Group 制造商统称:未设定 制造商统称:Global Power Technologies Group 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:920mV @ 100A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 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替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8908
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MD120K16D1-BP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： DIODE RECT 1600V 120A D1 PAC
参数： 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.45V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1600V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:70A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.3V @ 200A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 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替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：120A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：D1
封装：D1
料号：E4-8909
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD120K16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD120K16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD120K16D1-BP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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