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元器件型号：12145 件
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状态： 在售
型号： MBRT30045L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 150A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：150A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8990
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MBRT30045RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 150A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：150A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8991
包装：
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型号： MBRT40020L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8992
包装：
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型号： MBRT40020RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8993
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRT40020RL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： MBRT40030L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8994
包装：
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合作现货:0
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型号： MBRT40030RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8995
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRT40030RL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT40030RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT40030RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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1~2周可到达
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型号： MBRT40035L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8996
包装：
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型号： MBRT40035RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 35V 200A 3 TOWER
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替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
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封装：三塔
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型号： MBRT40040L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3 TOWER
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替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8998
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MBRT40040RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 200A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V
替代：
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-8999
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品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 200A 3 TOWER
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4二极管类型4：肖特基
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9000
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品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
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替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
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外壳：三塔
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品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9002
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRT60020L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MBRT60020RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9003
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRT60020RL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态： 在售
型号： MBRT60030L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9004
包装：
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合作现货:0
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型号： MBRT60030RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3 TOWER
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替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9005
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MBRT60030RL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT60030RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRT60030RL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MBRT60035L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：35V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9006
包装：
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型号： MBRT60035RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3 TOWER
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替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：35V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9007
包装：
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MBRT60040L
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 300A 3 TOWER
参数： 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:150A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 150A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 40V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 200A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 45V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 20V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 30V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:35V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 35V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:300A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600mV @ 300A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9008
包装：
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状态： 在售
型号： MBRT60040RL
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
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替代：
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4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：300A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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外壳：三塔
封装：三塔
料号：E4-9009
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