元器件型号:12145
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型号: CMKZ5254B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述:
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1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-9390
包装:
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合作现货:0
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型号: CMKZ5255B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-9391
包装:
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型号: CMKZ5256B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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料号:E4-9392
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型号: CMKZ5257B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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料号:E4-9393
包装:
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-9394
包装:
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型号: CMKZ5259B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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料号:E4-9395
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型号: CMKZ5260B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
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替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
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5速度:
6工作温度-结:
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-9396
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5260B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: CMKZ5261B
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述:
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:E4-9397
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMKZ5261B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5261B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5261B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMKZ5261B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BAW56M,215
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述:
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
1二极管配置1:
4二极管类型4:
3反向DC电压(vr)最大值3:
2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23(TO-236AB)
料号:E4-9398
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW56M,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56M,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56M,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56M,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TRS12N65FB,S1Q
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:650V
2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC)
5速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-247-3
封装:TO-247
料号:E4-11671
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TRS12N65FB,S1Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TRS12N65FB,S1Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TRS12N65FB,S1Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TRS12N65FB,S1Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: RBQ15BM45ATL
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: RBQ15BM45A IS SCHOTTKY BARRIER D
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:45V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:TO-252
料号:E4-11670
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RBQ15BM45ATL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RBQ15BM45ATL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RBQ15BM45ATL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RBQ15BM45ATL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 1PS76SB21
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述:
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:
替代:
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4二极管类型4:
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2每个/平均整流电流(io)2:
5速度:
6工作温度-结:
外壳:
封装:SC-76
料号:E4-9401
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合作现货:0
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型号: BAS70L
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述:
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替代:
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5速度:
6工作温度-结:
外壳:SOD-882
封装:SOD-882
料号:E4-9402
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS70L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MSC2X100SDA120J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: SIC SBD 1200 V 100 A DUAL ISOTOP
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC)
5速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,miniBLOC
封装:SOT-227(ISOTOP®)
料号:E4-9403
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X100SDA120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X100SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X100SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X100SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MSC2X101SDA120J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: SIC SBD 1200 V 100 A DUAL ISOTOP
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V
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6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,miniBLOC
封装:SOT-227(ISOTOP®)
料号:E4-9404
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X101SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MSC2X51SDA170J
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: SIC SBD 1700 V 50 A DUAL PARALLE
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代:
1二极管配置1:-
4二极管类型4:-
3反向DC电压(vr)最大值3:-
2每个/平均整流电流(io)2:-
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6工作温度-结:-
外壳:-
封装:-
料号:E4-9405
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: DCG100X1200NA
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:49A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:49A
5速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
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外壳:SOT-227-4,miniBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-9406
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCG100X1200NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG100X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG100X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG100X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DCG130X1200NA
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:49A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 1200V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:1200V
2每个/平均整流电流(io)2:64A
5速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 17
外壳:SOT-227-4,miniBLOC
封装:SOT-227B
料号:E4-9407
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCG130X1200NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG130X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG130X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG130X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: BAT54SHMFHT116
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOT 30V 200MA SSD3
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:49A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SSD3
料号:E4-9408
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54SHMFHT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54SHMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54SHMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54SHMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BAV70HMT116
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: BAV70HM IS HIGH RELIABILITY AND
参数: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:6A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 650V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:140µA @ 45V 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:undefined 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1: *4二极管类型4: *3反向DC电压(vr)最大值3: *2每个/平均整流电流(io)2: 不同 if 时的电压 - 正向(vf): *5速度: 反向恢复时间(trr): 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向(vf):- *5速度:- 反向恢复时间(trr):- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:49A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1200V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:64A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.8V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA(Io) 反向恢复时间(trr):0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:80V
2每个/平均整流电流(io)2:215mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SSD3
料号:E4-9409
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70HMT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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