首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VS-RA160FA120
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： DIODE MODULE 1200V 91A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：91A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-9530
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VS-RA160FA120' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-RA160FA120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-RA160FA120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-RA160FA120' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ND411635
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：350A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9531
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ND411635' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND411635' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND411635' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND411635' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAS31-D87Z
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：120V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-9532
包装： 10000个/
￥0.33 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS31-D87Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS31-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS31-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS31-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MMBD1503A-D87Z
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-9533
包装： 10000个/
￥0.75 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD1503A-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD1503A-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD1503A-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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状态： 在售
型号： SNRVUD620CTT4G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：DPAK
料号：E4-9534
包装： 2500个/
￥2.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SNRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SNRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SNRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SNRVBD660CTT4G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：DPAK
料号：E4-9535
包装： 2500个/
￥4.36 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SNRVBD660CTT4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SNRVBD660CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SNRVBD660CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： STTH1602CGY-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODES AND RECTIFIERS
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：8A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装：D2PAK
料号：E4-9536
包装： 1000个/
￥5.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STTH1602CGY-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NRVUD620CTG-VF01
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：DPAK
料号：E4-9537
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVUD620CTG-VF01' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FERD20H60CTS
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 60V 10A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-9538
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FERD20H60CTS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD20H60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD20H60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD20H60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FERD20L60CTS
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 60V 10A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-9539
包装：
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合作现货:0
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型号： FERD30H60CTS
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 60V 15A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：175°C（最大）
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-9540
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD30H60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FERD40L60CTS
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 60V 20A TO220AB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-9541
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FERD40L60CTS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40L60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40L60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD40L60CTS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NRVUB1620CTT4G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK-3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：8A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装：D²PAK-3（TO-263-3）
料号：E4-9542
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVUB1620CTT4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVUB1620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVUB1620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVUB1620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： KCQ60A04
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE SCHOTTKY 40V 60A TO-247
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：E4-9543
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KCQ60A04' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Kyocera/京瓷' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KCQ60A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KCQ60A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'KCQ60A04' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： KCQ60A06
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE SCHOTTKY 60V 60A TO-247
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:670mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：60A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：E4-9544
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'KCQ60A06' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Kyocera/京瓷' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： FFSH2065BDN-F085
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： 650V 20A SIC SBD GEN1.5
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:670mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:650V 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 650V
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：650V
2每个/平均整流电流(io)2：650V
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：E4-9545
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFSH2065BDN-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFSH2065BDN-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFSH2065BDN-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFSH2065BDN-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STPSC20H12CWL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:670mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:650V 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 650V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：25A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247 长引线
料号：E4-9546
包装：
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合作现货:0
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型号： STPSC20H12CWY
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： AUTOMOTIVE SIC DIODES
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:670mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:650V 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 650V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247
料号：E4-9547
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPSC20H12CWY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPSC20H12CWY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPSC20H12CWY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPSC20H12CWY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： STPSC30H12CWL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:670mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:650V 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 650V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:38A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 15A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：38A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247 长引线
料号：E4-9548
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： GC2X5MPS12-247
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： SIC DIODE 1200V 10A TO-247-3
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:91A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.27V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 1200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 16A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:26ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:6µA @ 200V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:585mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:170µA @ 60V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:545mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.1mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:975mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:580mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 40V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:60A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:670mV @ 30A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25mA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:650V 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40µA @ 650V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:25A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 10A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60µA @ 1200V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:38A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 15A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:90µA @ 1200V 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:27A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:4µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：27A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247-3
料号：E4-9549
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GC2X5MPS12-247' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GC2X5MPS12-247' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GC2X5MPS12-247' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GC2X5MPS12-247' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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