元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: V6KL45DU-M3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 6A FLATPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:45V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:8-PowerTDFN
封装:FlatPAK 5x6(双)
料号:E4-9650
包装: 6000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-9651
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-9652
包装: 3000个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPSH-3AE TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:DPAK
料号:E4-9653
包装: 2500个/
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CSHD6-100C TR13 PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: VS-6CVH01-M3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE GEN PURPOSE 100V SLIMDPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:3A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:SlimDPAK
料号:E4-9654
包装: 4500个/
2.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VS-6CVH01-M3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: RB706D-40FHT146
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:30mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:125°C(最大)
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SMD3
料号:E4-9655
包装: 3000个/
2.19 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RB706D-40FHT146' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: V8KM60DUHM3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 8A FLATPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: V8KM60DUHM3/H
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 60V 8A FLATPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: V10KM120DUHM3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 10A FLATPAK
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替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 17
外壳:8-PowerTDFN
封装:FlatPAK 5x6(双)
料号:E4-9658
包装: 6000个/
1.98 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V10KM120DUHM3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT563
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT563
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:240V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
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6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:E4-9660
包装: 3000个/
2.37 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: V6KL45DUHM3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 6A FLATPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:45V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 15
外壳:8-PowerTDFN
封装:FlatPAK 5x6(双)
料号:E4-9661
包装: 6000个/
2.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'V6KL45DUHM3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMUD7000 TR PBFREE
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT523
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SC-89,SOT-490
封装:SOT-523
料号:E4-9662
包装: 6000个/
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状态: 在售
型号: CMSSH-3C TR PBFREE
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-9663
包装: 3000个/
1.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBRS20H100CT MNG
品牌: TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO263AB
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:20A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 17
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装:TO-263AB(D²PAK)
料号:E4-9664
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: V10KM120DU-M3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: DIODE SCHOTTKY 120V 10A FLATPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-40°C ~ 17
外壳:8-PowerTDFN
封装:FlatPAK 5x6(双)
料号:E4-9665
包装: 6000个/
1.94 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: WNS20S100CXQ
描述: SCHOTTKY POWER DIODE
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-220-3 全封装,隔离接片
封装:TO-220F
料号:E4-9666
包装:
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合作现货:0
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SWITCHING 240V 0.2A SOT23
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 20A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V
替代:
1二极管配置1:3 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:240V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-9667
包装: 3000个/
2.52 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMXD2004TO TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMXD2004TO TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BYV32EB-300PJ
描述: DUAL ULTRAFAST POWER DIODE
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):890mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
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6工作温度-结:175°C(最大)
外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
封装:D2PAK
料号:E4-9668
包装: 5600个/
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: MBRD660CT-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 6A DPAK
参数: 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):540mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:450µA @ 45V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 100V 系列:FRED Pt® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 100V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:30mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):370mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 10V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:8A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):640mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 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反向泄漏:350µA @ 120V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:WeEn Semiconductors 制造商统称:未设定 制造商统称:WeEn Semiconductors 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:300V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20µA @ 300V 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:6A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):740mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50µA @ 60V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:60V
2每个/平均整流电流(io)2:6A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装:D-Pak
料号:E4-9669
包装: 2500个/
2.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRD660CT-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRD660CT-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MBRD660CT-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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