首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 85CNQ015S2
品牌： SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V PRM2
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：15V
2每个/平均整流电流(io)2：80A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：PRM2
封装：PRM2
料号：E4-9770
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '85CNQ015S2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '85CNQ015S2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '85CNQ015S2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '85CNQ015S2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： GHXS060B120S-D3
品牌： SemiQ
描述： MODULE SCHOTTKY 1200V 60A SOT227
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：161A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-9771
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GHXS060B120S-D3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SemiQ' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS060B120S-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS060B120S-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GHXS060B120S-D3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X31SDA070J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 700 V 30 A DUAL PARALLEL
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-9772
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X31SDA070J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X30SDA070J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 700 V 30 A DUAL ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-9773
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X30SDA070J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X30SDA120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 1200 V 30 A DUAL ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-9774
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X30SDA120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X31SDA120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 1200 V 30 A DUAL PARALLE
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-9775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X31SDA120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X51SDA070J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 700 V 50 A DUAL PARALLEL
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：700V
2每个/平均整流电流(io)2：50A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227（ISOTOP®）
料号：E4-9776
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X51SDA070J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X50SDA070J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 700 V 50 A DUAL ANTI-PAR
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：700V
2每个/平均整流电流(io)2：50A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227（ISOTOP®）
料号：E4-9777
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X50SDA070J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X50SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X50SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X50SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DCG45X1200NA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：22A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-9778
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCG45X1200NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG45X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG45X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG45X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X51SDA120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 1200 V 50 A DUAL PARALLE
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：50A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227（ISOTOP®）
料号：E4-9779
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X51SDA120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X51SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X50SDA120J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 1200 V 50 A DUAL ANTI-PA
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：50A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227（ISOTOP®）
料号：E4-9780
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X50SDA120J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X50SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X50SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X50SDA120J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X100SDA070J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 700 V 100 A DUAL ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：700V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227（ISOTOP®）
料号：E4-9781
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X100SDA070J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X100SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X100SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X100SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X101SDA070J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 700 V 100 A DUAL ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：700V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227（ISOTOP®）
料号：E4-9782
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X101SDA070J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X101SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X101SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X101SDA070J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X31SDA170J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 1700 V 30 A DUAL PARALLE
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-9783
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X31SDA170J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X31SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSC2X30SDA170J
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： SIC SBD 1700 V 30 A DUAL ISOTOP
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-9784
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSC2X30SDA170J' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSC2X30SDA170J' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DCG85X1200NA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MOD SCHOTTKY 1200V SOT227B
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:43A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 40A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：43A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227B
料号：E4-9785
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCG85X1200NA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG85X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG85X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCG85X1200NA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAS40-04HMFHT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOT 40V 120MA SSD3
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:43A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 40A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：120mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9786
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS40-04HMFHT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-04HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-04HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-04HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAS40-05HMFHT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOT 40V 120MA SSD3
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:43A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 40A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：120mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9787
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS40-05HMFHT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-05HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-05HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-05HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAS40-06HMT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： BAS40-06HM IS SCHOTTKY BARRIER D
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:43A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 40A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：120mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9788
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAS40-06HMT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-06HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-06HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAS40-06HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAW156HMT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： BAW156HM IS HIGH RELIABILITY AND
参数： 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:15V *2每个/平均整流电流(io)2:80A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:450mV @ 80A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:20mA @ 15V 系列:- 制造商:SemiQ 制造商统称:未设定 制造商统称:SemiQ 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:161A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.7V @ 60A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 200µA 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 700V 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:22A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 20A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:50A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 1200V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 700V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:43A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 40A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 1200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5nA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9789
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW156HMT116' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW156HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW156HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW156HMT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有12145个记录    每页显示20条，本页9781-9800条    490/608页    首 页    上一页   486  487  488  489  490  491  492  493  494   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922