首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： CD412099C
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2000V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9852
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CD412099C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412099C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412099C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412099C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： CD412299C
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9853
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CD412299C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412299C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412299C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412299C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： CD412499C
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2400V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9854
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CD412499C' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412499C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412499C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CD412499C' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LDR11666
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE 1.6KV POW-R-BLOK
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：标准
2每个/平均整流电流(io)2：660A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9855
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LDR11666' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LDR11666' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LDR11666' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LDR11666' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： LDR11866
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE 1.8KV POW-R-BLOK
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：标准
2每个/平均整流电流(io)2：660A（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9856
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LDR11866' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LDR11866' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LDR11866' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LDR11866' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LD412660
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2600V
2每个/平均整流电流(io)2：600A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-9857
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LD412660' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LD412660' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LD412660' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LD412660' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FFPF20UP60DNTU-G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220FP
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：600V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：TO-220-3 整包
封装：TO-220F
料号：E4-9858
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FFPF20UP60DNTU-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFPF20UP60DNTU-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFPF20UP60DNTU-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FFPF20UP60DNTU-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SBRB2545CTG
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：45V
2每个/平均整流电流(io)2：15A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装：D2PAK-3
料号：E4-9859
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBRB2545CTG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBRB2545CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBRB2545CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBRB2545CTG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： STPSC10H12CWL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：19A
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：TO-247-3
封装：TO-247 长引线
料号：E4-9860
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPSC10H12CWL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPSC10H12CWL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPSC10H12CWL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPSC10H12CWL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PD100MYN18
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE MODULE PHASE LEG D+D 1.8KV
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1800V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-9861
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD100MYN18' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Kyocera/京瓷' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD100MYN18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD100MYN18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD100MYN18' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PD100MYN16
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE MODULE PHASE LEG D+D 1.6KV
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-9862
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD100MYN16' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Kyocera/京瓷' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD100MYN16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD100MYN16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD100MYN16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： GC2X50MPS06-227
品牌： Navitas(GeneSiC)/纳微 Navitas Semiconductor/GeneSiC/ 纳微
描述： DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：650V
2每个/平均整流电流(io)2：104A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：SOT-227-4，miniBLOC
封装：SOT-227
料号：E4-9863
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GC2X50MPS06-227' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Navitas(GeneSiC)/纳微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GC2X50MPS06-227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GC2X50MPS06-227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GC2X50MPS06-227' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD200MYN16
品牌： Kyocera/京瓷
描述： DIODE MODULE PHASE LEG D+D 1.6KV
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-9864
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD200MYN16' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Kyocera/京瓷' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD200MYN16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD200MYN16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD200MYN16' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： JANTX1N6511
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： DIODE ARRAY GP 75V 300MA AXIAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V
替代：
1二极管配置1：7 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：75V
2每个/平均整流电流(io)2：300mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-
外壳：14-CDIP(7.62mm)
封装：14-CDIP
料号：E4-9865
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'JANTX1N6511' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX1N6511' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX1N6511' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'JANTX1N6511' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAS40-06HMFHT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOT 40V 120MA SSD3
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：120mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9866
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAT54C-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOT-23
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：125°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E4-9867
包装： 3000个/
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAT54CHMFHT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOT 30V 200MA SSD3
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9868
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAT54SHMT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： BAT54SHM IS SCHOTTKY BARRIER DIO
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9869
包装：
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV99HMT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： PMDU RECTIFYING DIODE
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：E4-9870
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BAV99HMFHT116
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： DIODE ARRAY GP 80V 215MA SSD3
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2000V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2000V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2200V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.65V @ 330A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:标准 *2每个/平均整流电流(io)2:660A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.4V @ 1978A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 1800V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.18V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40mA @ 2600V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:600V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:2.2V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:70ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 600V 系列:SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:620mV @ 15A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200µA @ 45V 系列:ECOPACK® 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:19A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 5A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30µA @ 1200V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1800V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.8kV 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5mA @ 1.6kV 系列:- 制造商:Navitas(GeneSiC)/纳微 制造商统称:未设定 制造商统称:GeneSiC Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:650V *2每个/平均整流电流(io)2:104A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 50A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 650V 系列:- 制造商:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera/京瓷 制造商统称:Kyocera International Inc. Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.5V @ 500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 1.6kV 系列:Military, MIL-PRF-19500/4 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:7 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:120mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 40mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10µA @ 40V 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:80V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：80V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SSD3
料号：E4-9871
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99HMFHT116' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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