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元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MDMA600P1600PTSF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： BIPOLAR MODULE - DIODE SIMBUS F-
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：600A
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：SimBus F
封装：SimBus F
料号：E4-10091
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDMA600P1600PTSF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA600P1600PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA600P1600PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA600P1600PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MDNA425P2200PTSF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： BIPOLAR MODULE - DIODE SIMBUS F-
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2200V
2每个/平均整流电流(io)2：425A
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：SimBus F
封装：SimBus F
料号：E4-10092
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDNA425P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA425P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA425P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA425P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MDNA600P2200PTSF
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： BIPOLAR MODULE - DIODE SIMBUS F-
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2200V
2每个/平均整流电流(io)2：600A
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：SimBus F
封装：SimBus F
料号：E4-10093
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDNA600P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA600P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA600P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA600P2200PTSF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MSCDC150A70D1PAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：700V
2每个/平均整流电流(io)2：150A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10094
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCDC150A70D1PAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150A70D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150A70D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150A70D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSCDC150KK70D1PAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：700V
2每个/平均整流电流(io)2：150A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10095
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCDC150KK70D1PAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150KK70D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150KK70D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150KK70D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDNA380P2200KC
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： BIPOLAR MODULE - DIODE Y1-CU
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2200V
2每个/平均整流电流(io)2：380A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：Y1-CU
封装：Y1-CU
料号：E4-10096
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MDNA380P2200KC' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA380P2200KC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA380P2200KC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDNA380P2200KC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSCDC100KK120D1PAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10097
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCDC100KK120D1PAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MSCDC100A120D1PAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10098
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCDC100A120D1PAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC100A120D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MDMA1400C1600CC
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： BIPOLAR MODULE - THYRISTOR COMP
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:MDMA1400C1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：700A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：ComPack
封装：ComPack
料号：E4-10099
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA1400C1600CC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA1400C1600CC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MDMA1400C1600CC' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MDMA700P1600CC
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： BIPOLAR MODULE - DIODE COMPACK
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:MDMA1400C1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:MDMA700P1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：700A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：ComPack
封装：ComPack
料号：E4-10100
包装：
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
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料号：E4-10103
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料号：E4-10104
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1二极管配置1：1 对串联
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:MDMA1400C1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:MDMA700P1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1200V
2每个/平均整流电流(io)2：200A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10106
包装：
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合作现货:0
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型号： MSCDC100A170D1PAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:MDMA1400C1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:MDMA700P1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1700V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10107
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCDC100A170D1PAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC100A170D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC100A170D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MSCDC100KK170D1PAG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:MDMA1400C1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:MDMA700P1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1700V
2每个/平均整流电流(io)2：100A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10108
包装：
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型号： MSCDC300A70AG
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C
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替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：碳化硅肖特基
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2每个/平均整流电流(io)2：300A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：SP6
料号：E4-10109
包装：
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状态： 在售
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
参数： 系列:MDMA600P1600PTSF 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:425A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:425A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:600A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:600A *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2200V *2每个/平均整流电流(io)2:380A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 300A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 2.2kV 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:MDMA1400C1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:MDMA700P1600CC 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:700A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.14V @ 700A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 1600V 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1200V *2每个/平均整流电流(io)2:200A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 200A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:800µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:100A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 100A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400µA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:700V *2每个/平均整流电流(io)2:300A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 300A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.2mA @ 系列:- 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:碳化硅肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:150A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.8V @ 150A *5速度:无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）:0ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:600µA @
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：碳化硅肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：1700V
2每个/平均整流电流(io)2：150A（DC）
5速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：模块
封装：D1P
料号：E4-10110
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MSCDC150A170D1PAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MSCDC150A170D1PAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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