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元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ND411735
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1700V
2每个/平均整流电流(io)2：350A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-10431
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ND411735' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND411735' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND411735' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND411735' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ND412426
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2400V
2每个/平均整流电流(io)2：260A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-10432
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ND412426' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND412426' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND412426' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ND412426' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD412611
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：2600V
2每个/平均整流电流(io)2：1200A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-10433
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD412611' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD412611' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD412611' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD412611' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PD414010
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： DIODE MODULE DUAL
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：4000V
2每个/平均整流电流(io)2：1100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 15
外壳：POW-R-BLOK™ 模块
封装：POW-R-BLOK™ 模块
料号：E4-10434
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PD414010' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD414010' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD414010' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PD414010' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： BAW74-D87Z
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 50V 200MA SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-10435
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW74-D87Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW74-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW74-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW74-D87Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： BAV70DXV6T5G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE SWITCH DUAL CC 70V SOT563
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
替代：
1二极管配置1：-
4二极管类型4：-
3反向DC电压(vr)最大值3：-
2每个/平均整流电流(io)2：-
5速度：-
6工作温度-结：-
外壳：-
封装：-
料号：E4-10436
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70DXV6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70DXV6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70DXV6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70DXV6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SBAT54CWT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOT 30V 200MA SC70
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：SC-70，SOT-323
封装：SC-70（SOT323）
料号：E4-10437
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBAT54CWT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAT54CWT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAT54CWT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBAT54CWT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SRVUD620CTT4G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE PWR RECT 200V 6A DPAK-3
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：3A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 17
外壳：TO-252-3,DPAK(2引线+接片),SC-63
封装：DPAK
料号：E4-10438
包装： 2500个/
￥2.15 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SRVUD620CTT4G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NRVHP420MFDWFT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 2A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：2A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10439
包装： 5000个/
￥3.53 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP420MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NRVHP420MFDWFT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 2A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：2A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10440
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP420MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NRVHP420MFDT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 2A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：2A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10441
包装： 5000个/
￥3.73 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP420MFDT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NRVHP420MFDT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 2A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：2A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10442
包装： 1500个/
￥3.62 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP420MFDT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP420MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NRVHP820MFDT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：4A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10443
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP820MFDT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NRVHP820MFDWFT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：4A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10444
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP820MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDWFT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NRVHP820MFDT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：4A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10445
包装： 1500个/
￥5.75 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP820MFDT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： STPS660DDJFY-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V PWRFLAT
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：3.5A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 17
外壳：8-PowerVDFN
封装：PowerFlat™（5x6）
料号：E4-10446
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STPS660DDJFY-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS660DDJFY-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS660DDJFY-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STPS660DDJFY-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： NRVHP820MFDWFT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：4A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10447
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP820MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP820MFDWFT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NRVHP8H200MFDT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：4A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10448
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP8H200MFDT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP8H200MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP8H200MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP8H200MFDT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FERD20L60CG-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DIODE ARRAY 60V 10A D2PAK
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：FERD（场效应整流器二极管）
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：10A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
封装：D²PAK
料号：E4-10449
包装： 1000个/
￥4.46 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FERD20L60CG-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD20L60CG-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD20L60CG-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FERD20L60CG-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NRVHP8H200MFDT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
参数： 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1700V *2每个/平均整流电流(io)2:350A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 1000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:30mA @ 1700V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2400V *2每个/平均整流电流(io)2:260A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 1500A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:10µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50mA @ 2400V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:2600V *2每个/平均整流电流(io)2:1200A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:22µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 2600V 系列:- 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:4000V *2每个/平均整流电流(io)2:1100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.35V @ 3000A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:25µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200mA @ 4000V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 50V 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:- *4二极管类型4:- *3反向DC电压(vr)最大值3:- *2每个/平均整流电流(io)2:- 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:- *5速度:- 反向恢复时间（trr）:- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:35ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5µA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:2A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:3.5A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 6A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:150µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.05V @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:FERD（场效应整流器二极管） *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:575mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:970µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:910mV @ 8A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 200V
替代：
1二极管配置1：2 个独立式
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：4A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 17
外壳：8-PowerTDFN
封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）
料号：E4-10450
包装：
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NRVHP8H200MFDT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP8H200MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP8H200MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NRVHP8H200MFDT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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