元器件型号:12145
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:240V
2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10552
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPD2004S BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD2004S BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: CMSD2838 TR PBFREE
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SWITCHING 75V 0.2A SOT323
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:E4-10553
包装: 3000个/
1.23 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSD2838 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSD2838 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMSD2838 TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
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状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE GEN PURP 120V 400MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:120V
2每个/平均整流电流(io)2:400mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10554
包装: 3000个/
1.08 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPD5001S TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD5001S TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD5001S TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD5001S TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
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1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY 180V 200MA SOT563
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:180V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:E4-10555
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMLD3003DOG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLD3003DOG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLD3003DOG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMLD3003DOG TR PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: PNE20060CPEZ
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: PNE20060CPE/SOT1289B/CFP15
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:3A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:175°C(最大)
外壳:TO-277,3-PowerDFN
封装:CFP15B
料号:E4-10556
包装: 5000个/
2.18 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PNE20060CPEZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE20060CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE20060CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE20060CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:70V
2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10557
包装:
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPD6263C BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD6263C BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD6263C BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD6263C BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: SBR10150CTL
品牌: SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:150V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:E4-10558
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBR10150CTL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBR10150CTL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY GP 75V 250MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:75V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC)
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10559
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPD6001A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD6001A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD6001A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD6001A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY GP 90V 250MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V
替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10560
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPD1001S BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD1001S BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD1001S BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD1001S BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: BAW79DH6327XTSA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: DIODE GP 400V 500MA SOT89
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:400V
2每个/平均整流电流(io)2:500mA
5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:150°C(最大)
外壳:TO-243AA
封装:PG-SOT89
料号:E4-10561
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW79DH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW79DH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW79DH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW79DH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: SBRF1545CT
品牌: SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述: DIODE SCHOTTKY 45V 15A ITO220AB
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:45V
2每个/平均整流电流(io)2:15A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:ITO-220AB
料号:E4-10562
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SBRF1545CT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SMC/桑德斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBRF1545CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBRF1545CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SBRF1545CT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: PNE20080CPEZ
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: PNE20080CPE/SOT1289B/CFP15
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:4A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:175°C(最大)
外壳:TO-277,3-PowerDFN
封装:CFP15B
料号:E4-10563
包装: 5000个/
2.63 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE20080CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE20080CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE20080CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MBRF10100CTU
品牌: SMC/桑德斯 SMC Diode Solutions 桑德斯微电子器件
描述: DIODE SCHOTTKY 100V 10A ITO220AB
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:100V
2每个/平均整流电流(io)2:10A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-55°C ~ 15
外壳:TO-220-3
封装:ITO-220AB
料号:E4-10564
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE GEN PURP 90V 250MA SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:90V
2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC)
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10565
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPD1001A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPD1001A BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23
料号:E4-10566
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CMPSH-3CG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Central/中环' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPSH-3CG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPSH-3CG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CMPSH-3CG BK PBFREE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PNE200100CPEZ
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: PNE200100CPE/SOT1289B/CFP15
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:标准
3反向DC电压(vr)最大值3:200V
2每个/平均整流电流(io)2:5A
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:175°C(最大)
外壳:TO-277,3-PowerDFN
封装:CFP15B
料号:E4-10567
包装: 5000个/
3.25 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PNE200100CPEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT963
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V
替代:
1二极管配置1:2 个独立式
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:40V
2每个/平均整流电流(io)2:200mA
5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
6工作温度-结:-65°C ~ 12
外壳:SOT-963
封装:SOT-963
料号:E4-10568
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状态: 在售
型号: CMSSH-3C BK PBFREE
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阴极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:DO-214AB,SMC
封装:SMC
料号:E4-10569
包装:
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: CMSSH-3A BK PBFREE
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10nA @ 180V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:3A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):940mV @ 3A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:15mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):410mV @ 1mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 50V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):980mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10mA @ 150V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 100mA *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):3µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500pA @ 75V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:400V *2每个/平均整流电流(io)2:500mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.6V @ 1A *5速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):1µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 400V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:45V *2每个/平均整流电流(io)2:15A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):720mV @ 7.5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 45V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:4A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):930mV @ 4A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:SMC/桑德斯 制造商统称:未设定 制造商统称:SMC Diode Solutions 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:10A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):820mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1mA @ 100V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:250mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 200mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:5A 不同 if 时的电压 - 正向(vf):950mV @ 5A *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):30ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 200V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 40mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200nA @ 30V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 25V
替代:
1二极管配置1:1 对共阳极
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:DO-214AB,SMC
封装:SMC
料号:E4-10570
包装:
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型号: CMSSH-3S BK PBFREE
品牌: Central/中环 Central Semiconductor Corp 中央半导体
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SMC
参数: 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:240V *2每个/平均整流电流(io)2:225mA(DC) 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 240V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.2V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:120V *2每个/平均整流电流(io)2:400mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.25V @ 400mA *5速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 90V 系列:- 制造商:Central/中环 制造商统称:未设定 制造商统称:Central Semiconductor Corp 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:2 个独立式 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:180V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA 不同 if 时的电压 - 正向(vf):1.1V @ 200mA *5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢复时间(trr):小信号 =< 200mA(Io),任意速度 不同 Vr 时电流 - 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替代:
1二极管配置1:1 对串联
4二极管类型4:肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3:30V
2每个/平均整流电流(io)2:100mA(DC)
5速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
6工作温度-结:-65°C ~ 15
外壳:DO-214AB,SMC
封装:SMC
料号:E4-10571
包装:
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