首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MEK350-02DA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： DIODE MODULE 200V 356A Y4-M6
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：200V
2每个/平均整流电流(io)2：356A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：3mA @ 200V
外壳：Y4-M6
封装：Y4-M6
料号：E4-1101
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MEK350-02DA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MEK350-02DA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MEK350-02DA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MEK350-02DA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： M50100THC1600
品牌： Crydom Co. Crydom
描述： DIODE MODULE 1.6KV 100A
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
替代：
1二极管配置1：3 共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：1600V
2每个/平均整流电流(io)2：100A
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 12
外壳：模块
封装：模块
料号：E4-1102
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'M50100THC1600' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Crydom Co.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'M50100THC1600' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'M50100THC1600' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'M50100THC1600' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2320160
品牌： Phoenix Contact Phoenix
描述： DIODE MODULE 48V 20A DIN RAIL
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：48V
2每个/平均整流电流(io)2：20A（DC）
5速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-40°C ~ 70
外壳：DIN 导轨模块
封装：模块
料号：E4-1103
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2320160' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Phoenix Contact' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2320160' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2320160' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2320160' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70LT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1104
包装： 10000个/
￥0.10 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAW56LT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1105
包装： 10000个/
￥0.10 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW56LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV99LT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1106
包装： 10000个/
￥0.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV99LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV99LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD7000LT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1107
包装： 10000个/
￥0.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD7000LT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000LT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70LT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1108
包装： 3000个/
￥0.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAW56LT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：70V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1109
包装： 3000个/ 盘
￥0.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E4-1110
包装： 3000个/ 盘
￥0.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E4-1111
包装： 10000个/
￥0.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD7000LT1G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1112
包装： 3000个/
￥0.22 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD7000LT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000LT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAW56,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY GP 90V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：90V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E4-1113
包装： 3000个/
￥0.11 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW56,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV70-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 75V 150MA SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：75V
2每个/平均整流电流(io)2：150mA
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-1114
包装： 3000个/
￥0.19 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV70-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV70-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAW56-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V
替代：
1二极管配置1：1 对共阳极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：75V
2每个/平均整流电流(io)2：300mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-1115
包装： 3000个/
￥0.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAW56-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAW56-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MMBD7000-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：75V
2每个/平均整流电流(io)2：300mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-65°C ~ 15
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：E4-1116
包装： 3000个/
￥0.20 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBD7000-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBD7000-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态：
型号： BAT54CLT3G
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：200mA（DC）
5速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：E4-1117
包装： 10000个/
￥0.12 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAT54CLT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54CLT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54CLT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAT54CLT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： BAV74,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY GP 50V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E4-1118
包装： 3000个/
￥0.13 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BAV74,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV74,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV74,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BAV74,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMBD7000,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E4-1119
包装： 3000个/
￥0.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBD7000,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD7000,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD7000,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD7000,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PMBD7000,235
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： DIODE ARRAY GP 100V 215MA SOT23
参数： 系列:- 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:200V *2每个/平均整流电流(io)2:356A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.07V @ 260A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:200ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3mA @ 200V 系列:- 制造商:Crydom Co. 制造商统称:未设定 制造商统称:Crydom Co. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:3 共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:1600V *2每个/平均整流电流(io)2:100A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.2V @ 100A *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:Phoenix Contact 制造商统称:未设定 制造商统称:Phoenix Contact 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:48V *2每个/平均整流电流(io)2:20A（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:20A（DC） *5速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:70V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:6ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 70V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.1V @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3µA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 80V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:150mA 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阳极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.5µA @ 75V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:75V *2每个/平均整流电流(io)2:300mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1µA @ 50V 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:200mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:800mV @ 100mA *5速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）:5ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2µA @ 25V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 100mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100nA @ 50V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 100V 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对串联 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:100V *2每个/平均整流电流(io)2:215mA（DC） 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1.25V @ 150mA *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:4ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500nA @ 100V
替代：
1二极管配置1：1 对串联
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：100V
2每个/平均整流电流(io)2：215mA（DC）
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：150°C（最大）
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23（TO-236AB）
料号：E4-1120
包装： 10000个/
￥0.14 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PMBD7000,235' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD7000,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD7000,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PMBD7000,235' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有12145个记录    每页显示20条，本页1101-1120条    56/608页    首 页    上一页   52  53  54  55  56  57  58  59  60   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922