首页 >> 商品目录 >> 二极管 >> 多路整流器(肖特基）
元器件型号：12145 件
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SR20150HC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11360
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR20150HC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR20150PT C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 150V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11361
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR20150PT C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR20150PTHC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 150V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：150V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11362
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR20150PTHC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR20150PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2020 C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11363
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2020 C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2020 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2020 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2020 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2020HC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：20V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11364
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2020HC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2020HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2020HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2020HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2030 C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2030 C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2030HC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2030HC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2030PT C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 30V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11367
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2030PT C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2030PTHC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 30V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：30V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11368
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2030PTHC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2030PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2040HC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11369
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2040HC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2040PT C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 40V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11370
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2040PT C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2040PTHC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 40V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：40V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 12
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11371
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2040PTHC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2040PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2050 C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11372
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2050 C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2050HC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11373
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2050HC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2050PT C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 50V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11374
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2050PT C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2050PTHC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 50V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：50V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11375
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2050PTHC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2050PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2060HC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11376
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2060HC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060HC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2060PT C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 60V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11377
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2060PT C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060PT C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2060PTHC0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY GP 60V 20A TO247AD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：标准
3反向DC电压(vr)最大值3：60V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-247-3
封装：TO-247AD（TO-3P）
料号：E4-11378
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2060PTHC0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2060PTHC0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SR2090 C0G
品牌： TSC/台湾半导体 Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述： DIODE ARRAY SCHOTTKY 90V TO220AB
参数： 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:1V @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:150V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 150V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:20V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 20V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:30V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 30V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:40V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:550mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 40V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:50V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 50V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:标准 *3反向DC电压(vr)最大值3:60V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:700mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500µA @ 60V 系列:- 制造商:TSC/台湾半导体 制造商统称:TSC/台湾半导体 制造商统称:Taiwan Semiconductor Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 *1二极管配置1:1 对共阴极 *4二极管类型4:肖特基 *3反向DC电压(vr)最大值3:90V *2每个/平均整流电流(io)2:20A 不同 if 时的电压 - 正向（vf）:900mV @ 10A *5速度:快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100µA @ 90V
替代：
1二极管配置1：1 对共阴极
4二极管类型4：肖特基
3反向DC电压(vr)最大值3：90V
2每个/平均整流电流(io)2：20A
5速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
6工作温度-结：-55°C ~ 15
外壳：TO-220-3
封装：TO-220AB
料号：E4-11379
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SR2090 C0G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TSC/台湾半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2090 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2090 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SR2090 C0G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有12145个记录    每页显示20条，本页11361-11380条    569/608页    首 页    上一页   565  566  567  568  569  570  571  572  573   下一页    尾 页      
复制成功

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科芯查介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科芯查有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922